三星稱中國芯片競爭力下降 在華建廠無需擔憂技術外泄

環球網記者張哲報道，韓國媒體報道稱，三星電子計劃於2012年在中國大陸興建下一代NAND閃存芯片生產線。據瞭解，NAND閃存是主要用於智能手機、平板電腦等通信終端的存儲介質。目前，三星已向韓國知識經濟部提交了申請書。

韓國《朝鮮日報》12月7日刊文表示，“三星冒着技術外泄的風險在中國大陸建存儲芯片生產線，是為了搶佔躍升為世界最大芯片市場的中國市場”。三星方面則表示，中國的芯片競爭力已“明顯下降”，沒有必要過於擔心技術外泄問題。

報道稱，中國正逐漸成為世界最大的IT產品生產基地。目前，全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機都在中國生產，這些產品的核心零配件——存儲芯片的使用量也年年劇增。據市場調查公司Gartner的數據，今年中國的芯片使用量達到全球產量的30%，是世界最大的芯片消費國。

三星電子表示，計劃在中國興建採用20納米級以下尖端製造工藝的內存芯片生產線。如果中國建廠計劃獲得批准，該工廠將是三星電子繼美國德克薩斯州的奧斯丁工廠之後的第二家海外芯片製造工廠。對於在中國建廠的理由，三星電子方面介紹説：“公司對當地消費者的需求可以做到快速反應及高效應對。”