國產才剛剛起步，三星、美光接連下調存儲收入預期

【文/觀察者網 奕含】

繼手機業務在華遭遇“滑鐵盧”後，1月8日，全球最大的存儲器廠商韓國三星電子發佈2018年第四季度初步財報，業績將大幅低於此前預期。

三星電子表示，第四季度盈利減少主要受存儲芯片需求低迷影響，並預計2019年第一季度業績將保持低迷。

此前，美國存儲器大廠美光公司、韓國SK海力士紛紛表示，2019年DRAM和NAND需求將減弱、價格下跌，並調整營收或減少投資。

觀察者網注意到，中國存儲行業幾大重點企業正在不斷增加產能，合肥長鑫已於去年投產，福建晉華、長江存儲正加速投產。然而，需求低迷、存儲芯片價格下跌，可能會給剛剛起步的中國存儲芯片事業帶來挑戰。

報道截圖

此前預計四季度出現“季節性疲軟”

1月8日，據CNBC報道，三星電子當天表示，由於其內存芯片業務需求低迷以及智能手機市場競爭加劇，其第四季度盈利可能大幅下滑。

三星電子預計，去年第四季度營業利潤10.8萬億韓元（合96.7億美元），低於分析師預測的13.2萬億韓元，這比上一季度下降38.5%；2018年四季度銷售額59萬億韓元，低於分析師預測的62.8萬億韓元，比第三季度下降近10%。

“內存業務需求低於預期導致出貨量下降，內存芯片價格出現顯著下降”三星電子稱，此外，因智能手機市場基本停滯，營收費用也導致其盈利能力下降。受存儲芯片影響，預計第一季度業績將保持低迷。

三星電子將於本月晚些時候披露詳細財報。

市場曾預計，三星季度營業利潤料兩年來首次下降，因關鍵市場——中國的經濟放緩可能會影響對該公司產品的需求。一位分析師表示，中國佔全球消費技術需求的20％至30％。而此前，蘋果也調降季度營收預估，將之歸咎於中國。

雖然三星以智能手機及電視業務最為出名，但其近來的淨利增長已經嚴重依賴芯片業務。自2017年第三季度起，三星已連續數季度成為全球芯片出貨量最高的企業。

早在去年11月，三星發佈2018年三季報時便預計，芯片市場在今年第四季度將出現“季節性疲軟”，這期間公司盈利有下降的可能性。為此，三星將會調整工廠和設備的支出，同時對芯片價格進行監控。

西部數據、美光、SK海力士紛紛減少投資

三星電子並非首家承認存儲芯片需求低迷的企業。

除三星外，西部數據、美光、SK海力士等也都預計今年內存DRAM和閃存NAND需求將減弱。上述公司紛紛調整產出量、減緩投資計劃，下調資本支出等，以“彌補損失”。

率先做出反應的是西部數據，該公司表示要減少Fab（是fabrication的縮寫，晶圓廠，觀察者網注）的產出，並減緩下一步的擴產計劃，以緩解需求疲軟和跌價帶來的運營壓力。

而美光公司在發佈2019財年一季度財報時稱，今年DRAM和NAND需求將減弱，其第二財季營收預計為57億到63億美元之間，低於華爾街分析師預期的73億美元。股票收益預計為1.65美元/股至1.85美元/股，也低於市場預期。

ZACKS投資網站稱，上述公司總裁Sanjay Mehrotra在隨後的電話會議上表示，DRAM需求疲軟是美光公司降低第二季度預期的主要原因之一。同時，為解決供過於求的問題，該公司將減少NAND 及DRAM產量以維持價格。其中，主要減少的是汽車、智能手機以及數據中心等市場上的存儲芯片產能。

業內指出，半導體下游應用需求端的疲軟是對2019年最大的擔憂，美光公司的財報恰恰反映了這一點。

圖片來源：觀研天下

另一家競爭對手SK海力士也表示，為應對2019年NAND 及DRAM價格下跌的趨勢，該公司決定自2018年底前開始減少投資規模，並將監控調整2019年的產能。

事實上，經過兩年多的漲價潮，存儲器的風光不再。

自去年初開始，NAND閃存價格已出現疲軟，行業預計這一趨勢將持續到2019年。而DRAM內存價格也在去年三季度由漲轉跌，平均價格跌幅達10-15%。

國金證券研報截圖

國產存儲廠商投產或遇挫折

目前，三星電子、SK海力士、美光公司等在DRAM產業的市佔率達到90%以上，在過去兩年存儲器價格暴漲中，獲得了豐厚的利潤。

在國外廠商賺得盆滿缽滿的背景下，中國存儲芯片產業也加速佈局，努力實現國產替代。

目前，中國存儲領域已形成包括髮展NAND Flash的長江存儲，專注移動式內存的合肥長鑫以及致力於利基型內存的福建晉華三大陣營。

此時，存儲芯片需求低迷、價格下跌，可能會成為中國存儲芯片事業發展的“攔路虎”。

國金證券在去年12月20日的研報中指出，此下行趨勢將對即將量產的中國主流存儲芯片大廠長江存儲、合肥長鑫的短期獲利前景雪上加霜。

不過該券商也指出，預估此次存儲器芯片產業下行趨勢持續時間不超過12個月（從2019年一月起算），相關廠商不至於步入虧損。

國金證券研報截圖

而早在去年9月，國金證券便分析了存儲器芯片下行趨勢。

當時，該券商認為，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，加上3D NAND轉到96層及DRAM轉到19納米以下製程工藝的產能增加，預估2019年內存DRAM和閃存NAND將會有3-5%的供過於求。

“價格下行趨勢確立，而將造成2019年整體存儲器芯片產業同比衰退5-9%及全球半導體產業同比衰退1-4%。”

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