國產光刻機五十年：星星之火，可以燎原？_風聞
返朴-返朴官方账号-关注返朴（ID：fanpu2019）,阅读更多！2021-01-29 16:00
“星星之火，可以燎原。現在雖只有一點小小的力量，但它的發展會是很快的。”
—— 《毛澤東選集》第一卷
撰文 | 陳辰
2001年2月27日，中科院院士、北大微電子研究院院長王陽元在中南海作了一場報告，分析我國發展微電子和集成電路產業的必要性、緊迫性、措施和建議。這次報告讓與會者對半導體的戰略地位有了進一步理解。
當時主持會議的國務院副總理在聽取報告後，隨即指出：集成電路是電子產品的“心臟”，是信息產業的核心基礎，因此必須大力發展集成電路產業。無疑，這一結論給國內半導體產業發展帶來了舉足輕重的動力。
2002年，光刻機被正式列入“863重大科技攻關計劃”。隨後，在科技部和上海市政府牽頭下，國內多家科技企業共同組建了上海微電子，以承擔攻堅項目任務。其中重點研發的是100nm步進式掃描投影光刻機。
大任降於誰？時任上海電氣總公司執行副總裁賀榮明挑起擔子，任上海微電子總經理。公司剛成立不久，他就躊躇滿志的帶着技術團隊去歐洲、美國等地開展技術合作。但沒想到是，對方卻幾乎都把他當“國際騙子”。
在賀榮明提出“中國人也要做光刻機”時，外國專家的眼神裏充滿了詫異和不信任，而且多多少少帶着對中國科技人員的不屑和蔑視，一名德國工程師甚至撂下一句狠話：“就是給你們全套圖紙，你們也做不出來！”
自尊心受到此番刺激，賀榮明很不服氣。在回國後很長一段時間內，他都是懷着賭氣的心思帶領團隊奮鬥。而這樣的憤懣直到多年後，上海微電子設計並交付了第一台國產封裝光刻機，給中國台灣客户時才得以消解。
“我們真的從來沒想到中國人可以做出光刻機，作為中國人我為此感到自豪。”客户的肯定似乎引發了情感宣泄口，後來賀榮明在一次公司大會上説，“如果我們的存在和努力能夠獲得同行尊重，做什麼都值了！”
時至今日，上海微電子已成為國內最先進的光刻機設備廠商，在封裝光刻產品國內市場佔有率達80%、全球市場佔有率為40%。另外，其LED/MEMS/功率器件光刻機性能指標領先，而且LED光刻機市場佔有率第一。
但在用於芯片製造的前道光刻機領域，上海微電子可量產的最先進設備僅處於90nm工藝製程節點。縱然其披露將於2021年交付28nm製程光刻機，也與荷蘭企業阿斯麥（ASML）的5nm以下製程設備相差甚遠。
顯然，在光刻機的自主攻堅之路上，國內企業和科研機構等依然任重道遠。而如果鈎沉歷史，國產光刻機的星星之火，有過旺盛，有過湮滅，有過重燃，最終走到了現在的模樣。若展望將來，這把火是否還能燎原？
01 曙光
1952年，戰爭硝煙剛剛散去，中國便開啓了一項科技事業：成立電子計算機科研小組，由中科院數學所所長華羅庚負責。隨後十餘年，國內陸續試製成功第一隻晶體三極管、第一隻鍺晶體管和第一代硅平面晶體管。
時至1965年，北京、石家莊和上海等地相誕生第一塊集成電路。這標誌着中國開始用光刻技術製造芯片。而接着經歷近十年停滯不前後，隨着高考恢復及科研事業興起，國人重新燃起了對半導體技術的追求與渴望。
同年，行業就傳來捷報：中國第一台GK-3型半自動接觸式光刻機誕生。但這種光刻機相對粗糙，只是將光罩直接壓在硅片上、再用燈光照射。因此，其光罩易變形和造成污染、難以重複使用，與國際水平差距較大。
對比來看，美國早在五十年代已擁有接觸式光刻機。這意味着中美技術相差達20年左右。1978年，美國GCA公司又推出真正意義的自動化步進式光刻機。而當年中科院1445所升級開發的GK-4，仍沒有擺脱接觸式。
不過，在思潮拐點來臨前，人心齊泰山移。1980年，清華大學研製出分佈式投影光刻機，精度3微米；1981年，中科院半導體所研製出JK-1型半自動接近式光刻機；1982年，中科院109廠研製出KHA-75-1光刻機……
