外媒報國務院副總理劉鶴將主持中國第三代半導體發展,預留資金1萬億美元?_風聞
志伟_微雨筹谋-律师,金融专家-2021-06-18 09:06
作者:半導體領域資深媒體人 張國斌
據彭博新聞週四援引消息人士的説法報導,中國國務院副總理劉鶴將主持第三代半導體發展的推進工作,並負責制定相關的政策支持。劉鶴還將監督那些可能給傳統半導體產業帶來潛在顛覆性技術的項目。這是本土半導體產業的重磅利好!
據彭博報導,根據這項技術提案,政府已經提列了約1萬億美元資金,其中部分資金將用於中央和地方政府共同投資的一系列第三代芯片項目,看來,本土半導體大發展的時候真的到了,重金之下,那些卡脖子的問題應該可以得到解決!
美國總統拜登上台以後,推出了500億美元的半導體激勵計劃,5月11日 ,包括美國、歐洲、日本、韓國、中國台灣地區等地的64家企業宣佈成立美國半導體聯盟(Semiconductors in America Coalition,SIAC)。這些企業幾乎覆蓋整個半導體產業鏈,而他們組織在一起的第一件事,就是敦促美國國會通過拜登政府提出的500億美元半導體激勵計劃。
目前,SIAC有64家成員,包括亞馬遜、蘋果、AT&T、思科、通用電氣、谷歌、威瑞森等科技巨頭,AMD、亞德諾半導體、博通、英偉達、高通等芯片設計公司,格芯、IBM、英特爾、鎂光等芯片製造商,以及應用材料、楷登電子、新思科技等半導體上游IP、電子設計自動化(EDA)軟件和設備供應商等等。以及一些授權分銷商例如艾睿、安富利等,值得注意的是,SIAC成員中還包括不少日韓、歐洲、中國台灣等地的半導體公司。例如,芯片製造商台積電、三星、SK海力士、英飛凌,設備廠商尼康、阿斯麥,東京電子,芯片IP巨頭ARM等。
這個聯盟將中國公司排除在外,就是想打造一箇中國公司參與的半導體產業鏈,SAIC首頁寫着:“美國半導體聯盟(SIAC)是一個由製造和使用半導體的公司組成的跨行業聯盟。其使命是通過推動美國的半導體制造和研究,幫助支持美國的經濟、關鍵基礎設施和國家安全。”
所以拜登是想利用美元集合全球的半導體頂尖力量,加強美國的經濟和關鍵基礎設施。
我們再看看美國政府對中國領先公司的打壓,經過美國瘋狂的兩年打壓,華為手機芯片份額跌出全球前5 ,海思設計的高端芯片沒有晶圓廠敢製造,儘管如此,華為表示華為並不打算放棄海思半導體,7000多人的團隊依然在研發高端芯片。對別的公司來説,維持一支7000多人的半導體部門,短時間內沒法帶來營收是不可接受的,但華為高管日前在採訪中表示,他們是私營公司,不受外部勢力影響,不會放棄海思。
海思成立於2004年,前身是華為的芯片設計部門,最近幾年為華為開發了先進的手機處理器,被認為是全球最先進的芯片設計公司之一。由於被制裁,華為海思的芯片已經沒有公司可以生產,Q1季度的營收額只有3.85億美元,比去年同期下滑了87%。不過華為高管在採訪中表示海思還會繼續開發半導體芯片,5月份消息稱,華為的海思部門還在設計、研發3nm芯片,最終命名可能是麒麟9010。
另外美國還把400多家中國領先公司和研究機構納入其實體名單進行打壓,近日拜登政府還擴大了禁止美國投資的中國企業名單,詳見《拜登為何擴大禁止美國投資的中企黑名單?》。
面對美國不斷加碼的鎖套,中國政府不可能無動於衷,近日,國家科技體制改革和創新體系建設領導小組第十八次會議在北京召開。中共中央政治局委員、國務院副總理、國家科技體制改革和創新體系建設領導小組組長劉鶴主持會議並講話。此次會議還專題討論了面向後摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術。
這次會議之後,路透社報道了上述消息,如果這個信息屬實,那這標誌着中美在半導體的領域的對抗升級,與美國拉攏其他國家半導體公司為自己服務的區別是,中國將重金打造一條完全自主獨立的半導體產業鏈!老張認為如果真有1萬億美元預留也不都是為第三代半導體,畢竟第三代半導體主要是一些寬禁帶半導體器件和材料 ,只是整個半導體產業的一小部分,這些資金應該是為了打造整體半導體產業鏈而設。
目前,中國半導體產業大基金二期已經將重點轉向了材料和設備領域,我們的IC設計產業去年營收接近4000億,如果以目前的增速發展,到2025年,IC設計產業營收突破7000億應該是可以實現的,現在的短板就是製造和材料,一旦中國實現獨立的製造產業鏈和材料技術,則不用再擔心美國的打壓,而華為有可能滿血復活。

近日,本土光刻機也有重大進展,中科院上海光學精密機械研究所信息光學與光電技術實驗室提出一種基於虛擬邊(Virtual Edge)與雙採樣率像素化掩模圖形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光學鄰近效應修正技術(Optical proximity correction, OPC)。仿真結果表明,該技術具有較高的修正效率。
光刻是極大規模集成電路製造的關鍵技術之一,光刻分辨率決定集成電路的特徵尺寸。隨着集成電路圖形的特徵尺寸不斷減小,光刻系統的衍射受限屬性導致明顯的光學鄰近效應,降低了光刻成像質量。在光刻機軟硬件不變的情況下,採用數學模型和軟件算法對照明模式、掩模圖形與工藝參數等進行優化,可有效提高光刻分辨率、增大工藝窗口,此類技術即計算光刻技術(Computational Lithography),被認為是推動集成電路芯片按照摩爾定律繼續發展的新動力。
近兩年來,隨着中國加緊補齊半導產業鏈短板,業內人士樂觀估計今年年內本土28nm工藝可以實現自主製造,而兩年後我們可以實現14nm工藝自主製造,基本上可以滿足70% IC的製造問題。隨着中國政府加大對半導體產業鏈的支持,我相信,卡脖子的問題會緩解甚至徹底解決!大家説呢?