中國等離子體刻蝕機達到世界先進水平-科工力量
【本文轉自微信公眾號“科工力量”（ID：guanchacaijing）】
日前，央視財經頻道播出的《感受中國製造》第五集《中國“芯”力量》介紹了中國在半導體設備和半導體原材料上取得的成績和進步。其中，最引人矚目的莫過於中國企業在刻蝕機上取得的成績——16nm刻蝕機實現商業化量產並在客户的生產線上運行，7-10nm刻蝕機設備可以與世界最前沿技術比肩。
相對於中國在光刻機上與ASML的巨大差距，在刻蝕機上國內企業不僅可以滿足本國企業的需求，還能夠進入國際市場上與應用材料、科林等國際巨頭一爭長短。而這背後，是一羣科技人才放棄美國優越的待遇選擇回國，並耗費十多年時間持之以恆的付出和努力換來的成績。
半導體設備和原材料是最大短板
半導體產業大體上可以分為IC設計、半導體設備製造、原材料、代工生產、封裝測試幾個部分。其中，封裝測試是目前發展勢頭最好的部分，國內封測廠商的領頭羊長電科技在大基金等國內資本的扶持下收購新加坡星科金朋後，一舉躋身全球封測廠商前5位，並有望在5年內趕超或接近中國台灣的日月光等封測大廠。
雖然封測和境外廠商差距較小，**晶圓代工和IC設計就相對來説弱一些。**就晶圓代工而言，國內有中芯國際和華力微等一批代工企業，而且發展勢頭也非常好，中芯國際也是全球前5的代工廠商，但在市場份額上，中芯國際只有台積電的十分之一左右，在技術上也有2代的差距，與台積電、Intel的差距非常明顯。
在IC設計上，論商業化而言，海思和展訊的銷售額位列Fabless廠商前10位，但能夠取得這個成績很大程度得益於ARM的技術授權。就自主性來説，國內也有申威和龍芯，申威26010被用於神威太湖之光超級計算機，在TOP500刷榜，龍芯多種芯片分別被用於北斗衞星、數控機牀、特種裝備、網安產品和PC、服務器，不過龍芯和申威目前在民用市場很難與X86、ARM抗衡。
相比較之下，**原材料和半導體設備就更弱一些。**雖然在PECVD、氧化爐等設備上國內已經取得技術突破並且開始進入產業化應用階段，但在很多方面，與國外廠商的差距非常大，有的甚至完全依賴進口。
就以生產芯片所有的晶圓（硅片）來説，目前市場上在使用的硅片有 6 英寸、 8 英寸、12 英寸晶圓，而晶圓尺寸越大就可以切出更多晶片，進而降低成本，除少數特殊領域外，採用大尺寸晶圓已經是大勢所趨。
然而，就是這樣一款生產芯片的原材料，國內每月需要的12英寸晶圓不少於45萬片，但這些晶圓完全依賴進口，日本越新、SUMCO、Siltronic、MEMC/SunEdison佔據了超過80%以上的市場份額。即便是 8 英寸晶圓，國產化率也僅為10%。
還有很多原材料也被國外壟斷。比如光刻膠，光刻膠由感光樹脂、光引發劑、添加劑、溶劑等組成，在光刻這個步驟中使用，能夠將掩膜板上的圖形轉移到晶圓表面頂層的光刻膠中。目前，半導體光刻膠市場也基本被JSR、信越化學、 TOK、陶氏化學等國際巨頭壟斷。
在半導體設備方面，ASML佔據了超過70%的高端光刻機市場，而且最新的產品售價高達1億美元，依舊供不應求，訂單已經排到了2018年。在離子注入機上，美國應用材料佔據70%市場份額，在塗膠顯影機方面，東京電子佔據90%的市場份額。就銷售額來看，應用材料（美國）、科林（美國）、ASML（荷蘭）、東京電子、科磊（美國）位列前五，佔半導體設備市場份額的66%。
根據估算，2015年至2020年，國內半導體產業計劃投資650億美元，其中設備投資達500億美元。而這500億美元中，有480億美元要用來從國外進口設備，換言之，就總金額來説，2015年至2020年間95%的半導體設備依賴進口。
十年磨一劍技術比肩國際巨頭
本次最讓人振奮的，就是在中國最薄弱的半導體設備方面取得了令人欣喜的成績——中微半導體的16nm刻蝕機實現商業化量產並在客户的生產線上運行，7-10nm刻蝕機設備可以與世界最前沿技術比肩。
刻蝕機是芯片生產製造的重要設備，不少網友會將光刻機和刻蝕機搞混，有的網友甚至將國內實現16nm刻蝕機量產的新聞誤讀為實現16nm光刻機量產。
其實光刻機和刻蝕機是兩種設備，光刻機的工作原理是用激光將掩膜版上的電路結構臨時複製到硅片上。而刻蝕機是按光刻機刻出的電路結構，在硅片上進行微觀雕刻，刻出溝槽或接觸孔的設備。
等離子體刻蝕機對加工精度的要求非常高，加工精度是頭髮絲直徑的幾千分之一到上萬分之一。以16nm的CPU來説，等離子體刻蝕的加工尺度為普通人頭髮絲的五千分之一，加工的精度和重複性要達到五萬分之一。
