ASML研發下一代EUV光刻機：分辨率提升70% 逼近1nm極限_風聞

在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26台，創造了新紀錄。據報道，ASML公司正在研發新一代EUV光刻機，預計在2022年開始出貨。

根據ASML之前的報告，去年他們出貨了26台EUV光刻機，預計2020年交付35台EUV光刻機，2021年則會達到45台到50台的交付量，是2019年的兩倍左右。

目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結構相同，但NXE:3400C採用模塊化設計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時，支持7nm、5nm。

此外，NXE:3400C的產能也從之前的125WPH（每小時處理晶圓數）提升到了175WPH。

不論NXE:3400B還是NXE:3400C，目前的EUV光刻機還是第一代，主要特點是物鏡系統的NA（數值孔徑）為0.33。

ASML最近紕漏他們還在研發新一代EUV光刻機EXE:5000系列，NA指標達到了0.55，主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。

與之前的光刻機相比，新一代光刻機意味着分辨率提升了70%左右，可以進一步提升光刻機的精度，畢竟ASML之前的目標是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。

不過新一代EUV光刻機還有點早，至少到2022年才能出貨，大規模出貨要到2024年甚至2025年，屆時台積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的製程工藝了。