硅單光子探測器關鍵技術取得突破

科技部網站消息，由無錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔的國家重點研發計劃“重大科學儀器設備開發”重點專項“高靈敏硅基雪崩探測器研發及其產業化技術研究”項目經過近兩年的努力，突破了低抖動、大光敏面硅單光子探測芯片設計、界面電場調控的離子注入和氧化層製備、低噪聲芯片封裝等關鍵技術，開發出硅單光子探測器樣機。近日，項目順利通過了科技部高技術中心組織的中期檢查。

硅單光子探測器具有超高靈敏度，是300-1100nm波段超高靈敏探測不可替代的關鍵芯片，且器件性能穩定可靠、易形成面陣，是實現遠距離精密測量、激光雷達等重大科學儀器的關鍵核心部件之一。目前國內硅單光子探測芯片主要依賴進口，且陣列芯片禁運。開展硅單光子探測器的自主化研究，對獨立自主研製精密測量、激光雷達等裝備具有重要意義。

項目提出了雪崩過程隨機性電場抑制方法，基於國產硅片和研發平台，研製出大光敏面、低時間抖動的硅雪崩探測器芯片，開發了一系列可工程化應用的製備關鍵技術，並在“北斗系統”開展了激光測距示範應用；同時還面向智能交通的市場需求，研製出線性模式硅雪崩探測器。

該項目下一步將加快產品化開發，提高產品技術成熟度，加快產品應用示範及推廣。

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