Xtacking 2.0鎖定8月，長江存儲或迎跨越式發展

（文/觀察者網 陳興華）

5月15日，在GSA Memory+高峯論壇上，長江存儲聯席首席技術官湯強表示，為了應對數據量增長對存儲器的挑戰，長江存儲將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術。他還表示，利用Xtacking技術，NAND的I/O速度有望達到行業顛覆性的3.0Gbps。

湯強首先提到，當前正處於一個數據大爆炸的時代，預計到2022年，NAND的容量需求將會接近2015年的10倍，並將持續增長下去。但是實際上，數據和存儲能力的增長嚴重不對等，存儲容量的增長遠遠落後於需求的增長。

但是，他同時表示，目前為了追求更高的存儲容量，存儲技術正從MLC向TLC向QLC等發展。另外，對於各種應用場景的需求，實際上是需要越來越多的定製化的存儲方案來與之對應。而一項新的存儲解決方案的開發往往需要12-18個月的週期。

湯強將上述問題總結為行業正面臨三大挑戰，包括I/O接口速度、容量密度和上市週期。對此，他強調，長江存儲去年推出了Xtacking技術，該技術不僅提高了I/O接口速度，而且還保證了3D NAND多層堆疊可達到更高容量，以及減少上市週期。

據介紹，採用Xtacking技術，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，使得NAND獲取更高的I/O接口速度及更強的操作功能。存儲單元將在另一片晶圓上獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，XtackingTM技術只需一個處理步驟就可將二者鍵合接通電路，且成本增加有限。

長江存儲日前公佈的數據顯示，在傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20-30%，這也使得芯片的存儲密度大幅降低。而隨着3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路所佔據的芯片面積或將達到50%以上。Xtacking技術則可將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。

據瞭解，目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數等公司中，而長江存儲只小批量生產32層堆疊閃存。不過，將於今年底量產的64層Xtacking 3D NAND是長江存儲今明兩年生產的主力。集邦諮詢半導體研究中心預計長江存儲到年底至少為60K/m的投片量，而其競爭者達到200K/m以上。

為了儘快縮短與國外廠商的差距，長江存儲採取了“跨躍式”發展。在下一代閃存技術上，長江存儲將直接跳過三星、美光、東芝、Intel等公司現在力推的96層堆疊閃存，直接進入128層堆疊的研發，這幾家公司預計在2020年才會推出128層堆疊的閃存。

據悉，在I/O速度方面，目前NAND閃存主要有兩種I/O接口標準，分別是Intel/索尼/SK海力士/羣聯/西數/美光主推的ONFi，目前ONFi 4.1標準的I/O接口速度最大為1.2Gbps。第二種標準是三星/東芝主推的ToggleDDR，I/O速度最高1.4Gbps。

對此，湯強在本次論壇上表示，目前世界上最快的3DNAND的I/O速度目標值是1.4Gbps，大多數NAND供應商僅能供應1.0Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術，有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。

另外，他還提到，Xtacking技術還可使得產品開發時間縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的從開發到上市週期。與此同時，Xtacking依然處於不斷進化之中。

目前，Xtacking技術已經成功應用於即將量產的長江存儲的第二代3D NAND產品（64層堆疊）。湯強還表示，今年8月推出新一代的Xtacking 2.0技術有望將長江存儲的3D NAND提升到一個新的高度。Xtacking將是存儲的未來。