武漢新芯晶圓級三維集成技術研發成功

近日，武漢新芯對外宣佈稱，基於其三維集成技術平台的三片晶圓堆疊技術研發成功。它的進步體現在可將不同功能的晶圓(如邏輯、存儲和傳感器等)垂直整合，在不同晶圓金屬層之間實現電性互連。與傳統的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級的三維集成技術能同時增加帶寬、降低延時、提高性能、降低功耗。

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武漢新芯技術副總裁孫鵬表示，三維集成技術是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術平台。武漢新芯的三維集成技術居於國際先進、國內領先水平，已積累了6年的大規模量產經驗，能為客户提供工藝先進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。2013年就成功將其應用於背照式影像傳感器，良率高達99%，隨後陸續推出硅通孔堆疊技術、混合鍵合技術和多片晶圓堆疊技術。