光源還是由中科院微電子所提供，長春所的物鏡，上海所的照明，啓爾提供浸液_風聞

【本文由“小飛俠杜蘭特”推薦，來自《光刻機巨頭ASML回應荷蘭最新出口管制：並不適用於所有DUV》評論區，標題為小飛俠杜蘭特添加】

• 海龍
• 90NM與65NM好像攻克了，但浸沒式光刻機還沒有攻克。要是這個攻克了，基本28NM甚至14NM都沒問題，屆時米國的封鎖就打破了一個大缺口。

打個不恰當比方，把美帝封鎖比喻成列寧格勒保衞戰的話，攻克90與65NM相當於在拉多加湖上打開一條生命之路，而攻克浸沒式光刻機相當於1943年初“火花”戰役取得勝利，初步打破封鎖；而如果14NM以下也突破，甚至EUV也國產化的話，那就是列寧格勒-諾夫哥羅德戰役（第一次突擊）勝利結束，列寧格勒徹底解封。

上海微電子攻關的是28nm浸沒式光刻機（02專項），全稱是“193nmArF浸入式DUV光刻機”，製程工藝為28nm，對標產品是ASML的2000i，先進程度僅次於ASML另一種DUV光刻機2050i和

EUV。這個消息最早是方正證券披露的。

目前來看，四大系統中的曝光、光源、雙工件台都已經實現量產，浸液也快了。有消息説光源還不夠穩定，這個不是大問題，今年應該可以驗收合格。但是大規模量產恐怕是個問題，因為已經被美國列入實體清單了，一些需要進口的關鍵零部件只能用存貨。

你説的65nm，其實用上微90nm分辨率的乾式光刻機就可以實現，通過多次曝光，理論上90nm光刻機甚至能刻28nm芯片，只是良品率太低了（大概只有1%），沒有商業應用價值。

同樣，28nm光刻機也可以通過多次曝光實現14nm製程和7nm製程，中芯國際就是用進口28nmDUV光刻機通過n+2造出了7nm礦機芯片，如果再加上3D堆疊甚至能達到5nm的效果，但是5nm以下就必須用EUV了。EUV目前也在推進中，02專項二期就是EUV。和DUV差不多，光源還是由中科院微電子所提供，長春所的物鏡，上海所的照明，啓爾提供浸液，清華朱煜為班底的華卓精科負責雙工件台，上微負責總成。其實相關的進度一點也不慢，比如長春所17年就突破了超高精度非球面加工，19年華卓精科研發出來納米級的氣浮運動台，和ASML是全世界唯二掌握這項技術的。只是在這個時間點上，除非已經穩操勝券，否則必須低調再低調。