Rambus在三星解決方案擴展其高性能內存產品_風聞

支持需要TB級帶寬的加速器，用於人工智能/機器學習（AI / ML）訓練應用 完全集成的HBM2E內存接口子系統，由經過驗證的PHY和控制器組成，在先進的Samsung 14/11nm FinFET工藝上經過硅驗證 擁有無與倫比的系統專業知識作為後盾，為客户提供中介層和封裝參考設計支持，以加快產品上市時間中國北京2021年5月25日—— Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）作為業界領先的芯片和IP核供應商，致力於使數據傳輸更快更安全。今天宣佈推出Rambus HBM2E內存接口子系統，該子系統包括一個完全集成的PHY和控制器，在三星先進的14 / 11nm FinFET工藝上經過硅驗證。 通過利用30多年的信號完整性專業知識，Rambus解決方案的運行速度高達3.2 Gbps，可提供410 GB / s的帶寬。 這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求，此類加速器針對性能要求最為嚴苛的AI / ML訓練和高性能計算（HPC）應用。

三星電子設計平台開發副總裁Jongshin Shin説：“我們與Rambus的合作將業界領先的內存接口設計專業知識與三星最尖端的工藝和封裝技術結合在一起。AI和HPC系統的設計人員可以使用HBM2E內存實現平台設計，利用三星先進的14 / 11nm工藝，以達到無與倫比的性能水平。”

完全集成的，可投入生產的Rambus HBM2E內存子系統以3.2 Gbps的速度運行，為設計人員在平台實現上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作，通過利用三星的14/11nm工藝和先進的封裝技術對HBM2E PHY和內存控制器IP核進行硅驗證。

Rambus IP部門總經理Matt Jones表示：“由於硅片的運行速度高達3.2 Gbps，客户可以為自己的設計留出足夠的餘地來實現HBM2E存儲器子系統。客户將受益於我們的全面支持，其中包括2.5D封裝和中介層參考設計提供，有助於確保客户一次到位成功實現。”

Rambus HBM2E內存接口（PHY和控制器）的優點： 

通過單個HBM2E DRAM 3D器件實現每引腳3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系統帶寬硅HBM2E PHY和控制器完全集成並經過驗證，可降低ASIC設計的複雜性並加快上市時間作為IP授權的一部分，提供包含2.5D封裝和中介層參考設計提供Rambus系統和SI / PI專家的技術支持，幫助ASIC設計人員確保設備和系統的最大信號與電源完整性具有特色的LabStation™開發環境，可協助客户回片後快速點亮系統,校正和偵錯支持高性能應用程序，包括最先進的AI / ML訓練和高性能計算（HPC）系統