已推進到10nm，長鑫存儲談未來DRAM技術之路_風聞

來源: 愛集微集微網消息（文/小如）9月19日，在深圳舉辦的中國閃存技術峯會上，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士進行了《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講。

平爾萱博士表示，隨着數據量的增加，數據處理能力就需要相應的加強，因此需要更強大的CPU，同時存儲器的數據容量、讀寫速度也需要加強。因此近年來對DRAM的要求也在持續提高。

今年5月15日，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明曾表示，從技術來源角度，合肥長鑫與奇夢達合作，並結合了長鑫自己的技術。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件（約2.8TB數據）收歸囊中。

在此次會議上，平爾萱博士對奇夢達DRAM也有提及。他表示，在DRAM技術的演進過程中，曾經的DRAM巨頭奇夢達提出的埋入式電柵三極管概念給整個產業帶來了巨大的貢獻。

DRAM技術在發明之後的幾十年裏，經歷了從平面結構向空間爭取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構。

而奇夢達DRAM技術也是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨着線寬的減少越來越重要。此外，近代DRAM產品也都沿用了這個概念。

在談到DRAM技術未來發展時，平爾萱博士表示，DRAM是有極限的，通過改進可以將極限推遲，例如導入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能。此外，EUV主要是針對陣列，外圍線路的增強及微縮也是近來DRAM技術發展的另一個機會。

平爾萱博士也強調，繼續推進DRAM技術的發展，還需要在新材料、新架構上進行更多探索，也需要加強與其他企業的合作。回顧過去幾十年的DRAM發展，證明IDM是發展DRAM的必然選擇，而這正是長鑫存儲從一開始建立就堅持的。

此外，長鑫存儲藉助先進的設備已經把將奇夢達的46納米DRAM推進到了10納米級別。（校對/小北）