蘋果內存控制IC問題的真與假

iPhone 6上市後，市場一直供不應求，尤其128GB的iPhone 6 Plus更是最缺貨的一款。11月4日一則來自iPhone 6 Plus 128GB的最新消息， 或許讓果粉「退而求其次」，改買64GB甚至更低容量機種，在“擠牙膏”的效應下，恐造成全系列iPhone 6的新機供應更加吃緊。

AppleInsider10月23日曾報導，蘋果支援社羣(Support Communities)論壇最近有多名用户重複抱怨iPhone6 Plus系統崩潰、或不斷重開機的問題，目前還不清楚故障的原因為何，有人已經因此連換四支iPhone 6 Plus。

根據韓國媒體的分析，這些問題主要發生在128GB版iPhone 6 Plus，可能跟三階儲存單元(Triple-Level Cell，簡稱TLC)NAND型快閃存儲器(NAND Flash)的控制IC有關。BusinessKorea 3日報導，TLC flash是一種固態的NAND Flash，每一個快閃媒介單元都能儲存3位元的資料，容量為單階儲存單元(Single-Level Cell，簡稱SLC)、多階儲存單元(Multi-Level Cell，簡稱MLC)的兩到三倍之多。另外，TLC flash的價格也較為便宜。不過，TLC讀取/寫入資料的速度卻不如SLC或MLC。

坊間傳言，此次蘋果為了節省成本而在128GB iPhone 6 Plus與部份機種運用了TLC NAND Flash。在此之前，TLC NAND Flash都只用在部分iPad，而較為昂貴、但穩定度高的MLC NAND Flash則應用於大多數的iPhone。

部分業界人士認為，倘若TLC Flash真的是iPhone 6 Plus系統崩潰的主因，那麼蘋果也許會召回已經出售的所有產品。 至截稿前，蘋果尚未回應相關報導，也尚未宣佈任何iPhone召回計劃。

那麼NAND內存芯片控制IC到底是做什麼用的呢？

據集微網所知，這顆內存控制IC是擔任電子裝置與NAND快閃存儲器之間的溝通橋樑，負責中介、控制的角色，能夠實現數據的順利存取。此外，它還能提升數據的存取速度、加強除錯能力，延長NAND芯片的壽命。NAND內存芯片控制IC並非昂貴的零組件，成本甚至僅iPhone新機價格的千分之一。但如若少了它，你想拍下美美的照片存起來，或想下載影片至手機裏，都將成為空談，它的重要性可想而知。

根據iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus採用的SK Hynix海力士的NAND Flash，按照蘋果封閉式NAND控制IC策略，蘋果NAND Flash控制IC可能由韓國SK Hynix海力士NAND芯片廠提供，或由蘋果自行設計。由於此次可能因NAND控制IC出錯導致128GB容量的iPhone 6 Plus系統崩潰，蘋果可能會轉變NAND控制IC策略，改為外購，為台灣羣聯等業者增添新一輪的轉單可能。

目前為止，遇到問題的用户發現了幾個共通點，即128GB iPhone 6 Plus是最容易受到影響的機種、用户安裝的應用程式數量超過700款，且系統未與使用者互動便即崩潰。部份網友認為是硬件有瑕疵，因為蘋果最近發佈的iOS 8.1系統更新並未解決這個問題，其他人則把一切麻煩怪到軟件頭上。

這一問題對於iPhone來説屬於首次出現，因為之iPhone使用的是MLC NAND 閃存，遇到這些問題的用户只能將手機拿到Apple Store並更換新機。

最新來自蘋果內部的消息人士聲稱，召回計劃完全是虛假的。蘋果官方支持論壇上關於崩潰的帖子只有159個回覆，其中很多來自同一個人。這些用户通常安裝了500或1000個應用，消息稱蘋果已經瞭解問題，推測該問題與閃存有關並不準確。

據iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus採用海力士H2JTDG8UD1BMS，集微網小編查到的規格表中並未明確指明其是TLC還是MLC，只歸類為E2NAND 3.0，而在TECHINSIGHTS所查，海力士H2JTDG8UD1BMS是16 nm NAND MLC Flash Memory，目前能夠確定的消息是iPhone 6 plus採用的NAND存儲器是MLC而不是TLC。