光刻機不該成為不可逾越的"卡脖子"技術_風聞

我將從三個方面方面闡述光刻機不該成為"卡脖子"技術：第一、光刻機是什麼？第二、為什麼ASML光刻機成了不可逾越的神話？第三、ASML光刻機是可以愉悦的，技術難度也不大；第四、為什麼當前國產光刻機遠遠落後於ASML？

第一，光刻機是什麼？光刻機只是一台反射型投影成像光學儀器，它不涉及超衍射極限，納米技術，量子技術，石墨烯等前沿高新技術，它嚴格遵守了基礎光學原理，它完全是應用光學、精密機械技術製造出來的，沒有不可逾越的技術困難。

第二、為什麼ASML光刻機成了不可逾越的神話？是因為：

ASML採用13.5納米光源，該光源只有美國一家公司製造，台積電用該型號光刻機，實現了5納米制程。而國產光刻機光源是194納米，一般認為該光刻機的衍射極限半寬值是90納米，是7納米的13倍，這就造成ASML光刻機無法逾越的神話，知乎上還出現光刻機和氫彈比較的荒唐事。

第三、ASML光刻機的技術水平是可以接近的，並不是不可逾越：

一、90納米和7納米的差距，其實不存在。國產光刻機90納米是該光刻機衍射值的簡單計算；7納米是台積電使用光源是13.5納米的ASML的光刻機，實現的一種水平，是7納米制程，不是超衍射極限值，ASML13.5納米掛鈎科技的理論衍射極限不是7納米，一般是接近70納米。真要比較，那就是使用相同光刻機的台積電和美國英特公司之間的比較，一個5納米制程，一箇中止在14納米制程上，台積電使用ASML光刻機的水平遠遠高於美國英特公司。

二、ASML光刻機光源採用的是13.5納米，只能採用反射光率，數值孔徑值一般0.05，最多0.1，所以它的光刻機的理論衍射極限值在70納米，最高不超過35納米。而國產光刻機只能用194納米光源，已經實現，採用水浸潤技術提高到70納米，再改進Na數值達0.7，就達40納米左右。

綜上所述，就光刻機而言，國產和ASML光刻機相差不大，下面就是如何用的工藝問題，這個問題一旦理論依據找到了，也不是難以逾越的困難，中芯國際不就是這樣做的嗎？它快實現7納米制程了。

中國光刻機的突破，就成為兩件事： 一，上海微電子攻克光刻機，在這個基礎上將鏡頭數值孔徑加大，當然加大的結果是光學裝配校正難度加大。二，用户使用光刻機，哦不説，基礎理論好的人，您們應該知道如何做了？反覆做，就能將製程提高，我在這裏提一個醒，衍射極限值是有問題的，到底是多少，該研究就可以觸及光學基礎的根本。

第四，為什麼國內光刻機技術差距如此巨大》

      不過去重視，沒有動用舉國體制，從業人員多數來自電子行業，光刻機的基礎理論差。