1nm需要怎樣的光刻機？ASML是這樣説的！_風聞
半导体行业观察-半导体行业观察官方账号-专注观察全球半导体最新资讯、技术前沿、发展趋势。2020-11-30 18:48
來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編譯自「mynavi」，謝謝。
比利時的獨立半導體高科技研究機構——imec每年都會在東京舉辦“imec Technology Forum(ITF) Japan”，並介紹他們的年度研發成果，今年考慮到新冠肺炎的蔓延，於11月18日在線舉行。
首先，imec的CEO兼總裁Luc Van den hove先生做了主題演講並介紹了imec的整體研究內容，並強調指出，imec通過與ASML通力合作研發並實現新一代高解析度EUV曝光技術（高NA EUV Lithography），促使摩爾定律繼續發揮作用，且即使工藝微縮化達到1納米後，摩爾定律也會繼續存在。
不僅是日本半導體企業，其他很多半導體企業也都認為“摩爾定律已經終結”、“成本高、收益低”，因此相繼放棄研發工藝的微縮化，imec始終提倡為摩爾定律續命，因此是當下全球最尖端的微縮化研究機構。
日本的曝光設備廠家也在研發階段放棄了EUV曝光技術（這對實現超微縮化是必須的），而imec和ASML合作拿公司的命運做賭注，時至今日一直在研發 。
Imec公佈了1納米以後的邏輯半元件的技術藍圖
Imec在ITF Japan 2020上公佈了3納米、2納米、1.5納米以及1納米及後續的邏輯元件的技術藍圖。
第一行的技術節點（Node）名下面記錄的PP為Poly-silicon排線的中心跨距（Pitch，nm），MP為金屬排線的中心跨距（Pitch，nm）。此處，我們需要注意的是，以往的技術節點指的是最小加工尺寸、柵極（Gate）的長度，如今不再指某個特定場所的物理長度，而是一個符號。
此處的展示的採用了BPR、CFET、2D材料的溝槽（Channel）結構以及材料已經在別處的演講中提及。
EUV的高NA化對於進一步實現微縮化至關重要
TSMC和三星電子從7納米開始在一部分工程中導入了NA=0.33的EUV曝光設備，也逐步在5納米工藝中導入，據説，2納米以後的超微縮工藝需要更高解析度的曝光設備、更高的NA化（NA=0.55）。
ASML已經完成了高NA EUV曝光設備的基本設計（即NXE：5000系列），預計在2022年前後實現商業化。這款新型設備由於光學方面實現了大型化，因此尺寸較大，據説可達到以往潔淨室（Clean Room）的天花板。
一直以來，ASML都和imec以合作的形式研發光刻技術，為了推進採用了高NA EUV曝光設備的光刻工藝的研發，imec在公司內新設立了“IMEC-ASML HIGH NA EUV LAB”，以共同研發，且計劃和材料廠家共同研發光掩模（Mask）、光刻膠（Resist）等材料。
最後，Van den hove先生表示未來會繼續推進微縮化：“實現邏輯元件工藝微縮化的目的在於俗稱的PPAC，即Power（功耗）的削減、Performance（電氣性能）的提高、Area（空間面積）的縮小、Cost（成本）的削減。當微縮化從3納米、2納米、1.5納米發展到1納米以後，即發展到Sub-1納米的時候，需要考慮的因素不僅是以上四項，還有環境（Environment）因素，希望未來繼續發展適用於可持續發展社會的微縮化工藝。”
