SK海力士搞定1Z納米16Gb DDR4內存，年內量產

（觀察者網訊）10月21日，SK海力士宣佈開發適用第三代1Z納米DDR4動態隨機存儲器（DRAM）。SK海力士稱，這款芯片實現了單一芯片標準內業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產的存儲量也是現存的DRAM內最大。

此外，與上一代1Y納米產品相比，其產能提升約27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優勢。

新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數據傳輸速率，據稱是DDR4規格內最高速度。在功耗方面，與基於第二代8Gb產品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。

第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量最大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩定性。

接下來，SK海力士計劃將第三代10納米級微細工程技術擴展到多種應用領域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1Z開發事業TF長李廷燻表示，該芯片計劃年內完成批量生產，從明年開始正式供應。

科普：什麼是1Xnm，1Ynm和1Znm

在內存工藝進入20nm之後，由於製造難度越來越高，內存芯片公司對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是希望通過兩代或三代1Xnm節點去升級DRAM，由此稱為1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上1Xnm工藝相當於16-19nm級別、1Ynm相當於14-16nm，1Znm工藝相當於12-14nm級別。

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