轉載：瑟瑟秋風今又是——馬賓方案的擱置與中國芯片被韓國徹底反超_風聞

蕭瑟秋風今又是，換了人間。老革命馬賓擔心的最壞的局面出現了，局面不僅僅是不堪設想，而是徹底的不堪設想。28年來，美國通過芯片，剝削了中國多少血汗錢？今天中國再趕超美國的芯片產業，技術積累層面的困難程度已經高於1990年。【本文為作者向察網的獨家投稿，文章內容純屬作者個人觀點，不代表本網觀點，轉載請註明來自察網(www.cwzg.cn)，微信公眾號轉載請與我們聯繫。】

一、吳敬璉、林毅夫們崛起，馬賓等老革命家被冷落——中國芯片行業無比悲哀的轉折點

隨着中美貿易戰的開打，中興被制裁，芯片成為這場戰爭的焦點問題。在國內，各種認識和主張一時間紛紛湧出。在呼籲自主研發、奮起直追的愛國的聲音之外，卻有另外一種刺耳的聲音，那就是完全反對中國政府大力扶持搞芯片的自主研發，其中最具代表性的就是吳敬璉2018年4月份在清華的講話。

吳敬璉説：

http://tech.sina.com.cn/csj/2018-04-26/doc-ifztkpin3214995.shtml

【從網上的反映看似乎有一種危險，這種危險就是由於這個爭論使得國家主義更加取得了優勢，就是用更強大的行政力量去支持我們的有關產業，比如説有一種口號叫做“不惜一切代價發展芯片產業”。】

早在80年代初開始，以吳敬璉為代表的新自由主義、市場原教旨主義、資產階級自由化勢力，就對中國改革開放形成了嚴重的干擾、破壞，其中最重要的是就是對新中國前三十年形成的高新技術產業的破壞。中國本來比較強大的芯片產業，自85年開始就不斷萎縮，甚至被本來遠遠落後於中國的韓國和中國台灣地區趕超，其中一個關鍵原因，就是這些資產階級自由化學者勾結腐敗賣國的資產階級自由化官員進行破壞的結果，今天中國要下決心再次發展芯片產業了，他們又跳出來搞破壞。

吳敬璉覺得國家或政府不僅不該“用更強大的行政力量”去支持芯片產業，甚至他還認為如果國家或政府這麼做，對民眾來講會是一種危險，因為他認為只要國家用行政力量去支持有關產業，就會使國家主義更加取得優勢，為了反對國家主義得勢、為了鼓動自由主義，就要廢掉中國芯片產業，這是什麼奇葩邏輯？

事實上，任何一個新興的高新技術產業想要得到長足發展，國家和政府的支持（包括政策、税收、貸款以及人才等等）都是必不可少的，這幾乎在西方發達國家是常識性的，美國、日本、韓國的芯片產業，都是在政府乃至軍隊的大力扶持下才發展出來的。

如果當年運十項目沒有被新自由主義和資產階級自由化勢力摧毀，中國今天早已擁有了包括航空發動機在內的完全獨立自主的大飛機產業。同樣，依靠新中國前四十年在集成電路和信息產業方面的積累，本來今天中國也應該擁有自己的獨立自主、領先世界的芯片產業。然而，在改革發展過程中，新自由主義勢力的干擾與破壞，使除了高鐵、航天等少數產業外，包括大飛機、汽車、化工、製藥、芯片、操作系統在內的各大骨幹行業都遭受新自由主義的殘酷破壞，使今天中國在很多關鍵領域的核心技術不僅僅相對落後於80年代初的中國（即保持當時的發展勢頭到今天的狀態），甚至絕對落後於當時的中國。

以運十為例，參與運10研製的原上海飛機制造廠車間主任、上海核工程研究設計院黨委副書記任治侯同志介紹，為運10飛機研製的三釘(虎克鉚釘、環槽鉚釘，抽芯鉚釘)，高強度鏍栓，超高壓無擴口液壓接頭，當時已達美國標準，可惜的是鉚釘生產線現已沒有，廠房變成了房地產，使我國支線飛機及C919飛機的鉚釘依靠進口，超高壓無擴口液壓接頭現已用在了我國新型戰機，海軍、深潛等領域，先進程度已達到或超過美國。而據運十總體設計參與者、ARJ21飛機副總設計師賙濟證實，當年運10用的機體材料，幾十年之後的現在反倒搞不出來了。運10開始試飛用的發動機仍是B-707(PW)的JT3D，運十研製期間上海也同步研製了915發動機(渦扇8)，與運十當時使用的渦扇發動機JT3D―7的性能相當。現如今，製造915發動機的工廠現在早已轉產，為上汽集團的合資企業上汽大眾和上汽通用生產汽車配件。

也就是説，如果沒有新自由主義勢力對改革開放的干擾和破壞，中國保持新中國建國以來一直有的“兩彈一星”精神和模式發展高新技術產業，中國工業應該比現在的狀態要“厲害”得多得多——這是美國的培植的公知及公知偽裝成的五毛們都極力否認的基本事實，他們都否認新自由主義勢力對中國的經濟、金融和工業產生了嚴重的破壞。公知們説，中國當前的問題是新自由主義私有化和市場化程度還不徹底。公知偽裝的五毛們説，新自由主義市場化、私有化，包括國企私有化等等政策，已經讓中國實現了大國崛起，中國已經是帝國主義——等特朗普以中國經濟侵略美國和世界的藉口和中國打貿易戰、金融戰時，極少數中國官員才明白這些公知偽裝的五毛從2011年開始鼓吹中國已經是帝國主義國家的原因。這些公知偽裝的五毛鼓吹，為了使國家強大挑戰美國，要繼續過去的新自由主義市場化、私有化模式。

早在90年代初開始，許多愛國學者及以馬賓（建國後歷任鞍山鋼鐵公司總經理、冶金工業部副部長、國家進出口委員會副主任、國務院經濟研究中心副總幹事）為代表的黨內老革命家都主張發揚兩彈一星精神，大力發展以IT產業為核心的高新技術產業，爭取迎頭趕上發達國家，縮小中國與發達國家的經濟技術差距。