這些設備水平均不低，甚至接近國際主流水平。到了1985年，中電科45所研製出的分步式投影光刻機，被電子部技術鑑定為：達到GCA在1978年推出的4800DSW光刻機水平。這使中美光刻機技術差距縮短至7年。
但也有行業人士指出：這些設備偏科研項目，沒有經過產線驗證，並不能代表真實水平。另外，有一段時間，國內相關研究成果及論文，在通過專家評審後即被束之高閣，導致光刻機技術停留在“紙上談兵”階段。
不過，受此影響，且在市場化剛啓動下攻克技術、製造出設備，就更能代表硬核實力。如果梳理國產光刻機早期發展脈絡也可以發現：五十年代奠基，六七十年代一路向前，而八十年代前期僅次於美國，甚至比肩日本、領先韓台。
整體上，在二十餘年間，老一輩革命者和建造者奉獻自己的青春，造就了中國半導體產業的特殊榮光：從單晶製備、設備製造、集成電路製造的全產業鏈，自給自足性之強逐步達到了頂峯，且基本不依賴國外進口。
02 內憂
伴隨着國門初開，中國半導體的盛景下也存有隱憂。1980年，無錫的江南無線電器材廠（742廠）引進日本東芝的電視機集成電路5微米全套產線後，迅速崛起成為國內產能最大、工序最全的現代化集成電路製造廠。
這意味着，中國第一次從國外引進集成電路技術產線獲得了極大成功。此後，全國有33家單位不同程度地引進各種集成電路生產線設備，累計投資約13億元。但由於面臨多重困難，最終只有少數幾條產線建成使用。
出現這種情況也有其特殊時代背景。1984年，十二屆三中全會明確提出：進一步貫徹執行對內搞活經濟、對外實行開放的方針。其中為搞活經濟，“撥改貸”政策應運而生。此後，一些半導體項目因貸不到款而停滯。
但是，仍有極少部分重點項目一直在跟進研發。如中電科45所，分別在1985年和1994年別研製出g線1.5微米和0.8微米分步式投影光刻機；中科院光電所，於1991年研製出分辨率1微米同步輻射X-射線光刻機等等。
另外，在擴大對外開放環境下，“造不如買”的思潮迅速蔓延全國。於是，各地政府大量引進國外的半導體設備和產線；一大批企業拋棄獨立自主、自力更生的方針，盲目引進開放，走上以“貿工技”為指導的發展路線。
比如1986年，國家制定改革開放以來首個發展集成電路的重大舉措——531戰略，即普及推廣以742廠為基點的5微米技術，同時開發3微米、攻關1微米技術。但是，742廠後兩種技術的設備和技術仍然全從國外引進。
此後，由於缺少支持和頂層設計等，國產集成電路的科研、教育及產業上出現脱節。在科研上，國內追隨國外製定的技術標準和技術體系；在教育上，與金融貿易相關的專業都成了熱門，軟件工程師則變成冷門職業。
在產業上，一些半導體企業熱衷於為外企做組裝，以大量廉價勞動力來換取經濟利益。而極少數堅持自主路線的企業，只能在買辦和外資的擠壓夾縫中生存。於是，中國原有的獨立半導體科研和產業體系已然崩塌。
伴隨着東亞尤其韓國半導體產業的突飛猛進，政府也意識到發展集成電路的重要和緊迫性。九十年代中期，中央領導更指示，“砸鐵賣鐵也要把半導體產業搞上去。”於是，橫跨十年的908、909工程宣告啓動。
但最終，兩項工程的主體承擔企業無錫華晶和上海華虹，要麼失敗要麼收效甚微。而覆巢之下，安有完卵？沒有市場、資金和人才等支撐，國產光刻機在整個九十年代再無更大建樹，且與國際水平差距越拉越大。
03 外患
國內半導體產業的起伏跌宕，外部因素同樣十分重要。八十年代初，在自動化步進式光刻機出現後，全球正式開啓了羣雄爭霸的光刻機大發展時代。日本的尼康、佳能開始與美國GCA、Ultratech、Eaton等一較高下。
