中國64層NAND量產後，三星赴陝再投563億建最大閃存基地

（觀察者網訊 文/呂棟 編輯/尹哲）

儘管關閉了最後一家手機工廠，但三星在華佈局並未停歇。

據西安晚報12月11日報道，三星電子西安閃存芯片（NAND）項目二期第二階段80億美元（約合人民幣563億元）投資10日正式啓動。

報道稱，二期項目建成後將新增產能每月13萬片，新增產值300億元，解決上千人就業，並帶動一批配套電子信息企業落户，使西安成為全球水平最高、規模最大的閃存芯片製造基地。

據介紹，三星電子西安閃存芯片項目一期投資108億美元，建成存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元，主要製造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產；第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。

觀察者網查詢DRAMeXchange數據發現，2018年，三星佔全球NAND市場份額的35%，其與美光和SK海力士等廠商幾乎壟斷市場供應。

中國首款64層3D NAND閃存9月****量產

值得一提的是，今年9月2日，紫光集團旗下長江存儲宣佈，已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

紫光集團稱，這是中國首款64層3D NAND閃存，亦是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品。

科工力量專欄作者鐵君曾在文中提到，由於中國企業在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場佔有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數國際大廠所壟斷，特別是韓國企業擁有非常高的市場份額，這直接導致存儲芯片價格很容易受到壟斷企業決策影響。

文章認為：“本次長江存儲量產64層NAND，一定程度上緩解了三星、SK海力士、美光等公司的壟斷局面，在當下的國際環境下，格外具有意義。”

據該文介紹，由於紫光的64層NAND性能逼近國際大廠的96層3D NAND，因而可以直接在商業市場與外商競爭。文章還提到，紫光或跳過96層NAND，直接研發128層NAND，力爭在技術上進一步縮短與外商的差距。但目前還未得到官方的證實。

“目前，長江存儲只是技術上取得了突破，而且產能也比較有限。相對於三星、SK海力士、鎂光、英特爾等國際大廠，無論在技術上，還是在市場份額上都有一定差距。長江存儲在原材料、設備等方面對外商有較大依賴，在實現不被卡脖子方面依然任重道遠”。

據業界傳言，2020年底，長江存儲產能有望提升至月產6萬片晶圓的規模。

本文系觀察者網獨家稿件，未經授權，不得轉載。