氮化鎵芯片商英諾賽科考慮赴港IPO,與中金、招銀國際進行合作_風聞
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據路透社旗下IFR報道,中國氮化鎵(GaN)芯片製造商英諾賽科(Innoscience)正考慮最早今年來香港進行IPO,融資規模約3億美元。報道指英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進行合作。
綜合 | 路透社 智通財經 公開資料
編輯 | Echo
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英諾賽科於2015年成立,設計、開發和製造涵蓋從低壓到高壓(30V-650V)面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件。
目前,英諾賽科擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地,採用最先進的8英寸生產工藝,是全球產能最高的氮化鎵器件廠商。英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產能達到每月1.5萬片,並將逐漸擴大至每月7萬片以上。
據介紹,英諾賽科已經成為氮化鎵快充芯片龍頭,還推出全球首顆進入手機的氮化鎵芯片並實現客户端量產,另外氮化鎵產品已經應用於筆記本電腦、智能音響、數據中心、激光雷達、新能源與儲能等領域。
拒公開資料,英諾賽科的核心技術團隊由半導體和(電力)電子行業的專家和資深人士組成,均來自世界一流的領先公司,在硅基氮化鎵技術的開發和大規模量產方面擁有豐富的經驗。
此外,為了展示英諾賽科在氮化鎵技術領域擁有的潛力,並更加順利地推廣產品,英諾賽科還彙集了系統工程領域的專家,用於進行面向特殊應用和客户的開發板及其他電路系統的研製。
英諾賽科官網顯示,公司擁有先進的光刻技術,能生產線寬較小的器件,從而顯著提升器件的性能。公司為客户提供一站式服務,能滿足客户對高壓、低壓的各種需求。大規模量產能力及8英寸先進生產工藝,能確保器件的穩定供應及合理價格。這些都是保障氮化鎵能夠大規模商業化應用的必要條件。
同時,英諾賽科持續創新與提升技術,保證公司始終走在氮化鎵領域的前沿。公司已經擁有完整的技術路線圖,能滿足客户不同應用方向的不同需求,同時也能針對客户的特殊需求定製解決方案。
迄今為止,英諾賽科器件出貨已超百萬顆,因器件性能或可靠性問題的返廠率為0%。這再一次證明英諾賽科器件的卓越性能。
據英諾賽科官網資料,其投資者包括招銀國際、韓企SK集團、Arm、寧德時代等世界級投資方。
根據天眼查資料顯示,英諾賽科其他投資者可能還包括東方國資、珠海高新投、華業天成資本、中平資本、國民創投、鈦信資本、永剛集團、毅達資本、仕富資本、中天匯富、盛裕資本、富坤創投、高鵬資本、金地投資、東科半導體、賽領資本、興湘集團、海富產業基金、海通創新證券、中國-比利時直接股權投資基金等。