事實上，探索光刻光源國產化過程中，中國多家科研院所和廠商進行了不少另闢蹊徑的探索_風聞

事實上，除了LPP-EUV光源，探索光刻光源國產化過程中，以中國科學院、華中科技大學為代表的多家科研院所和半導體廠商亦進行了不少另闢蹊徑的探索。

其中雙激光束技術路線的出現，有效規避了國外專利封鎖和主流EUV光源研發難題，讓光刻機光源突破光學衍射極限成為可能，不用刻意追求短波長也能達到10nm以內的光刻製程。

7月初，中科院研究團隊就在Nano Letters上發表題為《超分辨率激光光刻技術製備5nm間隙電極和陣列》的論文[3]。實驗室環境下，研究團隊在無機鈦膜光刻膠上，採用雙激光束（波長為405nm）交疊技術，實現1/55衍射極限的突破（NA=0.9），達到了最小5nm特徵線寬，一時引發熱議。

同樣，在中國光谷，武漢光電國家研究中心相關團隊早在2018年就發佈專利[4]，提出一種雙光束微納光學制造方法，通過調製輔助光，搭配自研光刻膠，使可見光製造實現10納米以下的特徵尺寸和50納米的分辨率。

目前，該技術正依託武漢光電工研院進行產業化，團隊基於雙光束超分辨納米光刻技術已經實現了最小線寬9nm、最小線間距52nm的高精度直寫光刻，9nm雙光束超分辨直寫光刻機已實現商用銷售。

雙光束超分辨投影光刻實驗樣機也於2019年完成測試，正在開展大型工程樣機的研發，快速推進產業化進程。相關研究機構認為，在這樣的格局下，實現光刻機國產化勢在必行。而當前國內與國外頂尖光刻機制程存在較大差距，短時間採取舉國體制仍無法突破EUV路線衍射極限限制，在此背景下，基於雙光束技術的超分辨技術路線的開闢，或將為光刻機國產替代帶來曙光。

“通過上游併購和引入客户作股東的方式打通行業上下游，打造產業鏈利益共同體，ASML從默默無聞成長為光刻機霸主，我們也本着開放心態廣邀各方開展技術合作，希望能趟出一條不一樣的光源國產化路線。”相關研究機構認為，在這樣的格局下，實現光刻機國產化勢在必行。而當前國內與國外頂尖光刻機制程存在較大差距，短時間採取舉國體制仍無法突破EUV路線衍射極限限制，在此背景下，基於雙光束技術的超分辨技術路線的開闢，或將為光刻機國產替代帶來曙光2018年9月5日至8日，第20屆中國國際光電博覽會(CIOE2018)在深圳會展中心舉辦。武漢光電國家研究中心、武漢光電工研院聯合參展，並於9月6日在光電子創新館（4號館）4E06展位舉辦“源頭創新技術和科技成果轉化項目發佈會”。

華中科技大學副校長張新亮，武漢光電國家研究中心副主任周軍、朱蒞臨展位視察指導工作。製造芯片的光刻機，其精度決定了芯片性能的上限，然而作為芯片消費第一大國，我國在光刻技術方面遠遠落後於國外，如何開發具有自主知識產權的光刻機，向來是集成電路光刻製造領域的焦點話題。

由武漢光電國家研究中心甘棕松教授團隊帶來的“超衍射極限納米光刻技術”甫一亮相，立即引來廣泛關注。該團隊具有自主知識產權的首台商用化超分辨光刻設備——Super Lithography 3D納米光刻系統提供納米級高精度的無掩膜光刻和納米級3D微納結構打印，配合定製的軟件系統，可以智能完成高精度光刻掩膜的製造和其它納米級3D器件的激光直寫光刻，打破了國外企業在三維微納加工技術的壟斷====雙光束超分辨投影光刻實驗樣機也於2019年完成測試，正在開展大型工程樣機的研發，快速推進產業化進程。

注意，目前只有投影光刻機才能實現芯片的大規模量產，直寫的，電子束的目前還做不到。

【本評論由風聞社區撈取，來自《科工力量：憑藉一國之力能搞出光刻機嗎？》一文，僅代表發帖用户觀點，標題為小編添加，更多熱乎討論請移步原文】