10nm 7nm這樣的芯片製程工藝是代工廠台積電這類代工廠研發？錯！錯！錯！_風聞

我們已經清楚的知道沒有美國歐洲的半導體設備歐美馬甲代工廠三星 台積電造不出芯片！

那麼沒有美國歐洲基礎理論研究，製程工藝研究那些代工廠就可以麼？！

我們來先看一些電子行業的新聞

1. 台積電聯手比利時IMEC公司，合力開發22nm製程技術

2009年10月07日 18:54 2最近芯片製造業各大巨頭連連作出合併動作，繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導體之後，最近台積電與比利時IMEC公司也正式簽署了合作開發 協議，雙方將協力進行混合信號IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關技術產品的研發工作。此前兩家公司實際上已經開始在進行緊密協作，不過這次的協 議簽訂則令雙方的合作關係由“同居”轉為“正式結婚”。雙方合作過程中，IMEC公司將主要負責研發設計方面，而台積電則將負責產品的實際生產。為此，IMEC公司已經開始着手改善自己的產品設計與台積電現有製程技術之間的兼容性，以確保將來設計出來的產品能在台積電進行大量生產。兩家公司將合力開發22nm級別製程技術，而IMEC則將成為台積電公司在歐洲的一處研發基地2. 2017ARM同IMEC展開合作：推動7nm芯片工藝發展

*7月13日消息，英國處理器知識產權授權商ARM控股公司與比利時微電子研究機構（IMEC）簽署協議，ARM將加入後者的INSITE項目，*該項目在2009年啓動，重點是推動7nm及以下芯片工藝節點設計，目前已有超過10家參與機構。

在一份IMEC發表的聲明中，ARM公司的首席執行官Simon Segars表示，“優化先進的納米技術節點是非常複雜的，它需要將精力集中在諸如模形和功率等領域面臨的挑戰上。”

3 。突破半導體次元壁！IMEC首次公佈：14埃米工藝路線圖 2017-05-25

隨着半導體發展腳步接近未來的14埃米（即納米的十分之一），工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管，他們還必須嘗試更多類型的內存；另一方面，14埃米節點也暗示着原子極限不遠了…

在今年的Imec技術論壇(ITF2017)上，**Imec半導體技術與系統執行副總裁An Steegen展示最新的半導體開發藍圖，預計在2025年後將出現新制程節點——14埃米(14A；14-angstrom)。這一製程相當於從2025年的2nm再微縮0.7倍；**此外，新的佔位符號出現，顯示製程技術專家樂觀看待半導體進展的熱情不減。

Steegen指出：“我們仍試圖克服種種困難，但如何實現的途徑或許已經和以前所做的全然不同了。”

14埃米節點也暗示着原子極限不遠了。單個砷原子(半導體所使用的較大元素之一)大約為1.2埃。

隨着半導體發展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的芯片上混合鰭式場效晶體管(FinFET)和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管。他們將會開始嘗試更多類型的內存，而且還可能為新型的非馮·諾依曼計算機(non-Von Neumann)提供芯片。

短期來看，Steegen認為業界將在7nm採用極紫外光(EUV)微影技術、FinFET則發生在5nm甚至3nm節點，而納米線晶體管也將在此過程中出現。

如今，14埃米節點還只是出現在簡報上的一個希望 （來源：Imec）*

Steegen表示：“從事硬件開發工作的人員越來越有信心，相信EUV將在2020年初準備好投入商用化。經過這麼多年的努力，這一切看來正穩定地發展中。”

