下一代EUV光刻機延誤？日本廠商緊急馳援_風聞

來源：內容來自半導體行業觀察綜合，謝謝。在半導體行業觀察日前的文章《EUV光刻機路線圖》中，我們談到了ASML在下一代的High NA EUV光刻機上面面臨可能的延誤問題。而隨即，東京電子發佈了一個新聞稿，他們表示，公司將於將與 imec-ASML 合作，攜手推動High NA EUV 光刻機的發展。

東京電子表示，公司將向imec-ASML High NA EUV聯合研究實驗室（high NA EUVresearch laboratory）提供其領先的塗布機/顯影劑（Coater/Developer），該設備將與ASML的EXE:5000 集成，這是 ASML 的下一代高數值孔徑 (NA：numerical aperture ) EUV 光刻系統，擁有0.55的NA。按照原計劃，這個新光刻機將於2023 年投入使用。而通過與 imec 和 ASML 合作，TEL 將繼續追求技術開發以滿足其客户不斷擴展的需求。

報道進一步指出，與傳統的 EUV 光刻相比，High NA EUV 光刻有望提供更先進的圖案縮放解決方案。被引入聯合研究實驗室的塗布機/顯影劑將具有先進的功能，它們不僅能與廣泛使用的化學放大抗蝕劑（chemically amplified resists ）和底層（underlayers）兼容，而且還與旋塗含金屬抗蝕劑兼容（spin-on metal-containing resists）。

報道表示，旋塗含金屬抗蝕劑已表現出高分辨率和高抗蝕刻性，有望實現更精細的圖案化。然而，含金屬抗蝕劑（metal-containing resists ）還需要精密的圖案尺寸控制以及硅片背面和斜面的金屬污染控制。

為了應對這些挑戰，安裝在聯合研究實驗室的塗布機/顯影劑配備了能夠處理含金屬抗蝕劑的前沿工藝模塊。

結合新的工藝模塊，TELCoater/Developer 的單個單元可以在線處理多種材料，包括化學放大抗蝕劑、含金屬抗蝕劑和底層。這將實現靈活的晶圓廠運營，同時實現更高的生產力和高可用性，這是塗布機/顯影劑的優勢之一。

利用其產品跨越多個相鄰工藝的廣度，TEL正在與抗蝕劑材料供應商建立合作伙伴關係，以提供涵蓋蝕刻工藝以及光刻工藝的塗布機/顯影劑的全面圖案化解決方案。

TEL 公司董事、高級副總裁兼 SPE 業務部總經理 Yoshinobu Mitano 表示：“TEL 很榮幸在聯合研究實驗室與 imec 和 ASML 合作，以進一步瞭解和解決High NA EUV 在圖案化方面面臨的挑戰。通過利用我們在 EUV 光刻工藝技術的大批量製造方面的經驗，我們打算及時向客户的晶圓廠提供高 NA EUV 工藝解決方案。”

TEL 副總裁兼 CTSPS BU 總經理 Keiichi Akiyama 評論説：“作為目前在 EUV 光刻在線 Coater/Developer 中佔有 100% 市場份額的製造商，我們期待與聯聯合研究實驗室合作，實現最用於下一代高數值孔徑 EUV 光刻的先進塗布機/顯影劑。我們將與合作伙伴合作，引入和驗證尖端方法和技術，以應對客户的挑戰。”

imec 首席運營官兼研發執行副總裁 Rudi Cartuyvels 表示：“超過 25 年以來，imec 和 TEL 一直是戰略合作伙伴，開發創新解決方案以推進半導體規模化。imec 期待繼續與 TEL 合作，以實現半導體縮放路線圖的下一步，即High NA 圖案化。”

imec 高級圖案化、工藝和材料副總裁 Steven Scheer 表示：“TEL 和 imec 之間的合作是識別和消除使用旋塗抗蝕劑的 EUV 圖案化中關鍵缺陷的關鍵，有助於大量引入 EUV製造業。對於high NA EUV 圖案化，使用更薄的抗蝕劑膜和更小的特徵尺寸，減少缺陷將更加重要。因此，imec 很高興與 Imec-ASML 聯合研究實驗室中的 TEL 和抗蝕劑材料供應商合作，以加速在行業中引入High NA EUV。”

附：high NAEUV光刻機介紹