國產存儲芯片，突圍進行時_風聞

2023年7月11日-13日，上海慕尼黑電子展在國家會展中心盛大開幕，東芯半導體股份有限公司（下稱：東芯半導體）攜旗下存儲芯片產品重磅亮相。

東芯半導體慕展展位

在展會現場，東芯半導體主要展示了SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、SPI NOR Flash、DDR3、MCP等五大產品線，針對不同應用領域劃分了多個區域，讓參會觀眾和行業夥伴更直觀地瞭解到東芯針對消費電子、安防監控、工業控制、網絡通訊、汽車電子等熱門領域所推出的對應產品和實際應用，致力於為客户提供更高品質的存儲產品及解決方案。

東芯半導體熱門應用領域展位

長期以來，東芯半導體積極佈局高可靠性領域應用，其部分產品已經通過AEC-Q100認證，依託下游應用領域如5G、物聯網、人工智能、機器視覺等市場需求，不斷提高產品在網絡通訊、物聯網、工業控制及監控安防等高端應用領域的滲透率。

展會現場也展示瞭如5G CPE 、企業網管、掃地機器人、便攜式打印機等多個熱門領域應用解決方案，東芯半導體持續堅持創新，旨在為日益發展的存儲需求提供高效可靠的解決方案。

存儲芯片市場，喜憂參半

作為半導體產業三大支柱之一，存儲芯片的重要性無需多言，在消費電子、智能終端、數據中心等諸多領域均有着非常廣泛的應用。

但從市場層面來看，在經歷過前兩年半導體行業“缺芯潮”的火熱需求之後，存儲市場已經逐漸冷卻。

2022年，尤其是去年下半年以來，存儲芯片市場下行趨勢愈發明顯，急速反轉的供需關係、直線下滑的需求，讓整個供應鏈都措手不及，數家芯片巨頭紛紛拉響業績警報。

時間來到2023年，半導體市場仍面臨下行壓力。為緩解庫存壓力，存儲芯片廠商相繼實行減產和降價策略，市場規模有所下降。據WSTS報告預測，2023年存儲芯片預計將比2022年減少17%。

然而，存儲市場疲軟態勢下，並非沒有好消息。

雖然PC和智能手機等產品銷量一路走低，隨着大數據、雲計算、物聯網等應用領域及終端產品的快速發展，以及AI、新能源汽車產業的持續火熱，將進一步帶動存儲芯片需求的不斷增加，有望加速存儲市場回暖復甦。

7月12日，東芯半導體副總經理陳磊在上海慕尼黑電子展上進行了以《佈局高可靠性領域，5G+IoT時代仍是好機遇》為主題的演講，分享了在5G+IoT的時代趨勢下，國產存儲芯片如何佈局高可靠性領域，助力賦能新興應用發展。

東芯半導體副總經理陳磊

正如上文所述，陳磊表示，全球進入5G時代已滿4年，5G進入發展“快車道”，商用範圍不斷擴展。據統計，隨着基礎設施建設的穩步推進，2022年全球5G基礎設施市場規模接近300億美元，全球5G基站出貨量超140萬個，中國市場出貨佔比超過60%。

隨着5G技術創新速度加快，終端形態日益豐富，加速物聯網市場創新發展。據中國物聯網行業運營態勢與投資前景調查研究報告顯示，2019年-2025年全球物聯網鏈接數量將呈現快速增長趨勢。預計2023年全球物聯網連接數將達158億個，同比增長17.04%。

在當前萬物互聯的智能時代，5G、AI、雲計算等領域發展迅速，龐大的數據潮構成了新基建的“基本面”，給存儲芯片市場帶來新的發展機遇。而東芯半導體作為國內領先的存儲芯片設計公司，正在這一趨勢下迎來發展契機。

東芯半導體的產品佈局與技術優勢

東芯半導體成立於2014年，作為Fabless芯片企業，聚焦於中小容量NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存儲芯片的研發、設計和銷售，是國內少數能同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產品方案的本土存儲芯片研發設計公司。