1984年，尼康已經和GCA平起平坐，各佔全球三成市場，Ultratech佔約一成，剩餘幾家每家都不足5%的市佔率。也是這一年，阿斯麥成立。後來，由於日本動態存儲芯片出現大規模產能過剩，價格大幅下跌近80%。
自此，美國半導體產業遭受巨大打擊，包括GCA、Ultratech等一眾光刻機廠商出現嚴重財務危機，從而在被邊緣化的道路一去不復返。於是美國政府開始反制。倒是阿斯麥因為公司體量小，損失不大，繼續開發新品。
而這時在國內持續擴大對外開放下，一方面，半導體企業紛紛轉向在國際光刻機廠商之間“精挑細選”。另一方面，908、909等大型工程也分別選擇與美、日企業合作。這導致國內光刻機產業受到嚴重衝擊與擠壓。
此外，國際政治環境變化也帶來極大挑戰。早在“巴黎統籌協會”框架下，西方就一直對社會主義國家實施高技術禁運，其中包括對光刻機限制性出口。而隨着冷戰結束、“巴統”解散，中國便成為被針對的主要矛頭。
1996年7月，在美國主導下，33個西方國家簽署了《關於常規武器和兩用物品及技術出口控制的瓦森納協定》。要知道，“巴統”曾只有17個成員國，而《瓦森納協定》現已擁有42個成員國。俄羅斯也成了其中一員。
在這一框架下，西方國家對中國半導體技術及光刻機等設備出口，一般都遵循“N-2”的原則審批，即比最先進技術落後兩代。如果再在審批過程中適當拖延一下，基本上中國能拿到的設備技術就落後三代甚至更多。
即便是已出口的光刻機也有保留條款，包括禁止給國內自主芯片做代工，不得生產用於軍事科研和國防領域的芯片。此外，《瓦森納協定》還限制華裔工程師進入歐美知名半導體公司的核心部門，以防技術泄露。
同樣重要是的，雖然《瓦森納協定》允許成員國在自願基礎上對各自的技術出口實施控制，但實際成員國在重要技術出口決策上都受到美國的影響。比如美國就曾干預阻斷西方國家對華出口光刻機、雷達系統等。
在外部發展空間日益逼仄下，為了開闢一條生路，國內曾提出“以市場換技術”，大幅降低關税。但這卻導致國內集成電路產業，包括光刻機受到狂風暴雨般的衝擊。此後，國內光刻機市場成為歐美日企業的天下。
04 覺醒
1999年，北約入侵科索沃時，美國的電子信息戰癱瘓了南聯盟幾乎所有網絡通訊系統。這讓中國政府為之一震。當時的信產部、科技部多次召開緊急會議討論：一旦與美國鬧掰，國家信息安全將面臨怎樣的威脅？
基於國家信息安全及產業發展考慮，2000年6月，國務院印發《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》，即18號文件。在政策補助和龐大市場等刺激下，中國整個半導體產業出現海歸創業和自主發展熱潮。
緊接着，2002年，光刻機被列入“863重大科技攻關計劃”。其中，上海微電子是攻關項目主體承擔企業，而中電科45所原分佈式投影光刻機研發團隊整體遷至上海蔘與“助攻”。自此，國產光刻機事業才再度覺醒。
但這時的光刻機對技術、精度、速度要求已高到難以想象，逐步成為一種集合數學、光學、流體力學、高分子物理與化學、表面物理與化學、精密儀器、機械、自動化、軟件、圖像識別等領域頂尖技術的產物。
另外，温度、濕度、光線等都會影響到最終的研製成敗。連賀榮明也不得不承認：“其難度相當於兩架大飛機從起飛到降落，始終齊頭並進。一架飛機上伸出一把刀，在另一架飛機的米粒上刻字，不可以出差錯。”
因此，上海微電子要造出光刻機，無異於在沙漠上蓋起一棟摩天大樓。沒有人才團隊，沒有技術積累，沒有配套的供應鏈。一切幾乎都從零開始，而且西方國家的限制很多。但是，“世上無難事，只要肯登攀。”
2002年，在上海張江高科技園區張東路1525號，一片農田開始“換新顏”。在其中一方魚塘旁，上海微電子開工建設，落地紮根。而賀榮明帶着幾位滿懷夢想的“戰友”來到張江，開啓了研製國產光刻機的艱難之路。
