芯片行業，我們沒底子嗎？_風聞

【本文來自《有些人以原子彈作為芯片研發信心來源，但芯片從業人員是這麼想的嗎？》評論區，標題為小編添加】

　　作者看到幾個負面的例子，就覺得別人“達到看不到問題的地步，就成了自負”。其實是作者自己達到看不到成就的地步，就成了自卑。

　　其實，中國在芯片產業上的最大難點不是設計，也不是代工，如中芯國際，而是集成電路製造裝備，尤其是光刻機。另一方面，中國在集成電路製造裝備並非一片空白，而是已經有了很強的基礎。

　　中國對集成電路製造裝備一直有規劃，是國家重大科技專項中的02專項。

　　“十一五（2006-2010年）”的目標是：重點實現90納米制造裝備產品化，若干關鍵技術和元部件國產化；研究開發出65納米制造裝備樣機；突破45納米以下若干關鍵技術，攻克若干項極大規模集成電路製造核心技術、共性技術，初步建立我國集成電路製造產業創新體系。

　　“十二五（2011-2015年）”的目標是：重點進行45-22納米關鍵製造裝備攻關，開展22-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路製造產業鏈，進一步縮小與世界先進水平差距，裝備和材料佔國內市場的份額分別達到10%和20%，開拓國際市場。

　　“十三五（2016-2020年）”的目標是：攻克14納米刻蝕設備、薄膜設備、摻雜設備等高端製造裝備及零部件，突破28納米浸沒式光刻機及核心部件，研製300毫米硅片等關鍵材料，研發14納米邏輯與存儲芯片成套工藝及相應系統封測技術，開展7-5納米關鍵技術研究，形成28—14納米裝備、材料、工藝、封測等較完整的產業鏈，整體創新能力進入世界先進行列。

　　由上可見，目標在不斷提高。“十四五”的目標應該是製造7-5納米芯片的裝備了。

　　至於光刻機，長春光機所和國防科技大學成功研製了含有非球面光學元件的投影光刻曝光光學系統，極紫外EUV投影光刻機曝光光學系統也成功突破，獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。中國科學院光電研究院等已完成國內首台 “65納米 ArF 步進掃描雙工件台光刻機曝光光源”製造任務和 “45納米以下浸沒式曝光光源研製與小批量產品生產能力建設”任務。清華大學已經可以生產90納米光刻需要的雙工件台，28至65納米的雙工件台也已研製成功。浙江大學研製出浸液控制系統樣機。總體來説，一兩年內有望國產化能加工28納米芯片的光刻機。

　　所以，作者的觀點 “芯片行業，我們沒底子” 是錯誤的。