我科學家取得石墨烯研究新進展

石墨烯獨特的結構藴含豐富且新奇的物理，不僅為基礎科學提供了重要的研究平台，而且在電子、光電子、柔性器件等領域顯現出廣闊的應用前景。為了充分發揮石墨烯的優異性質並實現其工業生產與應用，須找到合適的材料製備方法，使製備出的石墨烯能夠同時滿足大面積、高質量、與現有的硅工藝兼容等條件。截至目前，大面積、高質量石墨烯單晶通常都是在過渡金屬表面外延生長而獲得的，但後續複雜的轉移過程通常會引起石墨烯質量的退化和界面的污染，從而阻礙石墨烯在電子器件方面的應用。

近年來，中國科學院院士、中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家研究中心納米物理與器件重點實驗室研究員高鴻鈞帶領團隊在石墨烯及類石墨烯二維原子晶體材料的製備、物性調控及應用等方面開展了研究和探索，取得了一系列研究成果。在早期的研究工作中，研究人員發現，在過渡金屬表面外延生長的石墨烯具有大面積、高質量、連續、層數可控等優點；進一步發展了基於該體系的異質元素插層技術，運用該技術可有效避免複雜的石墨烯轉移過程，使大面積、高品質石墨烯單晶可以無損地置於異質元素插層基底之上。隨後，研究人員揭示了石墨烯無損插層的普適機制；利用該插層技術，實現了空氣中穩定存在的石墨烯/硅烯異質結的構建和對石墨烯電子結構的調控。

在上述研究基礎上，該研究團隊的博士後郭輝、博士生王雪豔和副主任工程師黃立等經過持續努力，實現了金屬表面外延高質量石墨烯的二氧化硅絕緣插層，並原位構築了石墨烯電子學器件。研究人員在Ru(0001)表面實現了釐米尺寸、單晶石墨烯的外延生長；在此基礎上，發展了分步插層技術，通過在同一樣品上插入硅和氧兩種元素，在石墨烯和Ru基底的界面處實現了二氧化硅薄膜的生長；隨着硅、氧插層量的增加，界面處二氧化硅逐漸變厚，其結構由晶態轉變為非晶態；當二氧化硅插層薄膜到達一定厚度時，石墨烯與金屬基底之間絕緣；利用這一二氧化硅插層基底上的石墨烯材料，可實現原位非轉移的外延石墨烯器件的製備。實驗上首先通過截面掃描透射電子顯微鏡的研究，證明了薄層晶態二氧化硅的雙層結構，進一步結合掃描隧道顯微鏡及拉曼光譜的研究，表明二氧化硅插層之後石墨烯仍保持大面積連續及高質量性質；隨着硅、氧插層量的增加，掃描透射電鏡圖像顯示界面處二氧化硅的厚度可達1.8納米；垂直方向輸運測試及理論計算表明，該厚層非晶態二氧化硅（1.8納米）插層較大限制了電子從石墨烯向金屬Ru基底的輸運過程，實現了石墨烯與金屬Ru基底之間的電學近絕緣；基於1.8納米二氧化硅插層的樣品，原位製備出石墨烯的電子學器件，並且通過低温、強磁場下的輸運測試，觀測到了外延石墨烯的整數量子霍爾效應、弱反局域化等現象。這些現象都來源於石墨烯二維電子氣的本徵性質，進一步證明了1.8納米非晶態二氧化硅的插層並未破壞石墨烯大面積、高質量的特性，而且有效隔絕了石墨烯與金屬基底之間的耦合。

該研究提供了一種與硅基技術融合的、製備大面積、高質量石墨烯單晶的新方法，為石墨烯材料及其器件的應用研究提供了基礎。

（本報記者 詹媛 本報通訊員 郭輝）