據陳磊介紹，東芯半導體目前已經完成了存儲芯片多產品線的全覆蓋，技術自主性強，具備可持續的技術創新能力。

SLC NAND Flash

其中，以SPI/PPI類型接口為主的SLC NAND Flash是東芯半導體的主打產品。據財報披露，2019年至2022年，公司NAND類產品營業收入從2019年的1.48億元增長至7.08億元，營收佔比從29%增長到62%，已成為東芯半導體的核心拳頭產品。

東芯半導體慕展現場展品

據介紹，東芯半導體產品核心技術優勢明顯，尤其是SPI NAND Flash，東芯採用了單芯片設計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，並帶有內部ECC模塊，使其在滿足數據傳輸效率的同時，既節約了空間又提升了穩定性；

SPI NAND Flash核心技術明顯

同時產品在耐久性、數據保持特性等方面表現穩定，不僅在工業温控標準下單顆芯片擦寫次數已經超過10萬次，同時可在-40℃-105℃的極端環境下保持數據有效性長達10年，產品可靠性逐步從工業級標準向車規級標準邁進。

而PPI NAND Flash兼容傳統的並行接口標準，還具備高可靠性，產品存儲容量覆蓋1Gb到16Gb，搭配3.3V/1.8V兩種電壓，可滿足客户在不同應用領域及應用場景的需求。

SPI NOR Flash

在NOR Flash方面，東芯半導體可提供通用SPI接口、不同規格的NOR Flash，聚焦於大容量低功耗，容量從64Mb到1Gb，1.8V/ 3.3V兩種電壓，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式和多種封裝方式，適用於4G模組、功能手機、智能手錶手環以及TWS耳機等諸多場景。

DRAM

東芯半導體的DRAM產品則主要針對利基型市場的中小容量DRAM，研發的DDR3（L）具有高帶寬、高傳輸速率、低延時等特點，可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，在網絡通訊、移動終端等領域應用廣泛；LPDDR系列產品則憑藉低功耗、高傳輸速度等優勢，多應用於移動互聯網、物聯網、可穿戴設備等領域。

MCP

對於MCP產品，陳磊表示，東芯半導體將閃存芯片和DRAM合二為一進行封裝，簡化走線設計，節省組裝空間，高效集成電路，提高產品穩定性，且Flash和DDR均為低電壓的設計，核心電壓1.8V，主要用於空間受限的電子產品，比如功能手機、MIFI、網絡電話、POS機等移動終端和通訊設備領域。

東芯半導體存儲產品線

能夠看到，在多個不同的存儲領域中，東芯已經有了豐富的研發成果。在此基礎上，東芯半導體堅持創新，持續優化產品性能，擴大產品線佈局。

目前，SLC NAND已實現國際領先的1xnm工藝，擁有了向1xnm製程進一步邁進的經驗積累和技術儲備；SPI NOR也已逐步迭代至48nm水準，推進公司產品製程進一步升級，增加產品市場競爭力，與國際領先水平並駕齊驅，未來將繼續向512Mb、1Gb等更高容量新產品開發；DRAM方面，東芯半導體將持續開發更先進工藝製程下的DRAM產品，其設計研發的LPDDR4X及PSRAM產品均已完成工程樣片並已通過客户驗證，未來將繼續在DRAM領域進行新產品的研發設計，助力公司產品多樣性發展。

此外，在近年來重要性愈發突出的汽車領域，東芯半導體也在積極推動車規級存儲芯片的研發與後續產品的落地。

據介紹，在車規級產品領域，東芯半導體SLC NAND產品工藝製程可以達到38nm，並能在-40℃到 105℃的極端環境下保持數據有效性長達10年，主要應用於車機；NOR Flash產品是在基於48nm製程的工藝上進行開發，主要是應用在汽車儀表盤快速啓動的部分。

據瞭解，2022年底，東芯半導體38nm SLC NAND Flash和 48nm NOR Flash車規芯片已通過AEC-Q100測試。

陳磊強調，在佈局車規級產品過程中，公司還要持續推進內部車規質量體系的建立，幫助供應商完善車規管理體系，持續加強產品可靠性及生產製程的監控力度。

據瞭解，憑藉在工藝製程及性能等方面的出色表現，東芯半導體的存儲芯片已獲得多家知名平台廠商認證，進入國內外知名客户的供應鏈體系，被廣泛應用於通訊設備、安防監控、工業控制、可穿戴設備、移動終端等終端產品，為智能互聯時代的聯接與計算賦能。