而以林毅夫為代表的新自由主義經濟學家從一開始就極力反對這種做法。林毅夫於2000年6月公開發表的《信息產業發展與比較優勢原則》一文中建議：

【IT技術的研究開發目前主要集中在美、歐、日本等高度發達國家，主要元件像計算機中央處理芯片的生產，除了高度發達的國家之外，一些中等發達國家和經濟如韓國、馬來西亞和我國的台灣省也佔有相當的份額，至於發展中國家在IT技術的生產上一般只是最終產品如計算機、鍵盤、顯示器的組裝，和外殼或一些簡單電子元器件的生產。……當核心技術開發出來後的大規模生產上，所需的資本投入仍然很大，但和研究開發相比就小得多了，以計算機的芯片為例，每條生產線的投資大約要10多億美元。最終產品的組裝和簡單電子元器件的生產則相對來説屬於勞動密集型的。……我國還是一個資金相對稀缺的發展中國家……我國不應該也不可能傾全國之力，不惜一切代價強行和IT產業的幾家大公司競爭，研究開發他們正在研究開發的技術、產品。……我國現階段的比較優勢是勞動力多、勞動力價格相對便宜，因此，現階段在IT的硬體產業中的定位應該是大力開發以組裝為主的產品】

林毅夫認為，

【違背一國的比較優勢去進行產業和技術上的趕超，結果總是欲速則不達。……我國發展層次還很低，所以很容易使人產生急躁情緒，但是，經濟發展有其自身規律，拔苗助長是要不得的。絕對不能一時頭腦發熱而不顧經濟全局，孤注一擲地舉全國之力於少數幾個我國目前並不具備比較優勢的領域，這方面我們吃的苦頭夠多的了。】

林毅夫還拿韓國三星的芯片來嚇唬中國：

【韓國企業的發展模式通常和三星電子相似，追求等級較高，資金密集程度超過其資源秉賦的技術和產品，必須依靠外債來補充其國內資金之不足，結果利潤率較低。在1997年時，韓國30家主要企業集團的平均負債率為350%，有些竟然達到1200%，而資金利潤率卻非常低，達不到0.5%，當國外的金融風波一起，外國銀行和投資者看到韓國企業利潤率低，對還本付息失去了信心，不再給予新的信貸，並開始回收資金時，這些大型企業集團立即陷於岌岌可危的狀況，韓國經濟也立即應聲而倒，出現危機。……在1997年開始的這場亞洲金融危機中，韓國是亞洲四小龍中受創最重的經濟，其原因是自70年代末以來，韓國經濟漸漸偏向趕超戰略，熱衷扶植大企業去發展資本密集程度超過其要素秉賦結構的產業，結果，生產的產品的成本較發達國家的同類產品成本高，在市場競爭中盈利能力低，甚至虧損嚴重，導致高額負債，當國內資金不足時，積累了大量的外債，在其它國家發生金融風潮時，也就難逃骨牌效應的影響，而使國民經濟的發展受到極大的傷害。】

今天來看，如果韓國當年不是因為在芯片技術上爭得了一席之地，在今天手機業務萎縮的情況下，怎麼可能在今天繼續保持發達國家地位？自始至終，韓國、日本、德國及美國政府沒有采納林毅夫之類的新自由主義經濟學家的比較優勢建議，而是採用政府扶持趕超+高關税的李斯特模式發展自己的核心產業，這是他們能夠從落後的發展中國家變成發達國家的根本原因。

從歷史進程來看，當年的中國接受了吳敬璉、林毅夫們的建議，而否定了馬賓、高梁等人的建議。除了鐵路和航天兩個領域外，當時中國絕大部分掌握核心技術的體制內骨幹，都在新自由主義勢力打擊、摧殘下流失。在80、90年代，中國許多本來生機勃勃的高新技術產業和項目被人為地廢止、下馬。在當時國企聯想發展路線問題上，柳傳志也趕走了倪光南。這是中國IT行業無比悲哀的一個轉折點，這就是中國今天只有一個華為的原因。

古人云，以史為鏡，可以知興替，我們不妨從世界各國半導體及集成電路產業的發展歷史中，找到一味治療中國“芯”痛的藥。

二、半導體產業在美、日等國的發展離不開政府（尤其是軍方）的支持

美國是當今世界微電子技術的領跑者，以其經濟、科技實力和高強度創新機制，穩居全球領導地位，處於半導體產業鏈條的頂端。但這樣的主導地位，絕不是放手讓私營企業自負盈虧，天然發展而得來的。

學者高梁在《挺起中國的脊樑——全球化的衝擊和中國的戰略產業》一書中正確地指出：

【半導體制造技術在美國起步時，首先是用於軍事目的。20世紀60年代中期，美國投入大量人力物力，搞了民兵導彈、阿波羅導航計算機以及W2F飛機數據處理器三大工程，將集成電路的可靠性提高了100倍，也促進了器件基礎（設計、工藝、測試評價、組織管理）的完善，半導體產業由此跨入大規模生產的門檻。1987-96年，美國半導體工業年增長率15.7%，3倍於國民經濟的增長速度；該國GDP增長部分的65%以上與微電子技術有關。】

集成電路技術在美國出來後，市場並不看好，是軍方促進了其使用、發展。美國政府為了保障軍用導彈可靠性及其元器件的質量，投入了巨大的資金和人才力量。這一舉措使得集成電路的可靠性提高1000倍，不僅促進了集成電路技術的大發展，實現了集成電路工業化大生產。

據馬賓（原鞍鋼總經理、總工程師，改革開放後歷任冶金工業部副部長、國家進出口委員會副主任、國務院經濟研究中心副總幹事等）在1993年夏寫的《電子信息產業的作用與發展》一書中介紹，美國的集成電路產業和SEMI標準的出現，是美國“民兵Ⅱ”導彈的產物：

【1964年-1966年美國“民兵Ⅱ”導彈的可靠性保證計劃和元件質量保證計劃，投入大量入力物力和財力，經過這二年時間，使集成電路的可靠性提高1000倍。“民兵Ⅱ”可靠性計劃的實現，對於集成電路的發展是一個很大的促進。它不僅促進了集成電路的可靠性水平的大幅度提高，更重要的是促進了支撐產業技術基礎、設計基礎、工藝基礎、測試評價基礎和組織管理基礎的進一步完善，從而促進了集成電路技術的大發展，實現了集成電路工業化大生產。】（《電子信息產業的作用與發展》，馬賓著，電子工業出版社1995年7月第一版，58頁）

