光源還是由中科院微電子所提供,長春所的物鏡,上海所的照明,啓爾提供浸液_風聞
雪月庐-远方的灯塔,手中的烛光03-11 15:41
【本文由“小飛俠杜蘭特”推薦,來自《光刻機巨頭ASML回應荷蘭最新出口管制:並不適用於所有DUV》評論區,標題為小飛俠杜蘭特添加】
- 海龍
- 90NM與65NM好像攻克了,但浸沒式光刻機還沒有攻克。要是這個攻克了,基本28NM甚至14NM都沒問題,屆時米國的封鎖就打破了一個大缺口。
打個不恰當比方,把美帝封鎖比喻成列寧格勒保衞戰的話,攻克90與65NM相當於在拉多加湖上打開一條生命之路,而攻克浸沒式光刻機相當於1943年初“火花”戰役取得勝利,初步打破封鎖;而如果14NM以下也突破,甚至EUV也國產化的話,那就是列寧格勒-諾夫哥羅德戰役(第一次突擊)勝利結束,列寧格勒徹底解封。
上海微電子攻關的是28nm浸沒式光刻機(02專項),全稱是“193nmArF浸入式DUV光刻機”,製程工藝為28nm,對標產品是ASML的2000i,先進程度僅次於ASML另一種DUV光刻機2050i和
EUV。這個消息最早是方正證券披露的。
目前來看,四大系統中的曝光、光源、雙工件台都已經實現量產,浸液也快了。有消息説光源還不夠穩定,這個不是大問題,今年應該可以驗收合格。但是大規模量產恐怕是個問題,因為已經被美國列入實體清單了,一些需要進口的關鍵零部件只能用存貨。
你説的65nm,其實用上微90nm分辨率的乾式光刻機就可以實現,通過多次曝光,理論上90nm光刻機甚至能刻28nm芯片,只是良品率太低了(大概只有1%),沒有商業應用價值。
同樣,28nm光刻機也可以通過多次曝光實現14nm製程和7nm製程,中芯國際就是用進口28nmDUV光刻機通過n+2造出了7nm礦機芯片,如果再加上3D堆疊甚至能達到5nm的效果,但是5nm以下就必須用EUV了。EUV目前也在推進中,02專項二期就是EUV。和DUV差不多,光源還是由中科院微電子所提供,長春所的物鏡,上海所的照明,啓爾提供浸液,清華朱煜為班底的華卓精科負責雙工件台,上微負責總成。其實相關的進度一點也不慢,比如長春所17年就突破了超高精度非球面加工,19年華卓精科研發出來納米級的氣浮運動台,和ASML是全世界唯二掌握這項技術的。只是在這個時間點上,除非已經穩操勝券,否則必須低調再低調。