包括光刻！美國禁運6項關鍵技術_風聞

近日美國商務部工業安全局（BIS）宣佈將六項新興技術添加到《出口管理條例》（EAR）的商務部管制清單（CCL）中。

據瞭解，目前受到出口管制的新興技術總數已經達到了37項。

美國商務部在官網發佈公告中寫道：“此舉是為了支持關鍵及新興技術這一國家戰略.”

“關鍵技術和新興技術國家戰略是保護美國國家安全，確保美國在軍事、情報和經濟事務中保持技術領先地位的重要戰略部署。”美國商務部部長Wilbur Ross説道，並表示“美國商務部已經對30多種新興技術的出口實施了管控，我們將繼續評估和確定未來還有哪些技術需要管控。”

票選“對美國國家安全起到至關重要的作用”的6大技術出爐

公告指出。最新的商業出口管制是依照2019年12月全體大會上達成的協議——《常規軍備和兩用物品及技術出口管制瓦森納協議》實施的。制定和實施對新興技術的多邊控制符合《2018年出口控制改革法案》（ECRA）的要求後，最終確定管控下列幾項新興和基礎性技術的出口將對美國國家安全起到至關重要的作用。

本次被增列商業管制清單的六項新興技術為：

－ 混合增材製造/計算機數控工具；

－ 特定的計算光刻軟件；

－ 用於為5nm生產精加工晶圓的某些技術；

－ 有限的數字取證分析工具；

－ 用於監測電信服務通信的某些軟件

－ 亞軌道航天器

美國實施出口管制的六大技術，都與芯片製造中最重要的設備光刻機息息相關，尤其是當下5nm芯片已成為高端芯片時代的主流產品，EUV光刻機在半導體制程的重要意義可想而知。

“用於製造極紫外線掩模的計算光刻技術軟件”涵蓋EUV光刻所需的特定軟件，包括與三維（3D）效應、掩模陰影效應、光照方向效應、遠距離眩光效應、鄰近效應、抗蝕劑中的隨機性效應以及源掩模優化有關的軟件，這類軟件是在晶圓上做出經過優化的光刻膠圖案必需的軟件；而“用於為5nm生產精加工芯片的技術”旨在應用於面向5nm生產的晶圓，包括對直徑300 mm的硅晶圓進行切片、打磨和拋光以達到某些標準所需要的技術，以及儘量減小平坦度（或SFQR）和表面缺陷的技術以及局部光散射體(LLS)。以上兩類技術都受到國家安全和反恐管制的約束。

目前全世界唯一能生產EUV光刻機的企業只有荷蘭ASML公司，而ASML最大的兩大股東資本國際集團(MSCI)和貝萊德集團(BlackRock,Inc.)都是美國公司，其用於打造EUV光刻機的高精技術也有不少為美國所持有。

美國商務部此舉相當於直接封鎖了高端芯片的製造技術，針對的是誰不用多説。從目前來看，中國作為美國芯片產品最大的採購國之一，受出口管制影響是巨大的。

這是BIS自2018年通過ECRA法令以來實施的第四套新興技術管控措施。BIS在此之前曾公佈了三份聯邦文件通知，對航空航天、生物技術、化學、電子、加密、地理空間圖像和海洋領域的31項新興技術實施了管制，其中大多數是在多邊支持下實施的。其中包括因化學/生物和反恐理由而受管制的24種化學武器前體，以及：

分立微波晶體管（Discrete microwave transistors）

操作軟件的連續性（Continuity of operation software）

Post-quantum密碼學（Post-quantum cryptography）

用作水聽器工作的水下傳感器（Underwater transducers designed to operate as hydrophones）

空中發射平台（Air-launch platforms）

地理空間圖像軟件（單側）（Geospatial imagery software(unilateral)）

一次性生物培育箱（Single-use biological cultivation chambers）

總體而言，受新管制影響最大的幾個行業是航空航天、生物技術、化學、電子、加密、地理空間圖像和海洋行業。正如BIS所承諾的那樣，新興技術是加以嚴格定義的，幾乎都受到多邊管制的約束。

需要注意的是，根據ECRA規定，商務部工業安全局已於2020年8月27日起就基礎技術鑑定徵求公眾意見，公眾意見徵詢期將持續到2020年11月9日，也就是説，未來或許還會有更多新興和關鍵技術被列入出口管制清單的可能。