汽車電動化趨勢來臨，功率半導體需求暴漲_風聞

功率半導體：

電能控制的核心器件，

新能源汽車帶來廣闊成長空間

**功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用於改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。**功率半導體可分為功率 IC 和功率分立器件兩大類，二者集成為功率模塊（包括 MOSFET/IGBT 模塊，IPM 模塊，PIM 模塊）。

 電動化趨勢下

新能源汽車功率半導體

需求快速提升

**新能源汽車全球加速普及，電動化、智能化和網聯化為功率半導體帶來廣闊市場。**為了完成《巴黎氣候協定》的目標，全球多數國家已明確碳中和時間，我國預計 2030 年前實現碳達峯、2060 年前實現碳中和。隨着碳中和目標推進，新能源汽車行業迎來快速發展期。

**預計到 2025 年全球新能源汽車滲透率達 20%，我國達 34%領跑全球。**我們假設 2021 年後全球包括中國汽車銷量以每年 3%的增速緩慢增長，新能源汽車保持高速增長，測算出 2025 年全球汽車銷量達 9020 萬輛，新能源汽車滲透率達20%，新能源汽車銷量為 1804 萬輛；2025 年中國汽車銷量達 2957 萬輛，其中新能源汽車滲透率達 34%，新能源汽車銷量為 1000 萬輛，領跑全球。

新能源汽車（混合動力汽車或純電動汽車等）**半導體含量顯著高於傳統汽車。其中，新能源汽車功率半導體用量及規格均高於傳統燃油車，功率半導體約佔每輛車半導體價值量增量的四分之三。**英飛凌 Q4 FY2021 財報披露數據顯示，一輛配備傳統內燃機的汽車的平均半導體含量為 490 美元，輕混合動力汽車為 600 美元，全混合動力為 890 美元，插電式混合動力及純電動汽車為 950 美元。其中，功率半導體約佔每輛車半導體價值量增量的 85%。

與傳統燃油車和弱混合動力汽車相比，電動汽車並無發動機和啓停系統，但由於電力轉換與控制要求提升，因而多出主電控（電驅）、車載電動空調、DC-DC、OBC、電池管理系統（BMS）等部件，帶動功率半導體需求提升。

功率半導體的增量具體可拆分為：

（1）主傳動/逆變器：一般選用 Si 基 IGBT（模塊）、SiC 基 MOSFET；

（2）充電器（OBC）：開關頻率較高，一般選用採用驅動功率為 3-6KWSi 基 MOSFET、10-40kW 的 Si 基 IGBT、SiC 基 MOSFET；

（3）DC-DC 轉換：涉及低電壓直流轉換，一般選用 Si 基 MOSFET；

（4）高壓輔助驅動：高壓配電，一般選用 Si/SiC/GaN MOSFET（模塊）；

（5）電池管理系統（BMS）：低電壓，一般選用 Si 基電池管理 ICs。

**新能源汽車對功率半導體規格要求遠高於傳統燃油車，IGBT模塊因此成為新能源汽車領域功率半導體主流選擇。**傳統燃油車的電壓功率要求較低，一般要求動力總成電壓為 30-40V、電助力制動器電壓為 60-80V、點火器電壓為 40-80V及單車平均電氣功率≤20kW，此場景下一般選用低導通阻抗的高性能低壓MOSFET。

相較而言，純電動汽車（EV）或混合動力汽車（HEV）的核心在於高壓（200-450V DC）電池及其相關的充電系統。純電動汽車主電機驅動一般要求功率器件的驅動功率在 20-150kW，平均功率約在 70kW。由於較高的驅動功率、電壓以及高能耗敏感度，電動車廠往往會採用導通壓降小、工作電壓高的 IGBT 模塊，而非在傳統燃油車中採用的 MOSFET。

**國內新能源汽車領域功率半導體量價提升邏輯下，廣闊需求端空間為國產替代提供支撐。**結合新能源汽車較傳統燃油車在功率半導體單車價值量上的顯著增量，及國內市場新能源汽車銷量及滲透率的持續提升，預計國內新能源汽車領域的功率半導體需求將在未來五年內快速提升，為國產替代提供需求端基礎。

