目前國產芯片設備絕非媒體或者設備商自己宣傳那般樂觀_風聞

【本文來自《專訪英特爾宋繼強：除了最先進的光刻機，英特爾製程反超台積電還有哪些招數？》評論區，標題為小編添加】

單單以28nm來説, 先扣除目前完全無法做的光刻機以及部分高門檻設備, 將CVD、ETCH、量測檢測、離子注入、塗膠顯影、CMP、爐管、清洗、去膠等國產設備能做得拉高到50%的國產化率，個人預估良率最終會落在50%上下，然後經過幾年的優化與設備一代一代的更迭，1-2年後50%國產化率的28nm產線估計能達到90%，但如果再將國產化率從50%進一步拉高到70-80% , 那良率也將大幅度下滑 , 又必須再經過1-2年的拉昇。這是一個提高國產化率再重新拉良率的反覆且長期的過程，沒辦法一蹴而就。

所以説大概率這條28nm產線 , 需要3年甚至更多的時間才可能達到100%的國產化率，想達到超過損益平衡的80%良率或許需要10年以上，而這十年需要國家不斷的補貼才能存活，然而我們現在談的只是28nm ，未來14、10、7、5nm我們還得重複這些過程，當然這些追趕過程是動態的，技術攻關也是多條腿同時進行的，如果28nm能實現100%國產，每個製程都全打通了最困難的部分，那後續的追趕時間必然能縮短，甚至這十幾年的漫長追趕過程，我們並不需要考慮良率，只要達到能拉通30%的良率就馬上推進下一代，因為西方也在推進，如果樂觀地預估我們能兩年推進一代，以現在的差距也得15年才追得上，但很顯然兩年推進一代是一個非常困難的艱鉅任務，大家必須得明白即便我們可以達成上述這不可能完成的任務，趕上西方也得15年。

作者的比喻最重要的是想大家明白，目前國產芯片設備絕非媒體或者設備商自己宣傳那般樂觀，比如某廠宣傳的刻蝕已經能做到5nm，但這所謂5nm只是刻蝕最容易的普通通孔刻蝕，整個芯片不論前後道製程ICP與CCP一共接近30種刻蝕設備，目前該廠負責CCP，國內的另外一家廠負責ICP ，以5nm來説國產只能做整個刻蝕30種設備中最容易的那一種，剩下29種沒法做，以28nm來説目前大約能做15種，目前正在向20種、25種，最終30種攻關，全部30種都能做，我們才算完成28nm的刻蝕設備攻關。所以説，並非如某廠所宣傳那般，只有一種5nm刻蝕設備賣給台積電，宣傳得好似國產刻蝕設備已經完成5nm刻蝕的攻關，其實不論28還是5nm的刻蝕工藝，目前門檻較高那幾種一律還是被LAM、AMAT、TEL所壟斷，所謂5nm也只是設備商的宣傳套路。