科工力量：為防止大陸企業挖人，拜登又出陰招

【文/科工力量專欄作者 鐵流】

日前，美光科技正在解散150人左右規模的上海研發中心，並挑選40多位核心研發人員提供技術移民美國的資格。美光公司此舉的直接原因是防止人才和技術外流，避免核心研發人員被中國大陸存儲芯片廠商挖走。

若深究一下就會發現，美光公司此舉非常契合美國強化半導體產業鏈掌控力的戰略，是美國以芯片為武器壓制中國政策的縮影。從特朗普到拜登，美國對中國的政策並沒有多大變化，相較於特朗普的心直口快、口無遮攔，拜登政府的招數更加陰險，中美科技脱鈎已然是大勢所趨。

大陸存儲芯片企業求賢若渴

近年來，多家中國大陸企業重金投資存儲芯片，在中央和地方政府的支持下，形成了長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等存儲芯片行業龍頭企業。

長江存儲成立於2016年7月，在母公司紫光集團的高額投入下高速發展（僅國家存儲器基地一期規劃投資就高達240億美元），先後實現32層NAND和64層NAND商業化量產和128層NAND的產品研發，長江存儲的產品還打入了華為供應鏈，與華為抱團取暖，實現雙贏。

在2021年末，長江存儲舉辦新品發佈會，發佈全新消費級旗艦固態硬盤。在NAND取得突破的同時，紫光集團計劃在國內投資建設一座DRAM芯片工廠，該工廠將在2021年正式動工，預計2023年投入使用。

合肥曾經和武漢爭奪國家存儲器項目，在輸給武漢後，安徽省決定舉全省之力打造存儲工廠，合肥則充分發揚“中國最牛風投機構”的本色，對存儲項目全力支持，根據規劃，合肥長鑫集成電路製造基地項目總投資超過2200億元。2019年9月，長鑫存儲宣佈完成8Gb DDR4研製和生產，根據官方消息，長鑫將致力於低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發，要面向中高端移動、平板及消費類產品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發先進低功耗高速率LPDDR5 產品並實現產業化。

相對於長江存儲和合肥長鑫，福建晉華的路途就比較坎坷。雖然晉華集成電路納入"十三五"集成電路重大生產力佈局規劃，但在存儲芯片上缺乏技術積累，缺乏自主研發能力，於是選擇了與聯電合作的技術引進道路，由晉華出資，委託聯電開發DRAM相關技術。

根據台灣省“地檢署”公佈的資料，晉華提供三億美元資金採購研發設備，並依進度陸續支付聯電四億美元，開發出的技術成果雙方共有，整體技術完成後，再轉移到晉華進行量產。由於聯電和美光之間存在知識產權糾紛，晉華被捲入糾紛中。2018年10月，美國商務部宣佈，對福建晉華集成電路有限公司實施禁售令，禁止美國企業向後者出售技術和產品，將其加入到了禁售清單。美國此舉使歐美設備商紛紛撤離，聯電的財報中也顯示關於福建晉華的項目投入已經停止，近百名技術人員迴流台企。

從長江存儲、合肥長鑫、福建晉華的發展歷程可以看出，這幾家企業都屬於“橫空出世”，都是在政府意志的推動下誕生的企業，這些企業不缺資金和政策，缺的是人才。由於長江存儲、合肥長鑫、福建晉華成立時間短，人才儲備普遍不足。為了彌補人才上的短板，大陸存儲芯片企業可謂求賢若渴，從友商高薪挖人是普遍現象，三星、SK海力士、美光這類龍頭企業是大陸企業挖人最佳選擇。

因大陸企業來勢洶洶，三星、SK海力士為了應對大陸企業挖人發出存證信函給跳槽到合肥長鑫等公司的前員工，措辭強硬，甚至不惜法律訴訟。美光公司原台灣區總經理陳正坤和員工何建廷、王永銘跳槽到聯電後，被美光公司指控“帶槍投靠”，台灣省“台中地方法院”裁定何建廷、王永銘、戎樂天（聯電協理）竊取美光公司商業機密，入獄4.5至6.5年不等，並罰款400萬元至600萬元，聯電則被判處1億罰金。

陳正坤被美國舊金山聯邦地方法院列入通緝犯名單。在美光收購台企華亞科後，合肥長鑫趁亞華科人事變動之機挖走了200多名華亞科員工，美光還派法務專員去了解情況並警告跳槽員工，防止技術外流。台灣另一家DRAM公司南亞科為了應對大陸企業挖人，還未雨綢繆展開了轟轟烈烈的技術保護及宣傳工作。

本次美光解散上海研發中心，並挑選40多位核心研發人員提供技術移民美國的資格顯然基於技術封鎖的目的，以核心研發人員移民美國的方式徹底禁絕大陸企業挖人的可能性。

美國強化其全球半導體掌控能力

在過去幾十年，西方國家高舉全球化大旗，大量製造業向亞洲國家轉移，與此同時，歐美逐步去工業化。即便是具有高附加值的半導體行業，美國僅在設備、設計上掌握明顯優勢，在原材料、製造、封裝測試等方面均被超越。

