説中國全28nm要2030年才能完成，有點過了_風聞

【本文由“加東123”推薦，來自《中國芯片業近期形勢猜測》評論區，標題為小編添加】

中國現在是化工大國。看國際上化工文獻就知道了。所以一次性耗材不是大問題，現在14nm的光刻材料已經試產了，7nm的在研發。以前是沒人用，原因是不是一家的材料上已經完成工藝開發的成品產線，會有較大問題（解決辦法就是這部分要重新研發，這個對於大部分國家來説很難，對於中國這種化工人才大國其實難度反而小）。

國內先進光刻機進度比很多人想的快。在90nm光刻機剛研發成功的時候，核心器件就對中國封鎖，導致後來90nm的光刻機長期處於研發狀態中。其實就是解決核心關鍵器件的國產化問題。目前90nm的國產光刻機已經完成，後面的65-55，45-28nm其實只是90nm光刻機的技術改型（都是Arf的光刻機），28納米就是用高精度工作台+浸沒式組件改造升級。這個其實也做成功了。已經上產線調參一年多了（就是工藝開發），良率已經有較大提升。

28納米解決，後續14nm和7nm也會很快，只是特定組件的不斷優化性能而已。其實很多人不清楚，半導體設備產線也是不斷研發的，台積電其實就幹這事，先進工藝是研發出來，最初的參數和產品都是不行的，是很多工程師一起合作，不斷摸索具體工藝的細節，包括半導體設備的改進，從材料（包括耗材），到曝光，顯影等等都是一點點磨合出來的。不同工藝不同設備不同材料的細節設計不同（這也是為啥，一旦產線配套完成，就不大可能換設備廠商和耗材的原因，因為換耗材就得重新匹配工藝線和研發，都批產了，自然是能不折騰就不折騰）。這個週期一般就是2-3年不等。這個過程中良率慢慢爬升。

很多人誤認為是採購成品設備，裝起來就能用了，其實不是。工藝方法研製成功後，可以按工藝流程複製，這時候才批量採購多條產線的配套設備擴產。國內光刻機配套國內設備，其實反而比完全用國外線要容易發展，因為協調難度小。

特別是未來國外限制多的時候。其實半導體產線的設計基本就是化工系統。中國以前水平低，核心很大原因是自動化程度低，國外上世紀70年代就各種自動化技術，國內很多到本世紀才開始配套，自動化技術普及，自然就帶來了產品品質和一致化程度提高。

所以半導體配套的絕大部分設備對於我們沒啥真正難度，只是之前沒部署高端產品，突然有需求跟不上，稍微等幾年就能跟上。現在實際14-28nm的設備國產化問題並不大。國內為了磨合產線，弄了兩個全國產化的驗證線。這個是專門研發工藝的，讓商業半導體生產企業，主要精力放在擴產和賺錢上，真正有技術風險是國家來扛來賠…

所以説中國全28nm要2030年才能完成，有點過了。其實應該25年甚至更快大概率就能跑通。