英特爾介紹下一代 GAA 技術，發展堆迭式CFET晶體管架構_風聞

日前，英特爾首次向外界公開介紹其最新的堆迭式 CFET晶體管架構。這是由英特爾技術開發總經理Ann Kelleher在比利時安特衞普舉行的 ITF World 2023 上介紹的。這位開發總經理概述了英特爾在幾個關鍵領域的最新發展，其中之一便是英特爾未來將採用的堆迭式CFET晶體管架構。不過，英特爾方面並沒有提到具體的量產日期或者時間表。

據外媒報導，在 2021 年的“英特爾加速創新：製程技術和封裝技術線上發表會”上，英特爾確認了其 Intel 20A 製程技術上，將導入採用 **Gate All Around（GAA）**技術的RibbonFET 晶體管架構，以取代自2011年就沿用至今的 FinFET電晶體架構。新技術加快了晶體管開關速度，同時在佔用空間較好的情況下，達成與多鰭結構相同的驅動電流水準。對此，Ann Kelleher表示，RibbonFET將會在2024年亮相。

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另外，英特爾還展示了下一代GAA技術的堆迭式CFET晶體管架構，允許堆迭8個納米片，是 RibbonFET使用的4個納米片的兩倍，進而增加了晶體管的密度。CFET晶體管將n和p兩種 MOS元件相互堆迭在一起，以達成更高的密度。目前，英特爾正在研究兩種類型的CFET晶體管，也就是單片式和順序式。不過，英特爾目前似乎未確定最後將採用哪一種CFET晶體管，或者還會有其他類型的設計出現。

英特爾表示，大概到2032年，晶體管將演進到5埃米，CFET晶體管架構的類型預計還會發生變化，這將是不可避免的事情。不過，英特爾這次只是概述了其晶體管技術的大概發展路徑，並沒有做太多詳細的分享，預計未來應該還會陸續有更多細節進一步發表。