Imec是率先安裝原型EUV系統的公司，至今仍在魯汶(Leuven)附近大學校園旁的研究實驗室中持續該系統的開發。

4。10納米硅晶體管FinFET發明人、IEEE Fellow 俞濱教授

2017-12-11 13:24俞濱教授簡介：浙江大學1985屆半導體物理與器件本科畢業生，1988屆同專業碩士畢業生，後留校任教。1993年應半導體界的大師胡正明教授邀請前往美國加州大學伯克利分校電子工程與計算機科學系以全額獎學金攻讀博士學位，在胡正明教授指導下從事超大規模集成半導體芯片技術研究。1997年獲博士學位後任美國AMD公司高級研究員。2003年起任美國加州大學納米研究中心資深研究員。2007年擔任美國斯坦福大學電子工程系顧問教授。2008年起在美國紐約州立大學奧爾巴尼分校的納米科學與工程學院任終身教授。因在硅基半導體晶體管等比例縮小方面的傑出貢獻，於2007年當選為IEEE Fellow。曾獲IBM學術獎、IEEE傑出講座獎等，擔任浙江大學微電子學與固體電子學“長江學者”講座教授，國家“千人計劃”講座教授，浙江大學校友總會理事。

在人們預見摩爾定律（Moore’s Law）難以為繼之時，鰭式三維晶體管FinFET（Fin Field-Effect Transistor）誕生了，讓Moore定律到今天還能得以延續。我們今天用的手機、電腦、網絡所有這一切的性能得以繼續提高，全賴於胡正明教授及其合作者發明的FinFET。俞濱教授就是胡正明教授的合作者之一。

北京時間2017年11月5日上午（美東時間為11月4日晚上），應求是緣半導體聯盟常務理事斯笑岷先生邀約，通過微信語音，求是緣半導體聯盟有幸採訪到了遠在美國的俞濱教授。他是10納米硅晶體管FinFET的發明人（2002年）、IEEE Fellow*，獲三百多項美國專利和數十項歐洲、日本、台灣專利，是全球半導體業界擁有最多發明專利的研發人員之一，他迄今共發表超過250篇研究論文，並且有超過100場國際會議以及全球學術界、工業界的邀請報告。現在，他在美國紐約州立大學奧爾巴尼分校（University at Albany, The State University of New York）納米科學與工程學院任教授，創辦了微納器件與系統實驗室、納電子學研究中心，始終對各種新興科技保持着濃厚的興趣。

在與俞濱教授語音採訪的兩個小時中，他數次提到站在全球科技最前沿、科技無國界（科學家有國界，專利有國界）

為人類技術文明進步做貢獻。我們深深地為俞教授的開放性、國際性視野和專注折服。

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目前能做到10nm 7nm靠的就是美國發明的鰭式三維晶體管FinFET，IMEC再去研發製程工藝！

IMEC在其中發揮了兩個關鍵性的橋樑作用，一是連接了學術界和產業界，IMEC從高校基礎研究中挑選出百分之幾的可產業應用的技術，繼而與產業界聯合研發，這一橋樑中，**高校（“小試”）、IMEC（“中試”）和企業（即量產）**的作用分別相當於“小試”、“中試”和“大試”（即量產）；

二是連接了設備商（含材料商）和製造商，兩者在工藝研發階段就能進行先期技術對接，當工藝成熟後，設備商的最先進設備可順利用於製造商的工藝線

那麼那些代工廠台積電 三星 中芯國際之間為何有差別？

那些代工廠的差別類似於同一老師教出來的學生各不同。但學生以後可能會超過老師，而 三星 台積電這樣的代工廠必須一直依靠歐美的核心技術 設備才能量產！幾十年來一直如此，三星 台積電永遠畢不了業！而且同樣是合作，但是層次也是不一樣的，同一老師教的也東西不一樣！

30多年前飛利浦以技術入股跟代工島合資原材料 設備 工藝全部被外國控制的，現在80%是外資的代工廠台積電是IMEC所主持的研發聯盟之核心成員。

而中芯國際2015年跟imec合作是“Imec provides support [developing] the 14 nm process,very strictly following export controls,” he said.

中國必須在基礎理論  ，設備，製程工藝全面的接近或超過歐美，才有可能在半導體制造領域世界一流！