“除了出差，每天早上7點出門，晚上10點回家，週六保證不休息，週日休息不保證。這就是我十幾年生活的全部。”賀榮明在接受《解放日報》採訪時説，“我講不出你們要聽的精彩故事，只不過十幾年幹了一件事。”
當記者提問，“如果你幹幾年就離開，會不會發展得比現在好？”他回答道：通常賽馬的雙目邊都有塊“板”，這樣馬的視覺廣角小一點，就更專心往前跑。“歷史賦予我們研發中國光刻機的任務，也就不該再想別的了。”
雖然公司得到政府資金支持，但賀榮明認為，企業如果不具備在市場競爭中“自我造血”能力，是不會長久的。於是他在攻堅100nm前道光刻機時，抽調部分人員研製封裝光刻機。後來，事實證明他這次“賭”對了。
05 破局
就在上海微電子成立時，國際光刻機技術取得了重大突破。此前，光刻光源已被卡在193nm無法進步長達20年。各國科學家和產業界一直在探討解決方案。最終，2002年，台積電提出的浸入式193nm方案獲得成功。
此後，阿斯麥抓住機會與台積電合作，在一年的時間內就開發出了樣機，並在之後推出浸入式光刻機XT:1700i。這台設備比之前最先進的幹法光刻機分辨率提高了30%，可用於45nm量產，助推阿斯麥加速走向霸主。
而同期中國剛剛啓動193nm ArF光刻機項目，即落後了國際水平20多年。於是，上海微電子開啓艱苦追趕，並在2007年宣佈突破365nm光波長的DUV（深紫外）光刻技術，研製出90nm工藝的分佈式投影光刻機。
於是，2008年，國家成立了“極大規模集成電路製造裝備與成套工藝專項”（02專項），主攻高端裝光機技術，以及材料和工藝等產業配套能力。根據02專項，國產光刻機研發工作採用類似“Out House”研發模式。
此後，除了整機制造，國家扶持了一批配套企業的研發，如長春光電所、上海光電所和國科精密研究曝光光學系統，北京華卓精科承擔雙工件台，南大光電研製光刻膠，啓爾機電負責突破DUV光刻機液浸系統等。
在持續的投入攻堅下，光刻機產業鏈環節開始取得突破。2016年，國科精密研發的國內首套用於高端IC製造的NA=0.75投影光刻機物鏡系統，國望光學研發的首套90nm節點ArF投影光刻機曝光光學系統都已交付。
同年，上海微電子SSX600系列三款步進掃描投影光刻機實現量產，其中SSA600/20光刻機分辨率達到了90nm。但是，這也意味着上海微電子用了九年時間才實現90nm光刻機量產，而且仍沒有做出更先進的產品。
具體而言，90nm製程的光刻機一般用於電源管理芯片、MCU等非核心芯片的生產，並不能滿足智能手機處理器等產品的需求。目前，大陸芯片代工龍頭中芯國際14nm晶圓代工產線上，即採用阿斯麥的DUV光刻機。
不過，雖然國產光刻機還沒走出困境，但細枝末節處已見微光。2016年，華卓精科成功研製出兩套雙工作台樣機，並通過02專項驗收。自此，華卓精科打破了阿斯麥的壟斷，成為世界第二家掌握這項技術的企業。
06 燎原？
相比阿斯麥背靠歐美先進研究成果，手持英特爾、三星和台積電等股權投資換來的鉅額研發資金等，頂着《瓦森納協定》的國產光刻機產業，成長基石明顯處在低窪劣勢。那麼國產光刻機的星星之火，還能燎原嗎？
在光刻機的複雜產業鏈上，可分為兩大部分，一是光刻機核心組件，包括光源、鏡頭、雙工件台、浸液、曝光光學等關鍵子系統；二是光刻配套設施，包括光刻膠、光掩膜版、塗膠顯影、光刻氣體和缺陷檢測等。
2018年11月，中科院研製的“超分辨光刻裝備”通過驗收。其光刻分辨力達22nm，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10nm級芯片；2019年，清華大學和華卓精科的雙工件台系統完成研發和試產基地建設。
曝光系統和雙工件台關鍵系統的成功，成為國產光刻機產業鏈燎原的起點星火。目前，浙江大學流體動力與機電系統國家重點實驗室和啓爾機電研發的浸液系統，水平排名世界第三。而前兩名分別是阿斯麥和尼康。
