昕原半導體ReRAM（阻變存儲器）中試線通線_風聞

近日，杭州昕原半導體主導建設的國內首條 28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12 寸中試生產線順利完成自主研發設備的裝機驗收工作，實現了中試線工藝流程的通線，併成功流片（試生產）。

據介紹，昕原半導體成立於 2019 年，專注於 ReRAM 新型存儲器產品及相關衍生產品的研發，已成長為國內新型存儲器技術的頭部企業，也是國際上新型存儲器產品商業化最快的公司。公司開發的 ReRAM 存儲器具有密度高、能耗低、讀寫速度快及下電數據保存的特點，可形成未來存儲架構的最後一級緩存（FLC，Final Level Cache），消除內存與外存間的“存儲牆”。作為最具潛力的下一代主力存儲器，ReRAM 能廣泛應用於人工智能、工業控制、消費電子、汽車、物聯網、雲計算等領域。

據杭州日報報道，傳統 CMOS 代工廠或因囿於資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發進度，而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的 12 寸量產產線，實驗成果往往很難走向量產。昕原自行搭建的 28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12 寸中試生產線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快，產線靈活，擁有自主可控的知識產權，使得 ReRAM 相關產品的快速實現變成了可能。

昕原半導體相關負責人表示，目前在 ReRAM 領域國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產業實現“彎道超車”提供了可能。

目前該公司是除台積電外，唯一一家在 28nm / 22nm 先進製程 ReRAM 實現量產的公司。

昕原半導體是一家在上海臨港新片區註冊成立的新型存儲技術公司。公司致力於打造新型存儲產品及相關衍生品，重新定義存儲、智能計算和信息安全，構建創新應用生態，以創新塑造存儲與計算的未來，成為世界領先的新型半導體存儲技術公司。為市場提供創新芯片產品、嵌入式技術授權和人工智能存內計算解決方案服務。公司產品涵蓋嵌入式存儲、中高密度非易失性存儲、信息安全、存內計算(CIM)及存內搜索等多個應用領域，是集器件材料、工藝製程、芯片設計、IP授權和中試量產為一體的新型存儲技術公司。

（以上轉載，以下插花）

ReRAM本身容量密度較低，但可以多層堆疊（類比現在NAND閃存的堆疊），最終產品的容量密度可以相當高。

從性能特徵上説，比較類似於Intel的傲騰。預期可以提供兩類形式，一種是作為外存，類似閃存有更好的寫入速度和高得多的覆寫次數；另一種是作為可持久化內存，可以按單元地址而非按塊讀寫，預期讀速比內存慢得不多但寫速差距明顯。

另外，除了昕原，中芯國際也能提供40納米ReRAM樣片。