上述這些軍方的投入，不僅直接促進了集成電路技術在短時間內的跨越式發展，更為之後半導體設備和材料學會(SEMI)的成立打下了堅實基礎：

【美國各大公司在此基礎上，於1970年成立了一個“半導體設備和材料學會( Semiconductr Equipent and Materials Institute)"。爾後發展成為一個跨國國際性組織，到目前為止，已有成員1200個。包括了世界各國主要的半導體器件生產產廠家(公司)及其支撐產業的廠家(或公司)。】（《電子信息產業的作用與發展》，馬賓著，電子工業出版社1995年7月第一版，58頁）

而作為全球最權威的集成電路國際標準組織，SEMI標準在整個集成電路發展史上都具有舉足輕重的作用：

【這個學會溝通了半導體生產行業與支產業之間相互的技木信息交流，減少了行業之間的隔閡，使得支擇產業的技術水平與半導體器件(持別是集成電路)生產同步發展。這個學會的1200個成員，每年竟派出300名專家參加制定一份既為支撐產業接受也為半導體生產廠家認可的SEMI標準。這份標準具有較高的科學性、先進性和權威性。半導體工業是一個發展很快的高技術產業，新技術新產品層出不窮。有關半導體科學技術方面的知識，每年都在成倍地增長。而SEMI標準緊密配合科學技術的發展，適應了半導體工業飛速發展的需要，確保了新的知識和技術能以標準的形式在科研生產中得到廣泛的應用、從而加速了半導體工業生產的發展。】（《電子信息產業的作用與發展》，馬賓著，電子工業出版社1995年7月第一版，58-59頁）

為了能夠實現領跑全球集成電路產業，那美國又是怎樣的呢？

首先，他們對政、產、學、研之間有計劃的協同創新很重視。芯片產業的起步和發展需要來自各個方面的巨大投入和長期支持，絕非一朝一夕能夠完成。因此，美國政府將有計劃的協同創新，視為國家信息化戰略的重要基礎，並通過一系列政策（税收、財政、科技等）的總攬和引導，加強了全社會對信息化關鍵技術深入持久的支持，逐步形成了政府、產業界、學術界和各種社會力量深度協同合作的體系。

其次，美國還非常重視制定政策，加大對科技人才的引進和保護。除了高薪之外，在硅谷乃至全美國範圍內，專精尖的高技能人才，能夠在企業和院校間自由流動，極大的促進了技術的創新進步。此外，美國政府、企業、科研機構等利用資金和環境優勢，採取人才掐尖戰略，廣泛吸納國外IT的高精尖人才。美國的高新技術公司，在各國廣泛撒網，觸角甚至伸到其他國家的教育領域，甚至一度與某些專業研究協會深入合作。對一切有科研潛質的人才，在早期就進行干預，一旦可以收穫，第一時間掐尖。比如：文明遐邇的德州儀器（TI）公司，就與中國的全國電子設計大賽長期合作，資助全中國的電子相關專業的大學生參加比賽，以選拔有創新設計能力的人才，定向資助和培養，以期為TI公司的發展甚至美國芯片產業的發展服務。

由於其重要戰略地位，半導體產業從來就是發達國家競相爭奪的戰略制高點。延續10年之久的美、日半導體貿易戰，就是最典型、最著名的案例。日本的集成電路產業，是在日本政府的大力支持下以及產業政策的協調下才發展起來的。在80年代末，曾經一度打敗美國。當美國人認為，日本半導體芯片的崛起已威脅到了它的產業利益和國家安全，就運用國家投入扶植產業的方法奪回了失地。

高梁在《挺起中國的脊樑——全球化的衝擊和中國的戰略產業》一書中指出：

【1970年代，日本政府認定半導體產業的重要戰略價值，制定了產業發展政策，組織官產學研協同搞技術攻關，及時搶佔了新一代關鍵設備這個制高點，瞄準工業控制和消費類電子這兩個市場空檔，在國際市場奠定了可與美國比肩的半導體強國地位。到1980年代末，日本的半導體國際市場份額一度超過了美國，以致1990年的海灣戰爭，美國導彈中的很多核心芯片，都不得不依賴日本貨，這使美國人感到，日本半導體芯片已威脅到美國的產業利益和國家安全。在這種情況下，一貫標榜奉行“自由貿易”、“自由競爭”原則的美國，毫不猶豫地拿起貿易壁壘和產業政策這兩個武器，抵制日貨，制定產業發展戰略，用市場保護、税收信貸優惠、政府資助組織企業研發等典型的“通產省”式手段，大力扶持本國半導體產業。經過大約10年的貿易戰，終以美國奪回主動權告終。】

日本半導體專用設備的發展速度如此之快，是與其政府的重視和大力扶持分不開的。日本不僅針對電子工業的振興專門立法，把對集成電路產業的扶持計劃落實到了法律層面；更是由政府直接出資（佔產業總研發投入的近一半，達300億日元），推進集成電路技術研究的快速發展：

【日本政府在其電子工業振興法中對半導體集成電路的發展給予了許多優惠措施，其中包括減免税收和提供優惠貸款並制定了相應的振興計劃，對重點的研究項目在保證資金的情況下集中力量攻關保證在一定的期限內完成。在日本通產省的主持下，日本最大的五家計算機企業(也是半導體企業)東芝、日立、三菱電機、H本電氣、富士通出資400億日元、並從政府得到補助金300億日元，設立超大規模集放電路研究的特別機構(組合)，並在政府主持下組織了各種種IC專用設備的聯合開發體。】（《電子信息產業的作用與發展》，馬賓著，電子工業出版社1995年7月第一版，40頁）