此外，中科院光電研究院負責的準分子激光光源系統，由北京科益虹源負責產業轉化，研究成果40W 4kHz ArF光源已經交付。這項成果繼美國Cymer（已被阿斯麥收購）、日本Gigaphoton公司後，位列全球第三。
“如今在我們超潔淨度的廠房裏，一台台佔地幾十平方米的光刻機，就像一個個思想的巨人矗立在那裏。”賀榮明時常隔着玻璃，凝視這那些由幾萬個超精密零件和數百萬代碼組成的複雜系統，似乎能從中看到光量。
為了使整個研製過程處於良好受控狀態，賀榮明一邊努力學習並借鑑世界上大型複雜工程項目的管理案例，一邊將創新視為企業的生命和永恆的“發動機”。而他的夢想是：讓國際同行增加對中國科技工作者的尊重。
目前，我國經濟社會運轉高度依賴進口半導體，對外依存度達八成。預計2020年芯片進口額將繼續逾3000億美元，並仍遠超排名第二的原油進口額。而一旦國產光刻機突破28nm以下技術，將產生極大“燎原”之勢。
07 前路
在設備類別上，光刻機分為前道和後道光刻機，前道光刻機用於芯片製造，後道光刻機則主要用於芯片封裝。目前，全球前道光刻機市場完全被阿斯麥、尼康和佳能壟斷，而上海微電子是後道光刻機領域的霸主。
而在前道光刻機領域，即便上海微電子披露將於2021年交付28nm製程設備，也仍與阿斯麥5nm製程的光刻機，足足存在22nm、14nm、10nm、7nm四代差距。但上海微電子的DUV光刻機水平，仍然有望追平阿斯麥。
在工藝技術上，光刻機可分為無掩模和有掩模光刻機，前者技術壁壘相對較低，一般用於高分辨率掩模版、集成電路原型驗證芯片等特定芯片領域。而技術壁壘較高的有掩模光刻機，多用於先進製程的前道工藝中。
如果再細分，無掩模光刻機又可分為電子束直寫光刻機、離子束直寫光刻機、激光直寫光刻機。而有掩模光刻機可分為接觸/接近式光刻機，及投影式光刻機。此外，有掩模光刻機還可按照光刻光源的代際進行劃分。
目前，上海微電子正在研發的193nm光波長ArF（氟化氬）浸沒式光刻機屬於第四代光刻機，可用於45-22nm製程芯片生產。而第五代的EUV光刻機採用13.5nm波長的光源，是突破7nm芯片製程節點必備的工具。
另據方正證券2020年發佈的一份研報，在02專項光刻機項目二期中，設定於2020年12月驗收193nm光波長ArF浸沒式DUV光刻機。而這台設備直接對標的就是，阿斯麥現階段最強DUV光刻機TWINSCAN NXT：2000i。
雖然在短時間內，上海微電子可能無法實現193nm光波長ArF浸沒式DUV光刻機的量產，但這一技術突破的戰略意義毋庸置疑。要知道，理論上來説，193nm光波長ArF浸沒式DUV光刻機可以用於7nm製程芯片的生產。
至於將來更長遠的發展，曾有專家説過，EUV光刻機並不是必需的。而常被拿來佐證這一觀點的案例是，中芯國際N+1、N+2代工藝都不會使用到EUV工藝，而台積電也是在第三代7nm工藝才開始引入EUV光刻機。
08 挑戰
凡事預則立，不預則廢。當前，國產前道光刻機產業的發展仍面臨不少問題與挑戰。首先，在組織方面，參與國內光刻機研發的有高校、企業和研究所，力量相對分散，產、學、研各界整體存在“各自為政”的情況。
雖然02專項在梳理，但仍有待設立一個由政府和企業共同管及運行的聯盟組織，來統一規劃、推動整個國產光刻機產業的發展。多位業內人士也認為，建立一個產業聯盟，多方吸納、分層引導的思路或許更可取。
其次，光刻機需要與產業緊密結合。國內半導體企業目前大部分採用阿斯麥的光刻機，而非選擇與上海微電子共研，支持最新工藝的光刻機。但芯片製造的卡脖子之痛，會讓產業鏈企業對國產設備比之前更為重視。
