中芯國際：第二代 FinFET N+1 已進入客户導入階段_風聞

IT之家9月21日消息 ，上週有投資者向中芯國際求證中芯關於下一代芯片量產消息，中芯國際回答表示：中芯國際第二代 FinFET N+1 已進入客户導入階段，可望於 2020 年底進行小批量試產。

IT之家瞭解到，中芯國際於 2019 年實現了國內最先進的 14nm 工藝製程量產，並已為華為麒麟 710A 芯片等進行代工。

今年 6 月，中芯國際表示，14nm 晶圓代工產能正處於初期佈局階段，因此全球份額相對較低，不過第一代 14nm FinFET 技術已進入量產階段，而且技術上處於國際領先水平，且具有一定的性價比，目前已同眾多客户開展合作，預測產能利用率可以穩定保持在較高水平。

而關於中芯國際在下一代技術節點的開發情況，中芯國際表示第二代 FinFET 技術目前已進入客户導入階段，與第一代對比有望在性能上提高約 20%，功耗降低約 7%，面積縮小 63%

（注意：這裏是原文筆誤，根據其他來源的表述，功耗降低是57％）

中芯國際表示，14nm 及以下先進工藝主要應用於 5G 、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域，未來發展前景廣闊。

中芯國際 12 英寸芯片 SN1 項目是中國內地第一條 14nm 及以下先進工藝生產線，規劃月產能為 3.5 萬片晶圓，目前已建成月產能 6000 片。

值得一提的是，目前由於外媒分析稱中芯國際在第二代 FinFET 製程能效不及台積電 7nm 工藝，且有博主稱中芯國際第二代 FinFET N+1 技術等效於台積電 8nm 工藝，因此不少媒體以訛傳訛，最後傳出中芯國際官宣 8nm 的烏龍事件。