目前講納米壓印替代光刻，ASML的前景堪憂等等，還為時過早_風聞

【本文來自《不用光刻機，如何製造5nm芯片？》評論區，標題為小編添加】

• guan_16008307561942
• 不太信。如果我沒記錯，納米壓印技術很早以前就有了。

後來因為芯片進程越來越小，技術跟不上才被淘汰，就剩了光刻這條路線。

技術進步是一步一個腳印的事，既然和以前是同一條技術路線，40nm、28nm對應的壓印技術都沒，直接飛昇到5nm、2nm？

納米壓印技術是目前最接近可以和光刻技術競爭的大規模集成電路成形技術。佳能這台納米壓印設備型號是FPA-1200NZ2C，這台設備的原型機在2017年就進入東芝內存產線進行驗證。佳能在10月13日官網宣佈的消息，就是這台設備開始正式商業銷售了，據彭博社報道，已經有不少訂單了。商業銷售就意味着正式的商業量產成熟了。

納米壓印技術很早就出來了，並在光學，微加工等領域有了很多應用，但在大規模集成電路成形上一直進展較慢。其主要的技術瓶頸其實用衝壓原理去想就能明白，納米壓印很像一台衝壓設備，用模具衝壓出希望的產品形狀來。所以其技術瓶頸

1. 模型需要能加工，而納米壓印的模型加工非常困難，需要用到光刻技術。

2. 模型的磨損，每衝一次都有一定的磨損，在要求幾納米的世界裏，極其微小的磨損都可能使整個晶圓報廢。

3. 氣泡，壓印時模型與晶圓之間接觸時，會有氣泡進入。

4. 壓印時，模型將光膠向周邊擠壓後，對周邊的影響。

5. 雜質，極微小的雜質在被壓印入線路後，晶圓報廢。

6. 脱模的缺現，脱模時，粘帶，不均勻，速度過快等都會早成晶圓缺現。

7. 套印精度。

8. 效率，用於大規模集成電路的納米壓印屬於光壓印，由於壓印後，需要紫外線照射光膠硬化，所以效率遠低於光刻機。

2017年進入東芝內存產線的這台佳能納米壓印設備，在克服很多技術瓶頸後，主要面臨上面第5和第8項問題，經過5年的驗證和改進，對雜質的控制和效率提高，終於達到了商業應用的水平。

但目前，這台納米壓印在雙工作台時的效率只有40片/小時，遠比AMSL的光刻機效率低（參考ASML的NXE:3800E，是220片/小時），所以還無法進入大批量的主流芯片產線，只能用於多品種小批量的產品。

所以，目前講納米壓印替代光刻，ASML的前景堪憂等等，還為時過早，沒有任何根據。

但，納米壓印的優點也是非常大的，比如電力消費只有極紫外光刻機的十分之一，設備也遠比一台上億美元的極紫外光刻機便宜，而且相比極紫外光刻機，納米壓印對材料的選擇範圍要比光刻機廣泛的多，未來用途也比光刻機要多。

光刻機特別是極紫外光刻機也是經歷了一個又一個的技術問題，有的甚至是令人絕望的，但無數的技術人員的努力，終於有了今天。所以，將來納米壓印技術能發展到什麼程度，現在還很難講。