國家存儲器基地項目進展順利，量產目標有望實現

轉自中新網

日前，上海寶冶安裝工程公司施工承建的國家存儲器一期二階段中低壓配電系統工程第一批中壓櫃與一期供電系統併網，成功受電20kV，為後續設備的高、低壓供配電及系統調試奠定基礎，終端機台即將投入使用。

為了確保車間正常生產，保障供電系統的連續性和穩定性，此次併網施工的斷電施工調試時間不足24小時。上海寶冶安裝工程公司要在6天完成36台中壓櫃的安裝調試，與一期供電系統併網供電。面對工期緊、任務重、技術要求高等困難，項目部統籌策劃，提前完成勘測現場、熟悉設備、確定方案等工序，併發揮多年來電氣盤櫃“預安裝”的施工工法技術，在併網施工前，已將盤櫃斷路器耐壓、分合閘等試驗做完，待設備就位母排連接完成、耐壓試驗合格即刻併網受電，一次成功。

國家存儲器基地項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其它若干配套建築。國家存儲器基地的建立，以芯片製造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體，建成後，還將帶動設計、封裝、製造、應用等芯片產業相關環節的發展，標誌着芯片自主創新之路邁出可靠而重要的一步。