項目副總師：超分辨光刻機將助力“中國芯”跨越發展_風聞

來源：環球網

     30日，從中國科學院光電技術研究所(光電所)獲悉，由該所承擔的國家重大科研裝備——超分辨光刻裝備項目29日通過國家驗收。光刻機是製造芯片的核心裝備，我國在這一領域長期落後。該光刻裝備將為中國未來新型國產納米器件提供技術支持。

　　項目副總設計師胡松30日對《環球時報》記者介紹説，光刻裝備利用全新的紫外超分辨光學光刻技術，為超材料/超表面、光學器件、廣義芯片等變革性戰略領域的跨越式發展提供了製造工具。

　　光刻機是製造芯片的核心裝備，我國在這一領域長期落後。它採用類似照片沖印的技術，把母版上的精細圖形通過曝光轉移至硅片上，一般來説，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但傳統光刻技術由於受到光學衍射效應的影響，分辨力進一步提高受到很大限制。

　　該光刻機在365納米光源波長下，通過超衍射成像單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10納米級別的芯片。

　　胡松表示，每台光刻機的售價應該在1000萬元到2000萬元人民幣之間，未來市場前景廣闊，但是完全替代荷蘭ASML公司壟斷的尖端集成電路光刻機還有一段路要走。

　　“我們自主研製的光刻設備目前可以小批量生產，助力新型納米器件產品製造。在生產效率、套刻精度、芯片面積和成品率上還有待進一步提升”，副總設計師胡松説。

　　光電所根據實際需要，已經實現了相關器件的製造，包括納米透鏡和波前調控等超材料/超表面器件，大口徑輕量化薄膜鏡等第三代光學器件，切倫科夫輻射、LSPR和SERS生化傳感、超導納米線單光子探測等系列新型納米器件的製造。

　　相關器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科大太赫茲科學技術研究中心、四川大學華西醫院、中科院微系統所信息功能材料國家重點實驗室等多家科研院所和高校的重大研究任務中取得應用。

　　該項目目前已獲得了授權國內發明專利47項，國外發明專利4項，擁有完全自主知識產權。