100nm提升至50nm！中國長城半導體激光隱形晶圓切割技術取得重大突破

100nm提升至50nm！

昨日，半導體行業又傳來一個好消息，中國長城在晶圓切割技術方面取得重大突破：其旗下鄭州軌道交通信息技術研究院聯合河南通用智能裝備有限公司，僅用了一年時間，便完成了半導體激光隱形晶圓切割設備的技術迭代，分辨率由100nm提升至50nm，達到行業內最高精度，實現了晶圓背切加工的功能。與此同時，持續優化工藝，在原有切割硅材料的技術基礎上，實現了加工CIS、RFID、碳化硅、氮化鎵等材料的技術突破，對進一步提高我國智能裝備製造能力具有里程碑式的意義。

半導體產業被稱為國家工業的明珠,晶圓切割則是半導體封測工藝中不可或缺的關鍵工序，是半導體產業的“心臟”。經過“電路製作”後的每一片晶圓上都聚集着數千，數萬，甚至十萬的"獨立功能晶粒”，晶圓分割工藝的好壞直接決定半導體工藝連鎖的“生產效率”和”競爭力”的優劣。2020年5月，中國長城旗下鄭州軌交院聯合河南通用智能裝備有限公司，研製出我國首台半導體激光隱形晶圓切割機，填補了國內空白，在半導體激光隱形晶圓切割技術上打破了國外壟斷，關鍵技術性能參數達到了世界領先水平，開啓了我國激光晶圓切割行業發展的序幕。

高精度氣浮載台

HGL1341晶圓激光隱切設備

分辨率100nm由提升至50nm，是一次迭代升級。中國長城副總裁、鄭州軌交院院長劉振宇介紹到，迭代升級後的激光晶圓隱形切割設備可自由控制激光聚焦點的深度、可自由控制聚焦點的長度、可自由控制兩個焦點之間的水平間隔，通過採用特殊材料、特殊結構設計、特殊運動平台，可在500mm/S的高速運動之下，保持高穩定性、高精度切割，激光焦點僅為0.5um，切割痕跡更細膩，可以避免對材料表面造成損傷，大幅提升芯片生產製造的質量、效率、效益。

切割無崩邊、無碎屑

據介紹，該裝備可廣泛應用於高能集成電路產品，包括CPU製造、圖像處理IC、汽車電子、傳感器、新世代內存的製造，對解決我國半導體領域內高端智能裝備“卡脖子”問題起到顯著作用。