技術突破！中企成功製備4英寸氧化鎵單晶

觀察者網27日從中國電子科技集團有限公司獲悉，近日，中國電科46所經過多年氧化鎵晶體生長技術探索，通過改進熱場結構、優化生長氣氛和晶體生長工藝，有效解決了晶體生長過程中原料分解、多晶形成、晶體開裂等問題，採用導模法成功製備出高質量的4英寸氧化鎵單晶。

據介紹，氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，適用於製造高電流密度的功率器件、紫外探測器、發光二極管等。但由於氧化鎵屬於單斜晶系，具有高熔點、高温分解以及易開裂的特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶製備極為困難。

中國電科46所製備的氧化鎵單晶的寬度接近100mm，總長度達到250mm，可加工出4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓。經測試，晶體具有很好的結晶質量，將為國內相關器件的研製提供有力支撐。