目前，全球半導體產業分工呈現“雁行”狀態，美國及其歐洲盟友佔據技術門檻和利潤最高的半導體設備和設計環節，日本、美國、歐洲、韓國公司佔據了原材料環節，中國台灣省和韓國佔據了製造環節，中國（大陸+台灣省）佔據了封裝測試環節。

這種行業分工局面使美國對全球半導體產業鏈的掌控能力降低，特別是美國AMD、英偉達、高通、蘋果等大公司在製造上高度依賴台積電成為美國半導體供應鏈的巨大隱患，因為一旦爆發統一戰爭，台積電很可能會受到波及，這會使美國IC設計公司失去最佳流片渠道。

正是因此，美國政府竭力“勸説”台積電在美國投資建廠，台積電則非常識時務的決定投資120億美元在亞利桑那州建設5納米先進工藝晶圓廠，新工廠計劃於2024年前後投產。無獨有偶，三星也在美國政府的“勸説”下，決定在美國得克薩斯州的泰勒市投資170億美元，用來建設能生產5納米先進製程芯片的工廠。新工廠將會在2022年上半年開始動工，在2024年下半年啓動生產。

除了勸説台積電、三星在美國建廠，美國政府還要求晶圓廠提供供應鏈信息——就在去年，美國政府要求台積電、三星等晶圓代工廠在45日內交出被視為商業機密的庫存量、訂單、銷售紀錄等數據。美國政府給出的理由則是“供應鏈透明度”和“幫助解決全球芯片短缺問題的要求”，美國商務部長雷蒙多表示，政府需要更多的信息，需要知道芯片要運往哪裏，瓶頸在哪裏，這樣才能防患於未然。雷蒙多提醒行業高管，如果他們不自願分享信息，可能會援引冷戰時期的《國防生產法》，迫使他們分享信息。

美國商務部在提供的調查問卷中要求芯片企業提供諸如庫存清單、積壓訂單、交付時間、採購流程，以及他們是如何提高產出等的信息，美方還要求他們列出每個產品頭部購買方。此舉一方面會損害晶圓廠的利益，因為這將使晶圓廠必須對美國商務部公開自己的商業秘密，將自己的技術水平、產能情況、客户關係全部被美國商務部所掌握；另一方面會使三星、台積電的一些“小動作”無所遁形。

最近，英特爾宣佈將投資200億美元在俄亥俄州建設2家芯片製造工廠。未來，投資可能還會增至1000億美元，累計建設8家芯片製造工廠。近乎同時，美國眾議院計劃推出一項涉及520億美元的投資法案，以提高在這一方面美國對中國的競爭力。

美國眾議院議長佩洛西表示，法案已經非常接近就緒。佩洛西在一封信中指出，“眾議院立法將加強我們在芯片方面的投資，加強我們的供應鏈並改變我們的研究能力，以及許多其他關鍵條款。”去年，美國國會參議院以68票贊成、32票反對的結果，通過了長達1400多頁《2021美國創新與競爭法案》，其中，用於半導體、芯片和電信領域資金高達540億美元。

自特朗普當選美國總統以來，美國政治、經濟、外交手段遏制中國從海外獲取半導體技術，一些併購項目因涉及半導體技術被美國政府叫停，正常的商業往來因美國政府禁令而告吹，早早訂貨的光刻機因美國政府幹預一直無法到貨……美國政府千方百計打壓中國科技進步的同時，卻想方設法以“逆全球化”的方式將歐洲和東亞的半導體產業迴流美國，增強本國半導體產業，提升美國政府對全球半導體產業鏈的掌控能力，本次美光公司解散上海研發中心是美國以芯片為武器壓制中國政策的縮影。

放棄幻想 自力更生

一直以來，不少國人始終對西方國家抱有幻想，“融入國際主流”、“與國際接軌”被奉為準則。在商業模式上推崇“跟在洋人身後吃土”、“在洋人地基上造房子”。在技術上，對洋技術頂禮膜拜，對本土自主技術無比鄙夷。

一些公司即便在貿易摩擦中反覆被美國教訓，依然不去改變技術路線，始終堅持“在洋人地基上造房子”，繼續把ARM芯片往黨政機關和國企事業單位塞，在政府國企採購市場與自主CPU爭奪生存空間。從實踐上看，走技術引進的晉華試圖走捷徑，結果欲速而不達；從海外高薪挖人組建團隊正向研發的長江存儲和合肥長鑫反而經過數年的錘鍊，取得了一些成績。

存儲芯片的技術門檻相對於CPU、GPU要低一些，以長江存儲、合肥長鑫為代表的本土企業已經在NAND和DRAM上取得了一定成績，研發團隊也經過實踐的錘鍊，相信在國家政策的扶持下，本土企業能夠奮發向上。誠然，三星、SK海力士、美光等國外大廠實力雄厚，在攀登的過程中本土會遭遇艱難險阻，甚至成為新的“虧損王”，但只有持之以恆，終能複製京東方在面板行業的逆襲之旅。

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