中國半導體功率器件設計領軍者——新潔能今日登陸A股

9月28日，中國半導體功率器件設計領軍者——無錫新潔能股份有限公司（股票簡稱“新潔能”、股票代碼“605111”）在上交所主板正式掛牌上市，本次A股發行價為19.91元/股，發行數量為2530萬股，保薦機構（主承銷商）為平安證券股份有限公司。

連續4年榮膺“中國半導體功率器件十強企業”

新潔能成立於2013年1月，專業從事MOSFET（金屬—氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售。公司是專業化垂直分工廠商，芯片主要由公司設計方案後交由芯片代工企業進行生產，功率器件主要由公司委託外部封裝測試企業對芯片進行封裝測試而成。公司已初步完成部分先進封裝測試生產線的建設，將部分芯片自主封裝成品後對外銷售。公司產品系列齊全，廣泛應用於消費電子、汽車電子、工業電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備製造、物聯網、光伏新能源等領域。自2016年以來，公司連續4年名列中國半導體行業協會發布的“中國半導體功率器件十強企業”，為國內領先的半導體功率器件設計企業之一。

公司是高新技術企業，且為中國半導體行業協會會員、中國電源學會理事單位。公司亦為江蘇半導體行業協會 2017 年度先進會員單位，已建立了江蘇省功率器件工程技術研究中心、江蘇省企業研究生工作站、東南大學-無錫新潔能功率器件技術聯合研發中心。公司已獲得 2019 年度江蘇省科學技術一等獎，並獲得 2020 年度國家技術發明獎提名。截至 2020 年 1 月 19 日，公司擁有 97 項專利，其中發明專利 35 項、實用新型 59 項，外觀設計3 項。此外，公司已通過 ISO9001 質量管理體系認證等多項權威認證。

率先掌握超結理論技術，三季報營收與淨利雙雙大幅預增

新潔能基於全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品，是國內率先掌握超結理論，並量產屏蔽柵功率 MOSFET 及超結功率 MOSFET 的企業之一，是國內最早同時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產品平台的本土企業之一。

截至 2020 年 1 月 19 日，公司擁有 97 項專利，其中發明專利 35 項，發明專利數量和佔比在國內半導體功率器件行業內位居前列；公司擁有的該等專利與MOSFET、IGBT、功率模塊以及先進工藝技術密切相關，對公司核心技術形成了專利保護，對同行業競爭者和潛在競爭者均形成了較高的技術壁壘。

此外，公司參與在IEEE等國際知名期刊中發表論文 13 篇，其中 SCI 收錄論文 7 篇，不斷提升公司自身在先進功率半導體領域的整體技術水平，縮小了與國際一流半導體功率器件企業的技術差距，拉大了與國內同行業競爭者的技術差距。

公司與科研院所在功率器件設計領域開展長期合作，針對重點項目成立了技術攻關小組。公司持續推進高端 MOSFET、IGBT的研發和產業化，在已推出先進的超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數款產品基礎上，進一步對上述產品升級換代。公司目前亦率先在國內研發基於12 英寸晶圓片工藝平台的 MOSFET 產品，部分產品已處於小批量風險試產環節。公司還進一步提前佈局半導體功率器件最先進的技術領域，開展對SiC/GaN 寬禁帶半導體功率器件的研究探索和產業化，緊跟最先進的技術梯隊，提升公司核心產品競爭力和國內外市場地位。

報告期各期（2017年度~2019年度），新潔能分別實現營業收入50,375.98 萬元、71,579.03 萬元和 77,253.69 萬元，淨利潤分別為 5,189.11 萬元、14,141.89 萬元和 9,820.95 萬元。

值得一提的是，新潔能預計 2020 年 1-9 月營業收入區間為 64,000.00 萬元至 65,500.00 萬元，同比上漲 18.05%至 20.82%；預計 2020 年1-9 月歸屬於母公司所有者的淨利潤區間為 9,200.00 萬元至 9,700.00 萬元，同比上漲 44.82%至 52.69%。

政策扶持、進口替代！我國半導體分立器件業藴含巨大發展契機

目前，我國已經成為全球最重要的半導體分立器件製造基地和全球最大的半導體分立器件市場。據中國半導體行業協會統計，2017年我國半導體分立器件市場規模已達到2473.9億元，2018年我國半導體分立器件全年銷售規模為2658.4億元，較2017年增長7.50%。從技術發展水平來看，目前國內半導體分立器件行業的整體技術水平仍與國際領先水平存在一定的差距。但隨着國家鼓勵政策的大力扶持、半導體分立器件國產化趨勢顯現，以及下游應用領域需求增長的拉昇，我國半導體分立器件行業藴含着巨大的發展契機。

據中國半導體行業協會統計，2017年中國半導體分立器件進口金額為281.8億美元，相較於2014年進口額下降了10.20%。未來，隨着國內企業逐步突破行業高端產品的技術瓶頸，我國半導體分立器件對進口的依賴將會進一步減弱，進口替代效應將顯著增強。

根據全球知名市場研究機構 IHS 統計數據顯示，2016 年、2017 年國內MOSFET 市場份額分別為 22.07 億美元、26.39 億美元。新潔能 2016 年、2017 年分別佔國內 MOSFET 市場份額比例分別為（年度平均匯率分別為 6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司為除英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞薩電子（Renesas Electronics）等 9 家外資品牌外的國內排名前茅的 MOSFET研發設計及銷售本土企業。根據 IHS、電子工程世界網 Yole 相關數據，2018 年全球 MOSFET 市場份額預計將增長至 76 億美元，比照 Yole 關於國內功率器件佔全球份額約 39%測算，國內 2018 年 MOSFET 市場份額預計將達到 29.64 億美元，新潔能佔國內 MOSFET 市場份額比例達 3.65%。

市場研究機構 IC Insights 指出在各類半導體功率器件組件中，未來增長最強勁的產品將是 MOSFET與 IGBT 模塊。

新潔能本次發行募集資金扣除發行費用後，將主要用於“超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化項目”“半導體功率器件封裝測試生產線建設項目”“碳化硅寬禁帶半導體功率器件研發及產業化項目”“研發中心建設項目”及“補充流動資金”。

對於公司的發展戰略，新潔能董事長、總經理朱袁正先生在上市路演中表示：作為國內半導體功率器件領先企業，公司將專注於中高端半導體功率器件和模塊的研發設計及銷售。在保持MOSFET產品技術和市場優勢基礎上，公司將不斷引進各類管理、技術、營銷人才，構建高效、現代化的經營管理體系，進一步拓展MOSFET產品、重點深化IGBT產品，成為國內自主創新、技術領先、品質高端的自主品牌的優質企業。同時，公司將進一步加大研發投入，持續整合半導體功率器件封裝測試環節垂直產業鏈，掌控先進半導體功率器件封裝產線並佈局SiC/GaN（碳化硅/氮化鎵）寬禁帶半導體功率器件，進一步強化企業核心競爭力，加快發展成為國際一流的半導體功率器件企業。