馬賓1990年就指出，日本為何能以如此驚人的速度發展成為世界半導體生產大國、強國呢？其原因是：

【1、日本從1957年～80年代初先後須布並實施了“電振法”、“機電法”、“機信法”，大大促進了日本電子信息業及傳統產業的改造；2、據日本通產省對國內12家主要半導體公司調查，1975年-1985年間設備投資年均增長率為4.6%，居各產業之首。研究開發費用同期年均增長率為28%，開發研究費用佔銷售額的比例1980年為12.6%，1985年達到14.1%。近幾年日本又開始增加對基礎研究之投資，其款額已佔到國民經濟總值的1%；3、大力開展市場調査及分析、根據市場變化及時調整產品結構，大力開發試銷對路的新產品；4、實行官、產、學、用、軍幾位一體的科研、生產、應用體。比如1976年-1979年日本製定並組織實施了LSI開發研究試製聯合攻關計劃，在短時間裏取得了同大成效。當時不僅在日本國內，就連國外也引起了強烈反響，因為這是一次重大的技術突破。】

以光刻機為例，日本政府聯合企業、有關研究所以及大學，成立了特別研究機構——日本超大規模集成電路組合技術研究所(簡稱“共同所”聯合體)，不惜投入巨資，經過十幾年的努力，終於將美國光刻設備的霸主GCA公司等擊敗，在上世紀90年代一度成為該領域的領跑者。

【日本1974年在政府大力支持下，日本通產省聯合了日立、東芝和Nikon等幾家大企業集團，其中組織了有關研究所和大學，走“產學研”聯合自主研製開發專用設備的道路，成立了有名的日本超大規模集成電路組合技術研究所(簡稱“共同所”聯合體)集中技術優勢，主攻日本第一代五種關鍵專用設備，即分步重複投影光刻機(SR-1,SR-2型)、電子曝光機(EB-1型)、離子刻蝕機、掩模缺陷自動檢測設備、1:1反射投影式光刻機等。經過4-5年努力先後研製成功樣機，為日本後來自主發展集成電路專用設備奠定了基礎。80年代以來，日本加快了投影光刻機等關鍵光學專用設備研製與開發步伐，以世界著名的光學儀器公司Nikon和Cannon公司為核心，每隔兩三年推出新一代的光學專用設備。由於特別注重產品質量並以微電子工藝單位(企業)相依託，實用化的週期大為縮短並在價格競爭上佔有優勢，很快拓展了市場，在激烈的競爭中將美國光刻設備的霸主GCA公司等擊敗，雄居該領域的領先地位。】（《電子信息產業的作用與發展》，馬賓著， 電子工業出版社1995年7月第一版，62頁）

日本集成電路產業的發展歷史，給了我們很大的啓示。即只要國家給予足夠的重視和扶植，制定正確的產業發展政策和保護政策，整合本國產業資源和人才，投入充足的發展資金，那麼在集成電路的世界市場競爭中，相對落後的國家也能夠對美國這樣的行業領跑者實現追趕和超越。

上世紀八九十年代，日本的集成電路產業非常強大。然而由於1985年廣場協議的簽訂，以及日本對美國自由市場經濟的採納，給日本高新技術產業的發展帶來了極大地不利影響。進入新世紀後，日本Nikon的高端光刻機逐漸被荷蘭的阿斯麥公司（ASML）擊敗。

阿斯麥(ASML)是專注於光刻機研發和製造的設備商，總部位於荷蘭費爾多芬市。1984 年，阿斯麥由飛利浦與荷蘭國際先進半導體材料公司合資成立。當時硅谷集團、Nikon和 Cannon等十幾家光刻機公司，實力均在阿斯麥之上。阿斯麥在成立當年，做出第一台油壓驅動光刻機PAS2000，但PAS2000的技術已嚴重過時。之後依託飛利浦原有的技術積累以及其他合作伙伴的支持，阿斯麥於1986年製造出PAS2500/10機器。1990年，阿斯麥光刻機銷量進入世界前三甲。然而，在阿斯麥公司發展進入快車道的同時，也面臨重重危機。1990 年，合資一方國際先進半導體材料公司退出阿斯麥。1991年，阿斯麥虧損970萬荷蘭盾。1992 年，世界半導體產業滑坡，阿斯麥資金鍊斷裂，幾近關門。1995年，阿斯麥分別在阿姆斯特丹泛歐股票交易所和美國納斯達克股票交易所上市。1998年，阿斯麥出品 PSA5500/900型光刻機，成為世界第二大光刻機制造商。2002年，阿斯麥光刻機佔世界市場份額50%，成為全球第一。從20世紀90年代中期開始，阿斯麥進一步確定了模塊化戰略採購政策，編制清晰規範的外包合作協議，牢牢趕超、突破、把控光刻機最核心的技術，核心部件自制，其餘部件採取模塊化公開採購。

阿斯麥(ASML)也是在政府及相關機構的大力扶植下才能夠發展起來的。阿斯麥公司在其成立的最初幾年，依賴飛利浦，靠貸款和政府補貼生存。從20世紀80年代起，阿斯麥就主持和參與了尤尼卡、歐洲信息技術戰略研究計劃下的數個合作研發項目，從而早期掌握了自主研發PAS5500系列機器的重要技術。2004年，為了開發出極紫外光源所需電能裝置，阿斯麥從歐盟第六框架研發計劃中獲得2325萬歐元的資助，與15個歐洲公司、10個研究所和3所大學一起，開展了為期3年、題為“More Moore”的項目。2010-2012年，阿斯麥的合作研發項目從歐盟、荷蘭、美國政府機構獲得的資助金額分別為2950萬歐元、2510萬歐元和1790 萬歐元。長期以來，圍繞光源和刻蝕技術，阿斯麥得到政府長期、穩定的支持。（見《光刻機行業巨人的成長帶來的啓示和思考》，《中國基礎科學》2015年06期）

由此可見，非但國家和政府對芯片產業的扶持不是危險的，反而是對該產業甚至是國民經濟的發展大大有利。由歷史可見，不僅產業落後的國家，可以通過國家集中人力、物力、財力不斷發展超越他國，而且產業先進的國家，非得用政府持續扶持的方法，才能保證該產業長期領先於他國。

三、集成電路產業地發展需要長期的大量的有針對性的投資以及科學的產業佈局

如今作為世界半導體和集成電路產業第二把交椅，韓國在美國形成產業16年、日本11年以後，於1977年才開始建立自己的半導體產業。作為一個後來者，要對付兩個已佔領國際市場的對手，能在已經被瓜分的世界市場上站穩腳跟，根本不是放任本國私營半導體企業自然發展就能辦到的。

