置富科技高速硬盤橋接控制器芯片項目獲突破性進展

深圳2018年9月29日電 /美通社/ -- 2018年9月，置富科技聯合清華大學深圳研究生院和杭州華瀾微電子聯合開發的高速硬盤橋接控制器芯片項目正式轉入應用和成果轉化階段。

此項目研究高速芯片已經達到以下幾個核心技術指標，掌握高速芯片的核心技術：支持 USB3.1 Type C，後向兼容 USB3.0 和 USB2.0 協議規範，傳輸速率最高達到 10Gb/s；支持 USB 超高速、高速及全速模式工作。

此芯片最高連續讀寫速度可達 600MByte/S，突破了傳統接口速度，同時滿足大容量存儲要求，最高存儲容量可達 60TB 以上，支持國產 CPU 平台龍芯、飛騰下的應用和國產操作系統中標麒麟的應用。研究團隊在 USB 3.1 傳輸協議的開發上已經具備成果轉化條件，實現流片成功後即可進入市場實現銷售，完成高速硬盤橋接控制芯片的國產化替代。

此項目的成果轉化，將存儲與芯片核心技術結合，可以提高國產電子產品的技術含量和自主可控的能力，進一步提高國內公司在集成電路產業和存儲芯片產業的地位。