兆易創新融資33億研發DRAM，最早2021年量產

（觀察者網訊 文/呂棟 編輯/尹哲）

繼長鑫存儲年底交付、紫光集團佈局重慶後，DRAM芯片國產化陣營再有新成員加入。

12月27日，北京兆易創新科技股份有限公司（下稱：兆易創新）透露，該公司最早將於2021年完成其首款DRAM芯片的封裝測試以及客户驗證，測試成功後將進行大批量產。

觀察者網查詢發現，在此之前的9月30日，兆易創新發布的《非公開發行A股股票預案》（下稱：《預案》）中介紹：該公司擬募集資金33.2億元用於DRAM芯片研發及產業化項目。

值得一提的是，長鑫存儲12英寸存儲器晶圓製造基地項目總投資約1500億元，而紫光集團未來十年投資在DRAM領域的投資或高達8000億元。

而上述長鑫存儲項目由兆易創新和合肥產投合作開展。不過，今年9月23日，兆易創新公告稱，該公司當時正籌劃的上述募資與長鑫存儲項目無關，“公司與合肥長鑫等項目實施主體以各自獨立發展模式運營”。

目前，中國是DRAM芯片的全球最大市場，但三星、海力士、美光等企業在華佔據主導地位，這也使得DRAM成為我國受外部制約最為嚴重的基礎產品之一。

觀察者網注意到，今年以來，兆易創新股價漲幅近230%。截至12月31日A股收盤，該公司股價報204.89元/股，總市值達658億元。

DRAM芯片（資料圖）

募資33.2億研發DRAM

根據上述《預案》披露，兆易創新擬向不超過10名特定投資者非公開發行不超過6422.4萬股（含本數），募集資金總額（含發行費用）不超過人民幣43.2億元。其中，本次募集的33.2億元將用於DRAM芯片研發及產業化項目，剩餘的10億元將用於補充流動資金。

《預案》中介紹，兆易創新擬通過上述項目，研發1Xnm 級（19nm、17nm）工藝製程下的DRAM技術，設計和開發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片並實現產業化。

根據《預案》，兆易創新已組建由數十名資深工程師組成的核心研發團隊，涵蓋前端設計、後端產品測試與驗證，該團隊的核心技術帶頭人員從事DRAM芯片行業平均超過二十年。

12月27日，在回覆證監會反饋意見時，兆易創新透露，其首款DRAM芯片計劃於2020年展開流片試樣，並將於2021年進行封裝測試以及完成客户驗證，測試成功後進行大批量產。除此之外，其多系列DRAM產品將在2025年之前陸續完成研發及量產。

上述《預案》指出，截至目前，DDR3、DDR4為最主流、最成熟的DRAM技術，2019年電子器件工程聯合委員會（JEDEC）發佈的DDR5技術標準討論版，尚在不斷完善更新中。

不同代際的DDR技術基本參數

在談及本次募資研發DRAM芯片的目的時，《預案》中稱，本次非公開發行是為發揮該公司在存儲器領域的優勢，實現高技術產品的進口替代，實現高端通用芯片自主可控，助力國家支柱產業的崛起。

另外，DRAM作為集成電路領域通用芯片，產品標準化，非常適宜於迅速擴張，項目完成後，該公司將掌握DRAM技術、具備DRAM產品設計能力，競爭力及行業地位將得到提升。

《預案》中還指出，兆易創新的Flash芯片下游客户與DRAM芯片的下游客户重合度較高，且大部分客户應用的系統架構同時包含Flash及DRAM，因此該公司在Flash領域的設計經驗將對DRAM芯片設計產生重要的支持作用。

公告截圖

長鑫年底交付、紫光佈局重慶

中國作為全球最大的DRAM需求市場，國內市場一直被國外廠商壟斷，各類型產品嚴重依賴進口。

根據賽迪顧問的數據，2018年，三星、海力士、美光三家企業的DRAM產品在中國市場的銷售總額達到3340.6億元，約佔整個中國DRAM市場的97.6%。

但讓人欣慰的是，據電子工程專輯（EETimes）12月3日報道，合肥長鑫存儲已宣佈成為中國國內第一家也是唯一一家DRAM生產商。

長鑫存儲的代表向上述媒體表示，該公司已經完成合肥Fab 1及研發設施建設，月產能2萬片，並計劃在2020年第二季度將產能提高一倍，達到每月4萬片，約佔全球內存產能的3%。

長鑫存儲廠房效果圖 圖自長鑫存儲

9月30日，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主製造項目宣佈投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓，首批芯片今年底將交付客户 。