馬賓早在1990年8月的《像老一輩無產階級革命家抓“兩彈一星”那樣，下決心把電子信息工業抓上去！》一文中就曾研究過韓國集成電路產業崛起的秘訣：

【三星(SUMSANG)公司於1980年開始投資3億美元，從美國引進全套設備、技術，用種種辦法吸引日本科技人員，於1983年成功地生產出64K DRAM並投放世界市場。當時,存儲器的市場為美、日兩國壟斷，而且進入成熟的工業生產，價格已降到平衡價格。南朝鮮三星64K DRAM的生產成本一開始為國際市場價格的4-5倍；而集成電路是高科技商品，商業一技術信譽比價格還重要。

作為新加入的競爭者面臨：要麼因質次價高打不開市場而停產，承擔高額投資失敗的損失；要麼降價銷售，咬着牙承擔鉅額銷售虧損，在巨大壓力下完善科研-生產-經營的一切環節，爭取生存下去，爭取發展，爭取下一輪比賽的資格，爭取綜合國力上一個台階，獲得全面、長遠的戰略利益。南朝鮮企業在國家的干預下選擇了後者。

緊接着，三星集團在1984-1985年間連續投資6.5億美元引進3微米集成電路設備，於1987年批量生產256K DRAN進入國際市場，接着在1986--1988年度以1微米為目標投資6億美元，於1988年底1M DRAM進入批量生產，並於1989年3月試製成4M DRAM(線寬0.8微米)。三星集團從1983年64K DRAW進入國際市場，直到1988年利用日、美半導體摩擦而造成256K DRAM缺貨，價格上漲的機遇，於1988年10月份第一次使集成電路的生產擺脱了虧損。】

（見《發展、改革的兩個關鍵——高技術產業化與反腐敗》19頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

美國經濟學家曼昆，在他的西方經濟學教科書中也曾指出，日本在生產汽車上有比較優勢，美國在生產食物上有比較優勢。因此，日本應該生產多於自己使用需要的汽車，並把一些汽車出口到美國；美國應該生產多於自己消費需要的食物，並把一些食物出口到日本。但是，如果比較優勢理論真的成立的話，為什麼美國沒有變成一個農業國呢？其實馬克思早已經就此指出：就使用價值來看，交換雙方都能得到利益，但在交換價值上，雙方都不能得到利益。實際上，比較優勢理論把使用價值當作是商品生產的進而也是市場經濟的目的。正如馬克思指出的那樣：

【有人對我們説，自由貿易會引起國際分工，這種分工將規定與每個國家優越的自然條件相適宜的生產。先生們，你們也許認為生產咖啡和砂糖是西印度的自然秉賦吧。二百年以前，跟貿易毫無關係的自然界在那裏連一棵咖啡樹、一株甘蔗也沒有生長出來。也許不出五十年，那裏連一點咖啡、一點砂糖也找不到了，因為東印度正以其更廉價的生產得心應手地跟西印度虛假的自然秉賦競爭。而這個自然秉賦異常富庶的西印度，對英國人説來，正如有史以來就有手工織布天賦的達卡地區的織工一樣，已是同樣沉重的負擔。《馬克思：關於自由貿易的演説》】

因為西方經濟學比較優勢理論本質上是為先發國家資本服務，根本無法科學地解釋國際易利益在國家間（尤其是發達國家和發展中國家之間）的分配差距。遵從比較優勢論參與國際分工與貿易的發展中國家，必然受到掠奪與剝削。過去幾十年來，實踐的結果也表明，比較優勢論只會導致中國的產業越來越陷入產業分工的低端部分。國際貿易利益分配的差別在於，國際交換的結果是價值財富從發展中國家落後國家向發達國家轉移。

因此，發展中國家（也包括其他一切後進國家）要擺脱和避免在國際上受剝削的地位，實現自己的經濟發目標，根本出路在於堅持獨立自主研發，自力更生的發展原則，加快實現對外經濟發展方式的轉變，積極參與到世界分工上游的競爭中去。正因為明白了這一道理，技術落後的韓國並沒有放棄芯片的自主研發，而是下了大力氣及早的進入了這一產業，不惜一切代價，對美日這兩個強國進行追趕：

【三星集團依靠集團內傳統產業和電子整機類產品的利潤支持，到1988年底，一共投資17億美元，承擔高達5億美元的早期鉅額虧損，建成了有競爭力的集成電路產業，1989年集成電路銷售額達15億美元；月產1M DRAM 680萬塊。1990年1-6月份月產4M DRAN10萬塊，預計年銷售額達20億美元。使整個三星集團成功地實現了產業結構現代化，綜合競爭能力上了個台階。韓國的金星(Gold Star)、大宇(Daewoo)、現代( Hyundai)三大集團也都和三星相類似地實現了這樣的發展過程。南朝鮮全國四大企業集團到1988年底，以累計投資47億美元，虧損16億美元為代價，使得1988年南朝鮮集成電路銷售額44億美美元，出口39.4億美元，1990年銷售額將達54.1億美元，出口達46.8億美元(據南朝鮮產業研究院(KIET)公佈的數字)，綜合生產一技術水平僅和日本差一年，收到了相當好的長遠效果。】（見《發展、改革的兩個關鍵——高技術產業化與反腐敗》20頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

圖為1984-1987年韓國半導體工業投資情況，截自《電子信息產業的作用與發展》馬賓著44頁

只有企業自己的投資是遠遠不夠，哪怕這個企業在其他領域盈利足夠支撐集成電路產業發展的需求，作為私營企業，盈利是唯一的追求，韓國政府認清這一點，既立足於產業長遠競爭，積極引導企業自己投資研發，又利用政府財政支持，直接投資：

【為了追趕先進國家，從1975年起到1984年前，南韓平均每年對半導體工業投資1億多美元。而1985年投資超過11億美元。此後，每年約有4-5億左右美元投資。這樣，到1984年，南韓半導體生產已成為13億美元的大產業，與汽車工業一起被政府當局定為新型輸出戰略產業。1986年，南韓成了居世界第二位大規模生產256K DRAM的國家。為了改變南韓電子工業過分依賴元器件進口，特別是關鍵性元器件以來進口的狀況，政府當局於1986年提出了“加強元器件自產能力”，並計劃於“六五”(1987-1991)期間由政府投資40億美元從國外引進元器件生產技術。】（見《電子信息產業的作用與發展》44頁 馬賓著 電子工業出版社1995年7月第一版）

