現在俄國要搞X光光刻，根本的問題不是技術本身，而是市場上的經濟性_風聞

【本文由“馬氏體”推薦，來自《投資6.7億盧布，俄羅斯宣佈研發X射線光刻機！比ASML的EUV光刻機還要先進？》評論區，標題為小編添加】

毛子瞎吹唄！在90年代當時工藝停留在193nmDUV幹法光刻的時候，就有人提出各種下一代方案EUV與X光等都有，那時候是日本佳能尼康當紅之時，ASML與台積電等廠家率先採用了浸潤式濕法光刻工藝，日本的佳能與尼康不看好DUV濕法工藝就失落了二十年，而美國的EUV聯盟團結了ASML排斥日商，讓ASML在EUV光刻機上佔得先機。現在俄國要搞X光光刻，根本的問題不是技術本身而是市場上的經濟性。

首先明確光刻機分為投影式和直寫式。

直寫式光刻早就已經進入到EBL時代，波長要小於X射線。

然後是投影式光刻，投影式光刻的共同特徵是需要，預先準備好帶有投影圖案的光罩，當然光經過光罩後會產生衍射。光學上定義，10nm到400nm為紫外光，0.1nm到10nm之間是X射線，當然光刻上365nm稱為紫外，248nm和193nm稱為深紫外（DUV），13.5nm稱為極紫外（EUV），也有稱這個波長為軟X射線的，理論上波長越短，能夠達到的解析能力越高。但是設計出來的光刻機是要考慮生產效率的，效率又和光源的照度掛鈎，照度越高曝光時間越短。想要提高照度就需要一個高功率的照明系統，早期EUV光源只有80W，而業界期望的穩定光源是250W出光。此外，大多數材質對於X射線都是折射率為1且吸收率很大，不適合採用折射式系統，單層膜的反射率幾乎為0，只有採用多層膜，可以是的11nm~14nm波段反射率接近70%。EUV系統的光源、光路(需要在真空環境下)、光刻膠、光罩都需要重新進行設計，產業技術前進需要整條供應鏈的聯動，這也是每年SPIE、ITRS討論協調的意義。

僅僅是EUV階段的前進，已經是耗費了大量的研發經費和人員，中間跳票了數次，目前出貨量也不是很多。EUV的售價達到1億歐元，耗電非常驚人，但請相信這是目前最經濟的方案了。

X射線因為波長很短，所以幾乎沒有衍射效應，所以很早就進入了光刻技術研發的視野內，並且在八十年代就有了X射線光刻。九十年代，IBM在美國佛蒙特州建了一條採用同步輻射光源的X射線光刻機為主力的高頻IC生產線，美國軍方為主要客户。而當年X射線光刻技術，是當時的下一代光刻技術的強有力競爭者。後來隨着準分子激光和GaF透鏡技術的成熟，深紫外DUV光刻技術延續了下去，在分辨率和經濟性上都打敗了X射線光刻。X射線光刻就退出了主流光刻技術的競爭。

現在用X射線光刻的，主要是LIGA技術，用來製造高深寬比結構的一種技術，可以製造出100:1的深寬比，應用於mems技術當中。

目前國內有兩個地方可以做X射線光刻，一個是合肥同步輻射，一個是北京同步輻射。

由於X射線準直性非常好，傳統的X射線光刻，是1:1複製的。掩模版使用的是硅梁支撐的低應力氮化硅薄膜，上面有一層圖形化的金，作為掩蔽層，曝光方式採用掃描的方式，效率不高。