值得一提的是，長鑫存儲項目由合肥市產業投資控股集團（下稱：合肥產投）和兆易創新合作開展。

2017年10月，兆易創新發布公告，宣佈與合肥產投簽署合作協議，研發19納米制程的12英寸晶圓DRAM，預算為人民幣180億元，前者籌資20%。

按照產能的約定，該項目研發及生產的DRAM芯片優先供兆易創新銷售並滿足其客户的需求；該項目優先承接兆易創新DRAM的代工需求，為其產品的流片、生產提供支持。

今年4月，兆易創新再次公告，與合肥產投、長鑫集成簽署《可轉股債權投資協議》，以可轉股債權方式對長鑫存儲項目投資3億元，履行前述合作協議中約定的部分籌資義務。

9月23日，兆易創新公告稱，除了尚未轉股的可轉債債權外，該公司對上述項目尚無其他出資，其在該項目的後續籌資規模及投入方案尚未最終確定，也無收購合肥產投在項目權益的規劃。

兆易創新同時強調，“公司與合肥長鑫等項目實施主體以各自獨立發展模式運營”。

除了長鑫存儲，紫光今年也開始加碼DRAM。6月30日，紫光集團宣佈成立DRAM事業羣。該集團還計劃於年底在重慶開工建設DRAM工廠，主要製造12英寸的DRAM存儲芯片，預計2021年量產。

據台灣《經濟日報》9月18日報道，紫光集團DRAM事業羣CEO高啓全表示，目前韓國和美國都不願將技術授權給中國大陸廠商，因此中國要規避三大廠的專利，不是短時間可以達成的，得靠彙集更多優秀人才，希望五到十年能看到成果。

該報道還稱，在政府支持下，紫光集團積極發力DRAM自主生產，內部已計劃未來十年投資高達人民幣8000億元，全力推動並積極衝刺DRAM量產。

另外，2016年5月，福建晉華與聯電簽署技術合作協議，開發DRAM相關製程技術。由晉華支付技術報酬金，開發出的DRAM技術成果，將由雙方共同擁有。

然而，去年10月29日，美國商務部發布公告稱，將福建晉華集成電路有限公司加入實體清單，對其採取限制出口措施。理由是：“福建晉華即將完成DRAM的量產，該技術可能源自美國。”

11月3日，晉華回應稱，晉華公司始終重視知識產權保護工作，不存在竊取其他公司技術的行為。當時，據“DIGITIMES”報道，美國政府下達出口禁令後，晉華斥資60億美元的半導體廠房直接停擺。

17億收購思立微

值得一提的是，成立於2005年的兆易創新最初起步於閃存芯片設計行業，主營業務為閃存芯片及其衍生產品、微控制器產品、傳感器模塊的研發、技術支持和銷售。

Web-Feet Research數據顯示，2018年兆易創新的NOR Flash（代碼型閃存芯片）產品全球銷售額排名第五，市場佔有率為10.9%。

觀察者網注意到，在上述募資之前，兆易創新曾於今年6月和7月分別通過增發方式完成14.45億元和9.78億元融資。

去年1月，兆易創新發布的募資預案顯示，該公司擬以89.95元/股發行股份及支付現金的方式，作價17億元收購上海思立微100%股權，其中股份支付對價為14.45億元，現金支付對價為2.55億元。

同時，兆易創新擬採取詢價方式定增配套募資不超10.75億元，用於支付本次交易現金對價、14nm工藝嵌入式異構AI推理信號處理器芯片研發等項目以及支付本次交易相關的中介費用。

不過，兆易創新2018年10月16日發佈公告，將募集資金金額從前次合計10.75億元調減至9.78億元。

公告截圖

據介紹，思立微成立於2011年，主營業務為智能移動終端傳感器SoC芯片和解決方案的研發與銷售，提供包括電容觸控芯片、指紋識別芯片、新興傳感及系統算法在內的人機交互全套解決方案。

兆易創新表示，本次交易系該公司對集成電路產業同行業優質企業的產業併購，旨在整合境內優質的芯片設計領域資產，獲取智能人機交互領域的核心技術，拓展並豐富公司產品線，在整體上形成完整系統解決方案，並有助於強化該公司行業地位，做大做強我國集成電路產業。

今年5月31日，兆易創新發布公告，上述發行股份及支付現金購買資產並募集配套資金事項之標的資產上海思立微100%的股權過户手續及相關工商變更登記已完成，該公司持有上海思立微100%的股權。

另外，觀察者網查詢“i問財”發現，兆易創新曾在2017年2月發佈總計約68億元的融資計劃，但此後被停止實施。

該公司2月28日發佈的融資預案顯示，兆易創新擬以發行股份及支付現金的方式收購上海承裕等合計持有的北京矽成100%股權，同時向名建致真、上海承芯等10名特定投資者發行股份募集配套資金，用於支付本次交易的現金對價和中介機構費用。

但當年8月8日，兆易創新公告，北京矽成下屬主要經營實體ISSI的某主要供應商認為，該公司此次重組後將成為其潛在有力競爭對手，要求ISSI與其簽署補充協議，在此次交易完成時其有權終止相關供應合同。

“經評估，該事項將對北京矽成未來經營業績造成較大不利影響。交易多方一致同意終止本次交易，並向中國證監會申請撤回重組相關文件。”公告中稱。

“i問財”截圖

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