由此可見，芯片產業發展是耗資巨大的，必然的是，近期的乃至中長期的經濟效益並不會高，甚至是虧損的。特別是一個落後的國家要進入這個領域，對發達國家進行趕超，在早期階段甚至是要承受鉅額虧損的。高投入，長期投入，針對產業化發展的投入是不可避免的。

隨着產業的發展和壯大，有的時候不僅不會有收益，反而投資和虧損的額度會越來越大。再以日本為例：

【1978年一1989年設備投資年平均增長率在70%以上，1988年度八大公司，投資達41億美元；全世界設備銷售額1989年高達91.7億美元(以上數字僅為設備投資，尚不包括超淨廠房、動力系統的投資和必要的軟技術費用)。】（見《發展、改革的兩個關鍵——高技術產業化與反腐敗》18頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

如果忽略或者乾脆沒有認清這一規律，會因遲疑錯失投資和發展的時機，甚至一旦停止新的投資，之前的投入都會白費，這是得不償失的。比如：

【聯合歐洲亞微米硅計劃(JESSI)執行兩年來，技術上取得了重大進展,西門子公司( SIEMENS)4M DRAM，荷蘭菲利浦公可(PHILIPS)1M SRAM(靜態隨機存儲器，0.8微米技術)都已投入生產。但是，由於無力應付隨之而來的鉅額虧損，於今年八九月相繼宣佈停產，造成重大經濟損失(僅菲利浦用於1M SRAM的科研經費就高達2億美元)並被迫退出JESSI計劃。執行JESSI的三大公司只剩下法國湯姆遜公司，耗資45億美元的JESSI面臨天折的危險。】（見《發展、改革的兩個關鍵——高技術產業化與反腐敗》20頁 馬賓著 中國國際廣播出版社 1991年10月第一版）

如果當年JESSI能夠持續得到政府（或者歐盟）出資支持，頂住鉅額虧損，繼續投入研發，那麼現在歐洲就能在被美日韓壟斷的芯片和存儲市場有更大的一席之地。當然，歐洲沒有像中國1980年代那樣，全盤皆輸。飛利浦公司收縮研發線，在有限的資金下，保證了光刻機能夠繼續研發，最終成就了阿斯麥公司的光刻機技術的飛躍。阿斯麥公司正是依託飛利浦保存下來的這條產品線，並依靠上萬億歐元的貸款和政府補貼，投入十幾年時間，與眾多科技公司、研究所以及大學合作，才最終在21世紀初漸漸超越了日本的光刻機技術。

四、集成電路，新中國曾經有這樣的輝煌——前三十年我國集成電路事業的自主趕超路線和成就

新中國建國後的第一個三十年，我國計算機和集成電路事業在自主趕超路線的主導和公有制科研、生產體系的統籌下，從無到有，初步建立起了獨立完整的產業體系，不斷縮小與日本、美國的差距，比韓國起步早，發展快，對今天的芯片產業自主研發仍有重要的啓示。

1、科研和生產佈局：集中攻關，遍地開花

科研和生產配置方面，早在建國初期，1950年抗美援朝戰爭爆發後，為解決軍隊電子通信問題，國家成立電信工業管理局，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（京東方前身），由民主德國（東德）提供技術援助。酒仙橋還建起了規模龐大的北京電機總廠、華北無線電器材聯合廠（下轄706、707、718、751、797、798廠）、北京有線電廠（738廠）、華北光電技術研究所等單位。在1952年，中國便成立了電子計算機科研小組，由當時的數學研究所所長華羅庚負責。

1956年，中國提出“向科學進軍”，國家制訂了發展各門尖端科學的“十二年科學技術發展遠景規劃”，把計算機列為發展科學技術的重點之一，並籌建了中國第一個計算技術研究所。根據國外發展電子器件的進程，提出了中國也要研究發展半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。從半導體材料開始，自力更生研究半導體器件。為了落實發展半導體規劃，中國科學院應用物理所首先舉行了半導體器件短期訓練班。請回國的半導體專家內昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制技術和半導體線路。參加短訓班的約100多人。

當時國家決定由五所大學-北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學半導體物理專來，共同培養第一批半導體人才。五校中最出名的教授有北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德和吉林大學的高鼎三。1957年就有一批畢業生，其中有現在成為中國科學院院士的王陽元（北京大學）、工程院院士的許居衍（華晶集團公司）和電子工業部總工程師俞忠鈺等人。之後，清華大學等一批工科大學也先後設置了半導體專業，培養了大批專業人才。

1958年，上海組建華東計算技術研究所，及上海元件五廠、上海電子管廠、上海無線電十四廠等企業。使上海和北京，成為中國電子工業的南北兩大基地。1960年，中國科學院在北京成立半導體研究所，集中了王守武博士、黃昆博士、林蘭英博士等著名海外歸國專家。同年組建河北半導體研究所（後為中電集團第13所），進行工業技術攻關。

到六十年代初，中國半導體器件開始在工廠生產。此時，國內搞半導體器件的已有十幾個廠點。當時北方以北京電子管廠為代表，生產了II-6低頻合金管和II401高頻合金擴散管；南方以上海元件五廠為代表。

1961年我國第一個集成電路研製課題組成立。1962年由中科院半導體所，組建全國半導體測試中心。1963年中央政府組建第四機械工業部，主管全國電子工業（1982年改組為電子工業部），由通信專家王諍中將任部長。1968年，我國組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業中的“兩霸”。

中國早期電子工業，主要以軍事項目為牽引，研製軍用航空電子設備、彈道導彈控制設備、核武器配套電子設備、軍用雷達、軍用通訊器材、軍用電子計算機等產品。1958年開始研製東方紅衞星後，又將防輻射級太空電路列入研究項目。民用電子產品以收音機為主。70年代初，受國內外微電子業迅速發展的影響，加上集成電路的利潤豐厚，國內出現一股電子熱潮，全國建設了四十多家集成電路工廠，包括四機部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風光電工廠）和4435廠（湖南長沙韶光電工廠）等，各省市另外投資建設了大批電子企業，為以後進行大規模集成電路的研究和生產提供了工業基礎。

