中國芯片製造為何在改開時代被拉開差距？_風聞
西方朔-2020-09-04 15:14
中國芯片製造為何在改開時代被拉開差距？
1. 80年代“芯片項目下馬”或“光刻機下馬”，這是絕對的胡扯，誰信就是上當了。
改開後各時期中國光刻機都在研發，技術被拉開差距，主要原因基礎科研能力不足，摩爾定律跟不上。
2. 1974-1978年甘肅平涼的電子工業部45所開發了“半自動光刻機”GK-3型（圖），製程是5微米。自動送片，預對準精度0.3毫米，自動曝光收片，光源與工作台組成一個機器。
半自動是説，需要人看顯微鏡來微調對準。對準，是光刻機最大的問題之一，光刻機的英文名就是Mask Aligner。
3. 80年代不少單位都來搞光刻機了。45所仍然是主力，開發出了分佈曝光的BG101（1979-1984年研發，2微米），後面BG101J（1991-1994，1.5微米）、BG102（1990-1995，0.8微米）、BG105（1996-2000，0.5微米），都按節奏研發出來了。
4. 80年代還有，中科院半導體所1978-1981年研製的JK-1型接近式光刻機，2.5微米；1982年科學院109廠與哈爾濱刃具廠阿城繼電器廠聯合研製的KHA75-1型接近式光刻機；上海光機所1985年的3微米掃描式投影光刻機。這些全都是半自動的，都需要人看顯微鏡微調，所以基本是2-5微米的水平。
5. 中科院光電所1990年驗收的IOE1010G光刻機，結合上海光機所掃描與45所分步兩種技術的優點，1.5-2微米。它還是中國第一個全自動光刻機，用電視圖像算法自動對準。後面BG101J也做了，90年代中國的光刻機才算是全自動了。
6. 2000年以後，45所搞光刻機的人轉到上海微電子裝備SMEE去搞，02專項。45所繼續搞集成電路製造其餘裝備的開發。SMEE的光刻機目前最新的是90nm（0.09微米），據説2021年出28nm的，但沒有官方消息。
7. 改開後，有不少單位在搞光刻機，絕對沒有中斷研發的事，應該説投入比改開前大多了。這也不是多難的決策，看清楚芯片業與芯片製造裝備的意義並不難。
8. 但可以看出，中國光刻機技術進步不是太大。相比外國，中國光刻機陷入了在低水平小幅改進的困境，拿個電視圖像開發個圖像對準算法就是升級。從技術上來説，這主要是基礎科研能力的跟不上，先進光源搞不定、對準系統精度上不去、各種子系統能力嚴重不足。種種原因，在2000年以後，就沒有跟上業界主流的193nm的DUV光源+浸潤式光刻等先進技術不斷提高製程的過程，更不要説EUV光源13.5nm的國際最頂尖技術了。
9. 也就是説，國外芯片製造在按摩爾定律發展，而中國在早期還能跟上，差距5-7年之類的。隨着倍數越翻越高，對基礎科研的能力要求越來越高，中國就跟不上了。這不是改開後放棄了，而是技術規律。絕大多數技術，外國是線性或者停滯發展，改開以後中國技術追超成效非常好。
10. 現在中國基礎科研相對能力比改開初期要強不少了，所以連光刻機芯片製造都可以追回來，就是要的時間會比其它任務長。收起全文d