未來，東芯半導體將持續專注於高可靠性領域，提升高端應用領域滲透率。

東芯半導體的突圍秘訣

陳磊表示，東芯半導體之所以能夠取得如此優異的成績，除了產品線佈局的不斷豐富，還在於公司保障了供應鏈的穩定，同時研發成果符合市場需求並持續與產業發展深度融合。

據瞭解，東芯打造了具有“本土深度，全球廣度”的供應鏈體系，與多家知名代工廠都建立了緊密合作，與紫光宏茂、華潤安盛、南茂科技、Powertech technology、AT Semicon等知名封測廠合作關係穩定，形成了從設計到產業化的一站式解決方案，滿足客户對存儲芯片的特定需求。

在可預見的未來，東芯半導體所構築的健全的全球化供應鏈，能滿足不同客户的更多需求，在市場中形成自身的優勢。

此外，東芯半導體還始終聚焦在強化質量管理，提供優質服務，秉持着“品質”“競爭力”“客户滿意”“持續改進”的質量方針，圍繞產品研發、產品生產、客户服務等方面打造良好的處理閉環，聚焦存儲領域打造核心競爭力，着眼公司可持續發展。

**產品研發方面：**東芯半導體重視技術研發，持續加大研發投入。2022年，東芯半導體在研發上共投入1.10億元，同比增長47.46%，佔當期營業收入9.63%，而研發與技術團隊規模達到 130 人，數量上較去年同期上漲 49.43%。

**產品生產環節：**不斷優化服務流程和運營系統，持續提升相應的產品質量與服務質量管理體系，能夠為全球客户第一時間提供高效的服務支持；針對關鍵工藝細節管控及關鍵原材料把關，持續加強與代工廠的深入合作，整合各方資源，優化整體制造環境，不斷提升產品生產製造品質。

**客户服務方面：**通過“客户技術支持的服務規範-客户投訴處理流程-不合格產品管控程序-產品失效分析程序”等流程，旨在高效率、高質量地應對不同客户的服務需求，將客户服務理念貫穿到產品研發至售後的各個環節，在內部形成一個良好的處理閉環，持續提升品質管控體系，推動公司產品不斷精益求精。

此外，東芯半導體高度重視知識產權的自主性與完整性，經過多年持續不斷的研發和創新，擁有多項發明專利，相關專利自主完整、權屬清晰。

據財報披露，截至2022年末，東芯半導體共擁有境內外有效專利70項、軟件著作權13項、集成電路布圖設計權68項、註冊商標11項，累計申請境內外專利150項，獲得專利授權69項，專利涉及NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存儲芯片的設計核心環節，企業厚積薄發之勢愈發明顯。

陳磊指出，基於這些自主完整的知識產權，東芯半導體還能根據客户需求定製其所需要的存儲芯片定製化的設計服務和整體解決方案，幫助客户降低產品開發時間和成本，提高產品開發效率。而在為客户進行定製化產品過程中，東芯半導體不斷深入瞭解市場需求，接收客户反饋，已經建立了 “研發-轉化-創新”的技術發展循環，有利於公司進一步增強技術研發實力。

寫在最後

作為全球消費電子的晴雨表，當前存儲芯片市場的“寒冬”仍未結束。

但毫無疑問，從長遠角度來看，存儲芯片產業的前景是毋庸置疑的。隨着新興技術和應用領域持續蓬勃發展，將給存儲芯片帶來更大的市場需求，給存儲廠商帶來新的發展契機。

在存儲市場的全新需求下，中國存儲芯片市場空間將持續擴容。然而，面對中國大陸存儲芯片自給率不到15%的被動局面，未來幾年，國產替代或將迎來強勁需求。

面對當前存儲芯片行業的週期波動和國產替代趨勢，本土廠商首先要做的就是提升自身技術硬實力。東芯半導體作為中國領先的存儲芯片設計企業，未來將專注於創新產品，並持續開拓新領域。

“一方面，東芯半導體旨在通過微縮產品製程，持續縮小與國際競爭對手的差距；優化產品結構，聚焦高附加值產品。另一方面，在市場機遇下，要深入瞭解市場需求，持續創新改進，力爭在國產替代的浪潮下大有可為。”陳磊補充道。