2、科研和生產成果：自力更生，逐漸縮小同國外差距

在科研和生產成果上，前三十年我國整體上緊跟世界相關領域的先進成就，不斷縮小同發達國家的距離，下面是幾個具有標誌性的成果比較：

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。國外最早是在1947年，美國貝爾實驗室發明了半導體點接觸式晶體管。中外差距：10年。

1963年（一説1962年），河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。平面工藝技術是半導體元件製作中的一個關鍵環節，是製作集成電路的基礎。國外最早是在1958年，由仙童半導體公司(Fairchild Semiconductor，也譯作“飛兆公司”)首先發展出平面工藝技術。中外差距：5年。

1962年，為解決晶體管制造難題，中國人民解放軍軍事工程學院四系四○四教研室康鵬（25歲）臨危受命，成功研發“隔離-阻塞振盪器”（後被命名為康鵬電路），解決了晶體管的穩定性問題，使中國比美國晚近8年進入晶體管時代。

在解決晶體管制造難題後，哈軍工（由慈雲桂主持設計）成功研製出新中國第一台全晶體管計算機441B-I於1964年誕生，比美國第一台全晶體管計算機RCA501只晚了6年。441B計算機1966年參加北京的計算機展覽，恰逢邢台大地震，在地震中穩定運行。

1964年，吳幾康成功研製119計算機，該計算機運算能力為每秒5萬次，運算能力略強於美國於1958年製造的IBM 709計算機，IBM 709計算機的運算能力為每秒4.2萬次。119計算機同1965年研製成功的109機，在我國研製氫彈的歷程中立下很大功勞，被稱為“功勳機”。

1965年12月，河北半導體研究所召開鑑定會，鑑定了第一批半導體管，並在國內首先鑑定了DTL型（二極管―晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966年底，在工廠範圍內上海元件五廠鑑定了TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路產品。DTL和TTL都是雙極型數字集成電路，它們的研製成功標誌着中國已經制成了自己的小規模集成電路。國外最早：1958年-1959年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研製發明了半導體集成電路，1960年仙童半導體研發了第一塊商用集成電路。中外差距：5-7年。

有了初級規模的集成電路，就有了製造第三代計算機（中、小規模集成電路）的基礎。中國第一台第三代計算機是由位於北京的華北計算技術研究所研製成功的，採用DTL型數字電路，與非門是由北京電子管廠生產，與非驅動器是由河北半導體研究所生產，展出年代是1968年。國外最早是在1961年，德州儀器為美國空軍研發出第一個基於集成電路的計算機，即所謂的“分子電子計算機”。中外差距：7年。

與雙極型電路相比，MOS（金屬氧化物）電路具有電路簡單、功耗低、集成度高的優勢。 1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬氧化物半導體）電路，拉開了我國發展MOS電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研究所（現電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路，之後又研製成CMOS電路（互補型MOS電路）。國外最早：1960年，美國無線電（RCA）製造出金屬氧化物半導體晶體管。1962年，美國無線電（RCA）製造了一個實驗性的MOS集成電路器件。1963年，仙童實驗室研製成CMOS電路。中外差距：6-7年。

1972年，我國自主研製的大規模集成電路在四川永川半導體研究所誕生，實現了從中小集成電路發展到大規模集成電路的跨越。國外：1971年，Intel（英特爾）推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），包含2000多隻晶體管，標誌着大規模集成電路出現。中外差距：1年。

1975年，北京大學物理系半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態隨機存儲器，它比美國英特爾公司研製的C1103要晚五年，但是比韓國、台灣要早四五年。此時，台灣才剛剛在向美國購買3英寸晶圓廠。

1975年，上海無線電十四廠成功開發出當時屬國內最高水平的1024位移位存儲器，集成度達8820個元器件，達到國外同期水平。到上世紀70年代末，我國又陸續研製出256和1024位ECL高速隨機存儲器，後者達到國際同期的先進水平；可以生產NMOS256位和4096位、PMOS1024位隨機存儲器；掌握了對於大規模集成電路製造起着重要作用的無顯影光刻技術，可用於製造分子束外延設備。

總體來看，在這個時期，雖然美國計算機發展迅猛，但中國同行追得也很快，從無到有，差距逐漸縮小，甚至在某些局部領域追平西方，達到先進水平。中科院上海冶金所還獨立發展了製造集成電路所需要的離子注入機，並出口到日本。

截至70年代末，中國科研人員和產業工人發揚自力更生、自強不息的精神，建成了中國自己的半導體工業，基本掌握了從單晶製備、設備製造、集成電路製造的全過程技術。在當時，只有美國、蘇聯掌握從單晶製備、設備製造、集成電路製造的全過程技術，雖然日本技術很強，但個別領域被美國限制和閹割。而此時，韓國、台灣才剛剛起步。

3、前三十年集成電路事業迅速趕超發展的經驗

總結新中國前三十年集成電路事業的趕超發展，有幾點經驗值得今天學習（專業研究產業問題的學者鐵流對此有很好的總結，筆者也頗為認同，以下部分參考了其文中的一些觀點或論述）：

A.是堅持自主研發的趕超路線。

貫穿前三十年技術進步的是自力更生，艱苦奮鬥的精神。50年代，即使我國已經引進了蘇聯的技術資料，依舊保留自己的技術研發團隊，例如夏培肅於1954年即着手基本邏輯電路的設計、試驗和運算器、控制器的邏輯設計，這為我國同蘇聯交惡後自主研製計算機打下了堅實的基礎。此後，中國的科研工作人員在沒有外援的情況下，自力更生，完成了一個又一個技術攻關。從有國外留學經驗的老科學家，到共和國自己培養的年輕科研人員，都發揮了極大創造力，例如前述25歲就研發出“隔離-阻塞振盪器”，解決重大技術難題的康鵬。

這一時期，中國也抓住有利時機從國外引進先進技術設備。進行充分消化吸收。但無論是50年代末引進蘇聯技術資料，還是70年代通過特殊渠道少量購買歐美先進設備，走的是都“消化吸收、融會貫通、推陳出新、舉一反三”的路線，技術引進不僅沒對自主技術造成衝擊，反而使其融入自己的工業體系中，使中國自主技術更上一層樓。

