華為測試蠻力方法制造更先進芯片 - 彭博社

華為技術有限公司和中國一家神秘的芯片製造合作伙伴已經為一種低技術但潛在有效的先進半導體制造方法申請了專利，這引發了中國可能改進芯片生產技術的前景，儘管美國正在努力阻止其進展。

這些公司正在開發涉及自對準四重圖案，或SAQP的技術，並且根據向中國知識產權局提交的專利申請，這些技術應該減少它們對高端光刻的依賴。這可能使它們能夠生產先進的芯片，而無需ASML控股有限公司的最先進的極紫外光刻設備。總部位於荷蘭的ASML是EUVE機器的唯一提供商，由於出口管制，它無法將這些機器銷售給中國。

四重圖案是一種在硅晶圓上多次刻線以增加晶體管密度的技術，從而提高性能。華為的專利申請於週五發佈，描述了一種利用該技術製造更復雜半導體的方法。中國國家知識產權局的文件稱：“採用這項專利將增加電路圖案的設計自由度。”

與華為合作的國有芯片製造設備開發商SiCarrier在2023年底獲得了涉及SAQP的專利。根據其提交的文件，其專利採用深紫外光刻，或DUV，芯片製造機器和SAQP技術來實現5納米芯片上看到的某些技術門檻。該做法可以避免使用EUVE機器，同時降低製造成本。

四重圖案技術已經足夠好，可以讓中國在5納米制造芯片，但從長遠來看，中國仍需要獲得EUV機器，據研究公司副主席丹·哈切森（Dan Hutcheson）表示，“它可以緩解問題，但無法完全克服沒有EUV的技術問題。”

像台積電這樣的領先芯片製造商使用EUV機器生產先進芯片，因為它們具有最高的生產產量，這意味着每個芯片的成本被最小化。如果華為及其合作伙伴使用替代方法進行半導體生產，他們的每個芯片成本可能高於行業標準。

華為技術有限公司Mate 60系列智能手機在上海的廣告。攝影師：祁來申/彭博社目前商業生產中最先進的芯片使用3納米技術，包括台積電為蘋果等公司製造的芯片。中國目前有能力製造7納米芯片，落後兩代，但進步到5納米將使其僅落後於全球領先者一代。

多年來，美國及其盟友一直在加強對中國獲得半導體和芯片製造設備的限制，拜登政府認為這些控制對國家安全是必要的。這包括對ASML的EUV芯片製造機器和英偉達公司最強大的圖形處理器出口的禁令，後者用於訓練人工智能服務。

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但中國公司正在投資數十億美元發展國內芯片能力，華為去年推出了一款由先進的7納米處理器驅動的突破性智能手機。這表明儘管美國、荷蘭和日本的努力，但該國科技行業正在取得進展。

2023年，華為推出了一款搭載尖端處理器的新智能手機，引發了關於美國主導控制措施有效性的質疑。

作為回應，拜登政府正在尋找額外手段來遏制中國的進展。它正在敦促韓國和德國等盟友加入這一努力，並正在考慮將更多與華為有關的中國芯片公司列入黑名單，包括SiCarrier。

一批包括南亞科技集團有限公司和先進微細加工設備公司在內的中國芯片設備製造商，正在研究將多重圖案技術與蝕刻系統相結合，生產7納米或更先進的芯片，因為EUV技術還無法實現，根據花旗集團分析師Jamie Wang和Kevin Chen等人撰寫的備忘錄。

“中國半導體公司主要依靠SAQP技術生產先進芯片，這可能會增加中國蝕刻機的密度，”文中稱。

上海半導體中國博覽會上的Naura展位。攝影師：沈啓來/彭博社今年，北京全力支持國內最重要的芯片製造設備供應商。本月，李強總理訪問了 Naura Technology 的辦公室，這次訪問被廣泛報道，通常被安排為示意中央政府的支持。