**預計到 2025 年全球新能源汽車 IGBT 規模接近 40 億美元，中國達 22 億美元。**根據產業鏈調研，通常新能源汽車 IGBT 的單車價值量在 300 美金左右。我們假設新能源汽車雙電機的滲透率逐年提升，IGBT 受益於景氣週期先漲價，之後由於技術成熟、市場競爭等因素價格逐漸下降；假設 SiC 的滲透率逐年增加，對IGBT形成一定的替代。我們測算出 2025 年全球新能源汽車 IGBT 的規模達到39.78億美元，5 年 CAGR 為 39.4%；中國達到 22.05 億美元，5年 CAGR 為46.5%，中國將成為全球新能源汽車 IGBT 主要的市場。

海外缺芯疊加國內新能源汽車爆發

國內企業迎來發展窗口期

**供給端，缺芯問題在以英飛凌為代表的功率半導體廠商中依然明顯，IGBT 和MOSFET 為代表的功率半導體交期依然維持穩中有升態勢，預計未來四個季度供給端緊張難以緩解。**從貨期角度看，英飛凌 IGBT 和 MOSFET 貨期自 2020Q1 起持續提升，2021Q4 整體交貨週期依然普遍保持在 40-50 周，而不缺貨情況下交貨週期一般僅在 10-16 周。考慮到供給端擴產週期一般需要 9-12 月甚至更長，當前 Fab 廠產能已普遍排至 2023 年，結合新能源汽車和光伏領域需求的持續增長，預計未來四個季度內仍是供給偏緊狀態。

**結合前節討論的國內新能源汽車市場的高景氣度，功率半導體市場存在較大供需錯配，行業缺芯凸顯芯片國產化瓶頸現狀，給予國產廠商難得的“試錯”機會，國產廠商迎來供應鏈導入良機。**芯片供應鏈恢復時間不確定，缺芯致使下游需求方提高了對國產芯片產品的試錯容忍度並選擇國產廠商產品以解決部分燃眉之急，為芯片企業提供了絕佳的導入機會，在得到客户驗證通過並大規模放量後，國產芯片廠商將進一步鞏固其行業地位並實現更高的國產化率和延續本土化趨勢。部分廠商正抓住國產替代的機遇窗口，在各自領域取得突破，實現業績規模快速增長。

在新能源汽車領域，國內功率半導體企業已有進展，部分廠商開始在新能源汽車特別是 A 級車領域實現批量供貨：

比亞迪半導體：

（1）IGBT 領域：據 Omdia 統計，以 2019 年 IGBT 模塊銷售額計算，公司在中國新能源乘用車電機驅動控制器用 IGBT 模塊全球廠商中排名第二，僅次於英飛凌，市場佔有率 19%，2020 年公司在該領域保持全球廠商排名第二、國內廠商排名第一的領先地位。

（2）SiC 器件領域：公司已實現 SiC 模塊在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用，也是全球首家、國內唯一實現 SiC 三相全橋模塊在電機驅動控制器中大批量裝車的功率半導體供應商。

斯達半導：2021 年公司新能源行業營業收入為 57,146.05 萬元，較去年同期增長 165.95%。車規級 SGT MOSFET （split-gate trench MOSFET）開始小批量供貨。2021年，公司生產的應用於主電機控制器的車規級 IGBT模塊持續放量，合計配套超過 60 萬輛新能源汽車，其中 A 級及以上車型配套超過 15 萬輛，同時公司在車用空調，充電樁，電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。同時，公司在用於車用空調、充電樁、電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。

時代電氣：在其新興裝備業務板塊中，針對新能源汽車行業已面向市場推出多個平台的電驅系統產品，應用於純電動、混合動力乘用車，同時已與一汽集團、長安汽車等國內一流汽車製造商開展深入項目合作，實現批量產品交付業績。此外，公司募投新能源汽車電驅系統研發應用項目，擬以電驅系統為主推產品，利用公司自主 IGBT 的資源優勢，突破扁線/油冷電機集成應用、SiC 模塊應用、雙面冷卻模塊應用等多項研發應用技術。

士蘭微：2021 年，基於公司自主研發的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的電動汽車主電機驅動模塊，已在國內多家客户通過測試，並已在部分客户批量供貨。目前公司正在加快汽車級和工業級功率模塊產能的建設。2021 年，公司分立器件產品的營業收入為 38.13 億元，較上年增長 73%。

