合肥長鑫 聯想thinkcentre支持國產第一個8G DDR4 內存_風聞

2019.11.27

一台黝黑的聯想Thinkcentre正在靜靜的運行，與它連接的屏幕上正在播放着世界集成電路的發展史。儘管外表普通，但如果打開它的機蓋，你會發現，在它的內部，擁有一個此前從未在全世界電腦裏出現的內存Logo——CXMT(長鑫存儲)。　　

10月22日，中宣部“推動高質量發展調研安徽行”走進位於合肥的長鑫存儲。安徽商報融媒體記者見到了目前已經具備量產能力的國產DRAM(動態隨機存取存儲芯片)。　　

DRAM是目前最為常見的系統內存，能將數據保持很短的時間，主要用於移動終端、電腦、服務器、人工智能、虛擬現實和物聯網領域。　　

儘管人們常常把4G內存、8G內存掛在嘴邊，但是國產DRAM的量產，仍然是一件撼動業界的大事件。　　

今年9月，長鑫存儲內存芯片自主製造項目宣佈投產，與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能為每月12萬片晶圓。這標誌着我國在內存芯片領域實現量產技術突破，並擁有了這一關鍵戰略性元器件的自主產能。　　

“長鑫將分三期建設三座12英寸DRAM存儲器晶圓廠，預計三期滿產後產能可達到每個月36萬片。”長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明稱。　　

長鑫存儲也成為了中國第一家自主研發並投入量產的DRAM設計製造一體化企業，並實現了中國在這一領域的歷史性突破。與此同時，總投資超過2200億元的合肥長鑫集成電路製造基地項目順利簽約，包括總投資1500億元的長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地、總投資超過200億元的空港集成電路配套產業園和總投資500億元的合肥空港國際小鎮三個片區。　　

“我們致力於在安徽打造產城融合國家存儲產業基地和世界一流的存儲產業集羣。”長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明表示：“在當前全球寡頭壟斷的格局下，長鑫存儲的投產對於推動中國在高端芯片產業逐步實現獨立自主，帶動上下游產業鏈國產化，具有重要意義。”(安徽商報融媒體記者 梁巍)