中為尹志堯
國內能夠在取得刻蝕機方面取得技術突破，和尹志堯為代表的幾十位海歸技術專家分不開。尹志堯曾經擔任應用材料的公司副總裁（應用材料是半導體設備廠商龍頭老大），參與領導幾代等離子體刻蝕設備的開發，在美國工作時就持有86項專利。
在13年前，已經60歲的尹志堯放棄美國優越的物質待遇，回國創業，尹志堯表示：“給外國人做嫁衣已經做了很多事情了，那我們應該給自己的祖國和人民做一些貢獻，所以就決心回來了”。
與尹志堯一同回來的是三十位在應用材料、科林等國際巨頭有着20—30年半導體設備研發製造的經驗的資深工程師。在回國之際，所有技術專家承諾不會把美國公司的技術，包括設計圖紙、工藝過程帶回國內，美國方面也對歸國人員持有的600多萬個文件和所有個人電腦做了徹底清查。
在回國之後，尹志堯團隊從零開始，重新研發申請了專利，終於在2008年，中微半導體的刻蝕機開始打進國際市場。對於這種情況，國外公司無法接受中國人能在3年內做出高性能刻蝕機，應用材料和科林相繼對中微半導體提起專利訴訟。在中微半導體拿出了關鍵技術的專利證據之後，兩次擴日持久的訴訟都以中微半導體獲勝告終。
隨着中微半導體的崛起，2015年美國商業部的工業安全局特別發佈公告，由於認識到中國可以做出具有國際競爭力的，而且有大量生產的等離子刻蝕機，所以決定把等離子刻蝕機從美國對中國控制的單子上去掉了。
此外，在用於生產LED照明芯片的MOCVD設備方面，中微半導體也取得了技術突破，雖然央視節目中沒有披露該設備的技術參數，但明確表明：“已經達到世界頂尖水平的產品”。而且中微半導體的MOCVD設備還有自己的特色。在此之前，市場設備大多采用400mm的晶圓托盤，中微半導體做出了700mm的晶圓托盤，這等於是在相同的時間裏，使芯片產量增加了一倍。
這款產品成功打敗了國外壟斷，由於設備性能的提高，降低了LED芯片的生產成本，LED照明產品的成本，累計降幅超過50%。目前，這種設備全球一年出貨量約為100—150台，其中的六七十台是由中微提供的。如果不是中微半導體將設備國產化，LED燈的成本不會是現在的水平。
目前，中微半導體的產值已經達到11億人民幣，產品遠銷歐洲、韓國、中國台灣、新加坡等地。
原材料上局部實現技術突破
姚力軍曾就職於霍尼韋爾公司，擔任過霍尼韋爾公司電子材料部門日本生產基地總執行官和霍尼韋爾公司電子材料事業部大中華區總裁。 2005年姚力軍帶領多名專家回國創業從事高純度濺射靶材的研發。
高純度濺射靶材是半導體芯片製造中的關鍵材料，製作芯片需要的金屬靶材純度則需要達到更高的99.9999%，目前全球只有四家公司掌握這種材料的製造工藝。
靶材的生產製造要經過反覆多次特點方向的變形，對金屬內部的微觀組織結構進行控制，這種控制決定了靶材的可靠性和穩定性，通過工藝改變了晶體的排列方式，使其適合用來做半導體芯片的方向。
在過去，高純金屬原材料依賴進口，在研發靶材的過程中，姚力軍團隊曾經試圖向美國霍尼韋爾和日本大阪鈦業購買高純鈦金屬，但國外企業根本不賣。這使得姚力軍只能自己從零開始研發高純鈦金屬和相關生產設備。並最終實現從工藝到大型設備都是國內自主設計。
比如焊接設備，鈦銅等金屬要經過700度以上高温和120兆帕壓力進行大面積焊接，整個過程需要16小時。雖然工藝還叫焊接，但實際上，是讓不同金屬在高温高壓下，通過接觸面上的原子擴散實現無縫連接，中間不需要任何焊料，這種焊接的強度可以達到200兆帕，是普通釺焊的10倍以上，只有這樣的焊接才能使材料更純淨。
以前這種加工必須送到日本去代工，加工一爐要5萬元，現在加工一爐只要8000元。再比如超高純鈦熔鑄設備，能在1800多攝氏度下提純材料，金屬鈦融化提純後，最後凝固成鈦錠，在技術上國內已經達到美國和日本的水平。目前，姚力軍的江豐電子已授權的發明專利超過140多項。全球有270家企業採用了姚力軍的高純度濺射靶材。
雖然國內在原材料和半導體設備上和國外的差距非常大，但隨着晶圓代工、封裝測試和IC設計正逐步向東亞乃至中國轉移，以及中國在這方面不斷加大投入，如果外國政府不從中作梗，半導體設備和原材料向中國轉移只是時間問題。本次國內企業在局部領域取得的技術突破，就是國內逐步實現半導體設備和原材料國產化替代的一部分，隨着時間的推移，類似的技術突破將會越來越多，並最終從量變轉化為質變。
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