佈局未來：SiC 加速滲透

進一步打開行業天花板

目前車規級半導體主要採用硅基材料，但受自身性能極限限制，硅基器件的功率密度難以進一步提高，硅基材料在高開關頻率及高壓下損耗大幅提升。以 SiC與 GaN 為代表的第三代寬禁帶半導體功率器件具有高擊穿電壓、高功率密度、耐高温、高頻工作等優勢，適用於大功率、高頻率與惡劣的工作環境，解決 Si 基器件痛點。

**在主要三代化合物半導體材料中，SiC 最適合用於新能源汽車領域，而 GaN更適用於射頻領域。**SiC 與 GaN 相比，具有更高的熱導率和崩潰電壓，因此在高温和高壓領域應用更具優勢，適用於新能源汽車、快充充電樁、光伏和電網等 600V甚至 1200V 以上的電力領域。在新能源汽車領域，SiC 功率器件將主要用於逆變器、OBC 和 DC/DC 轉換。

SiC 相比傳統 Si 基器件主要有三點優勢：

（1）體積小、重量輕、散熱強：SiC 的熱導率是 Si 的大約 3 倍，熱量更容易釋放，同時 SiC 的熱損耗更小，因此冷卻部件可採用更小型產品，有利於實現器件的小型化、輕量化；根據英飛凌數據，採用 SiC 器件的逆變器體積相比硅基能減少 50%-80%，；

（2）能量損耗更低：根據英飛凌數據，SiC-MOSFET 單管與 IGBT 單管相比，能量利用率大約提升 5%，模塊化之後能量效率能夠提升 10%左右。因此 SiC 能提升電池的續航里程或以更小尺寸電池實現同等的續航里程，從而降低電池成本；

（3）高頻：SiC 的電子飽和漂移速率是 Si 的 2 倍，可以實現比 Si 基 IGBT 更高的工作頻率。

**儘管性能優越，受制於高昂的成本，當前 SiC 在新能源汽車領域滲透率較低。**由於生產設備、製造工藝、良率與成本的劣勢，碳化硅基器件過去僅在小範圍內應用。根據比亞迪半導體招股説明書，目前國際主流 SiC 襯底尺寸為 4 英寸和 6英寸，晶圓面積較小、芯片裁切效率較低、單晶襯底及外延良率較低導致 SiC 器件成本高昂，疊加後續晶圓製造、封裝良率較低，且載流能力和柵氧穩定性仍待提高，SiC 器件整體成本仍處於較高水平。

**預計 SiC 市場規模未來幾年快速提升，2025 年全球新能源汽車用 SiC 功率器件規模達 37.9 億美元，中國達 21 億美元。**根據產業鏈調研，通常一輛新能源汽車中整車主驅逆變器、OBC 以及 DCDC 轉換器用到的 SiC 價值量在 900-1000美元左右；假設到 2025 年單車 SiC 成本下降 30%，到 700 美元左右，滲透率提升到 30%。我們測算出 2025 年全球新能源汽車 SiC 器件規模達 37.9 億美元，5年 CAGR 為 64.5%；國內市場達 21 億美元，5 年 CAGR 為 72.6%，中國將成為全球新能源汽車 SiC 器件主要市場。

**SiC 芯片產業鏈與硅基產業鏈類似，主要分為晶圓襯底、外延、設計、製造和封裝等環節，市場主要由海外廠商掌控，國內碳化硅產業仍處於起步階段，與國際水平仍存在差距。**據 Yole 數據，2020 年碳化硅功率器件市場中，ST、Cree、ROHM、Infineon、Onsemi 市佔率分別為 40.5%、14.9%、14.4%、13.3%、7.7%，CR5 超過 90%。國內碳化硅各環節已實現全產業鏈佈局，但目前國產化率較低，未來有望伴隨內需增長而實現提升。其中，襯底環節廠商包括山東天嶽、天科合達等，外延廠商包括瀚天天成、東莞天域等，設計廠商包括上海瞻芯電子、上海瀚薪等，IDM 廠商包括泰科天潤、中科漢韻、三安集成、華潤微、士蘭微等。