70年代，通過購買國外單台設備，我國自己組建了三條生產線，以緩解國內製造計算機的迫切需要。1972年美國總統尼克松訪華後，中國開始從歐美引進技術。對於當時屬於高科技領域的半導體產業，中國雖然始終無法從官方途徑大規模引進半導體設備和技術資料，但也通過特殊渠道少量購買單機設備，並將其消化吸收後，大量仿製，推陳出新，搭建了自己的生產線。

在此期間，西方有意遏制中國尖端技術的發展勢頭，1973年我國7個單位分別從國外引進單台設備，以期建成七條3英寸工藝線，但由於歐美技術封鎖等各種因素，最終拖了7年才引進，引進時已經落後於國際先進水平。這也説明不論什麼時候，什麼條件下，堅持自主創新為主始終是第一位的。

B.是重視科研投入和科研人才培養。

新中國前三十年的社會主義建設時期，我國依靠“高積累、低消費”的方式集中大量資源用於國家工農業基礎設施的建設和國防技術研發，一代人吃兩代人的苦，將一個落後的農業國建設成為擁有核武器的世界第六大工業國，計算機、集成電路這樣的高科技產業也從無到有，發展壯大。

在此期間，雖然國家財政並不富餘，但中國用於科技研發的經費佔國民生產總值的平均比例為1.28%，達到當時幾個初等發達國家的平均水平（如意大利、西班牙）；到70年代末，隨着經濟實力的提升該比值提升到2.32%，做到了竭盡所能為科研工作保障資金。這一投入遠遠超越改革開放後的水平（80年代中期以後一度降到0.6%以下），達到同期幾個最發達國家英、法、西德的水平，僅比當時的美國、日本低一些（美國長期為2.8-3.0%，日本70年代以前1.6%，進入70年代後與美國接近）。

在人才方面，我國一方面積極吸引在海外留學、工作的技術人才回國效力；另一方面積極培育自己的人才，在開設短期速成班的同時，在院校開設計算機專業，培育專業技術人才，並送優秀尖子赴蘇聯深造。高水平的科研經費比例，保證了即便在困難時期和政治動盪的年份，也能儘可能的為科研人員提供基本的生活、工作條件。

C.是全國統籌協作的研發模式。

從前述列舉的重大成就來看，當時的科研單位雖然分散在全國各地，但在重大問題的攻堅上卻是協同作戰和成功共享的。在全國統籌協作的舉國體制下，各個單位互幫互助，以集中全國科研力量攻堅克難的方式解決了科研道路一個個難題。國家還經常舉辦各種展覽會，方便各單位進行技術交流。

正是在自力更生、艱苦奮鬥的精神和公有制體制的保障下，我國計算機和集成電路事業在前三十年取得了一個又一個成就。

4、新中國半導體及集成電路發展大事記：

1956年，中央提出了“向科學進軍”的口號。周恩來隨後主持制定了“十二年科學技術發展遠景規劃”（以下簡稱“科學規劃”）。他有遠見地提出和確定了四項“緊急措施”，即大力發展計算機、無線電電子學、半導體、自動化，並將新技術應用於工業和國防。

1956年，在周總理的正確領導下，我國提出“向科學進軍”，根據國外發展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。中國科學院應用物理所首先舉辦了半導體器件短期培訓班。請回國的半導體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制造技術和半導體線路。在五所大學――北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學開辦了半導體物理專業，共同培養第一批半導體人才。培養出了第一批著名的教授：北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德、吉林大學的高鼎三。1957年畢業的第一批研究生中有中國科學院院士王陽元(北京大學微電子所所長)、工程院院士許居衍(華晶集團中央研究院院長)和電子工業部總工程師俞忠鈺(北方華虹設計公司董事長)。

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接觸二極管和三極管(即晶體管)。

1958年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研製發明了半導體集成電路(IC)之後，發展極為迅猛，從SSI(小規模集成電路)起步，經過MSI(中規模集成電路)，發展到LSI(大規模集成電路)，然後發展到現在的VLSI(超大規模集成電路)及最近的ULSI(特大規模集成電路)，甚至發展到將來的GSI(甚大規模集成電路)，屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。

1959年，天津拉制出硅(Si)單晶。

1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業性專業化研究所――第十三所(河北半導體研究所)。

1962年，天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs)，為研究製備其他化合物半導體打下了基礎。

1962年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。

1963年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。

1964年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。

1965年12月，河北半導體研究所召開鑑定會，鑑定了第一批半導體管，並在國內首先鑑定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數字邏輯電路。1966年底，在工廠範圍內上海元件五廠鑑定了TTL電路產品。這些小規模雙極型數字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標誌着中國已經制成了自己的小規模集成電路。

1968年，組建國營東光電工廠(878廠)、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業中的“兩霸”。

1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導體研究所，解放軍1424研究所，現中電集團24所）。這是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬-氧化物半導體）電路。拉開了中國發展MOS集成電路的序幕。七十年代初，永川半導體研究所(現電子第24所)、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後，又研製成CMOS電路。

七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設IC生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠(永紅器材廠)、871(天光集成電路廠)、878(東光電工廠)、4433廠(風光電工廠)和4435廠(韶光電工廠)等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體(一)廠、航天部西安691廠等等。

1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研製成功。

1973年，我國7個單位分別從國外引進單台設備，期望建成七條3英寸工藝線，最後只有北京878廠，航天部陝西驪山771所和貴州都勻4433廠。

1975年，北京大學物理系半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態隨機存儲器，它比美國英特爾公司研製的C1103要晚五年，但是比韓國、台灣要早四五年。那時韓國、台灣根本就沒有電子工業科研基礎。

1975年，上海無線電十四廠成功開發出當時屬國內最高水平的1024位移位存儲器，集成度達8820個元器件，達到國外同期水平。

1976年11月，中國科學院計算所研製成功1000萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學院109廠(現中科院微電子中心)研製的ECL型(發射極耦合邏輯)電路。

1978年10月，中國科學院成立半導體研究所，由王守武領導，研製4K DRAM，次年在中科院109廠投入批量生產（比美國晚六年）。

由於有周恩來主持制定的科學規劃，新中國的集成電路產業起步和發展，在帝國主義的封鎖下開了個好頭，經過20餘年的辛勤奮鬥，儘管與世界發達水平還有一定距離，但也是碩果累累。（待續）