另外，光刻機產業技術的創新能力，本質還在於人才。以上海微電子為例，公司研發人員較長期只有數百人，2019年初達到1150名，但僅為阿斯麥的1/6。因此，源源不斷地增強新的儲備人才，同樣十分重要。
隨着全球化的演變，供應鏈國際化仍是不可阻擋的發展趨勢。比如在阿斯麥EUV光刻機的超10萬個零件中，就有90％的關鍵設備並非來自荷蘭。但是在西方的技術限制下，中國一直很難獲得世界先進水平的設備供應。
當前，國際貿易環境似乎正變得更加嚴峻。2018年，中芯國際花費約1.2億美元，向阿斯麥訂購了一台EUV光刻機。但在美國千方百計阻撓下，目前這台光刻機還未成功交付。由此，自主攻關光刻技術已變得意義非凡。
不過，一味強調“完全國產化”，倒不如放眼長遠，站在全球系統的視野來制定正確發展策略，在加大技術和專利積累同時，密切國內外合作關係。國產光刻機的發展路徑，應不侷限於國內，而是全球化的“國產化”。
而在國產光刻機努力追趕的路上，動不動就鼓吹“突破技術封鎖”論調，不僅容易滋長盲目自信、引發外部恐慌或更強壓制，對國內科技領空的發展也沒什麼益處。因此，對外強調產業鏈的合作與共贏是重要方向。
在國際競爭中，光刻機技術創新與發展是一場多維較量。有一次工作彙報，賀榮明做了一個特別的分享。期間，他提到曾用自有專利對很多在中國申請專利保護範圍過大的專利進行阻擊，將其保護範圍縮小一半。
此外，賀榮明還説：“我深深感到和體會到在未來的世界中，一個國家的大小已經不是由疆土的面積來衡量了，而是由科技領空的大小來決定。守護和拓展我們國家的科技領空，如果我們這代人不擔當，誰來擔當？”
09 尾聲
浮沉五十載，國產光刻機大崛起到來前，道阻且長。如果梳理發展軌跡，它便類似一個“N”字形。其中前二十年，科研人員將20年的差距縮短到7年；中間十五年，將7年差距重新送回20年。而近十五年又在大力追趕。
在最初時期，中國科研人員有強烈的憂患意識。他們在研發初期，就將半導體供應鏈本土化渠道、成品率、可靠性和穩定性等多種因素擬定在整體項目方案中。但伴隨中美建交及改革開放推進，情形開始發生變化。
加大對外開放也引發了思潮震盪。在產業政策、頂層設計變化及與外界交流增多等情況下，許多企業為短期或生存利益受到“造不如買”思想侵蝕。但這條路顯然會使科技強國越強、弱國越弱，是中國當前不可取的。
進入新世紀，整個中國半導體幡然醒來。此後歷經9年，上海微電子突破90nm光刻機技術，然後用9年實現量產；足足歷時近20年，其193nm光波長ArF浸沒式光刻機才將突破。而同樣時間內，阿斯麥已登頂世界之巔。
英國一位經濟學家曾指出，政府與企業長期而富有戰略性的引導和投入，是突破性創新的絕對先決條件。是的，在光刻機領域，需要國家的戰略投入，及引導政府、科研與企業等協同發展。因為這是一場民族圖騰。
如今，賀榮明的頭髮已全然花白，但他仍在引導公司向“兩彈一星”團隊學習自力更生、大力協同，並經常對員工們表示：如今國家對自主創新的支持力度史無前例，一定要珍惜這個時代。那為什麼要珍惜這個時代？
不難發現，光刻機產業背後的邏輯是：其可以製造手機、電腦、電視、導彈和航天飛機等等設備芯片，因而涉及國計民生，以及科技、軍事和社會經濟方方面面發展。而在一個人民國家，必然會大力支持這項事業。
當前，資金到位、產業鏈聚集，圍繞着一家大陸有且僅有的光刻機未來巨頭，雙工作台、光學、光源、物鏡及浸沒系統等產業鏈的各環節都被撬動起來。一個暫時落後卻也能夠基本自足的產業鏈，已在慢慢長成。
有人把上海微電子比作全村希望，也有人將國內光刻機產業鏈當成星星之火。但在一起，才能匯聚成一團星火，才能旺盛，才能燎原。而經歷五十載跌宕洗練，以及國際形勢風雲變化，這星火的鬥志已不容稍減！
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