國產電子束量測檢測核心技術EOS，迎來關鍵突破！_風聞

三箭齊發 新一代EOS上機

引 言

電子束量測檢測設備是芯片製造裝備中除光刻機之外技術難度最高的設備類別之一，深度參與光刻環節、對製程節點敏感並且對最終產線良率起到至關重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學系統（Electron Optical System，簡稱EOS），決定設備的成像精度和質量，進而決定設備的性能。

作為電子束量測檢測領域的先行者、領跑者，東方晶源始終堅持自主研發，不斷深化研發投入、加速技術創新步伐，致力於為客户帶來更加卓越的產品。日前，東方晶源自主研發的新一代EOS“三箭齊發”，取得突破性成果，成功搭載到旗下電子束缺陷複檢設備（DR-SEM）、關鍵尺寸量測設備（CD-SEM）、電子束缺陷檢測設備（EBI），率先實現國產EOS在高端量測檢測領域的應用，助力產品性能實現進一步攀升的同時，為國產電子束量測檢測技術的發展進一步夯實了基礎。

新一代DR-SEM EOS多場景 高精度

DR-SEM是一款基於超高分辨率電子束成像技術對缺陷進行復檢分析的設備，包括形貌分析、成分分析等，因此其搭載的EOS需要高分辨、高速的自動化複檢能力，並提供多樣化的信號表徵手段。

東方晶源新一代DR-SEM EOS採用適配自研多通道高速探測器、支持多信號類型分析檢測的電子光學設計方案，兼容EDX成分分析功能，能夠覆蓋廣泛的缺陷複檢應用場景。此外，新一代DR-SEM EOS搭配高精度定位技術，檢測精度和速度可以匹配業界主流水準。

新一代CD-SEM EOS高精度 高速度

CD-SEM作為產線量測的基準設備，對EOS的核心技術需求在於高分辨、高產能（Throughput）和高穩定性。東方晶源新一代CD-SEM EOS為實現高成像分辨率和高量測精度，採用球色差優化的物鏡、像差補償技術、自動校正技術等新方案，目前已達到業界一流水平。同時，自研探測器針對頻響和信噪比優化，支持快速圖像採集，結合高速AFC技術，可以在不損失精度的情況下大幅提升量測產能。新的技術方案確保了更穩定、一致的產品表現。通過上述各方面的技術突破，新一代CD-SEM EOS在性能和穩定性上取得大幅提升。

新一代EBI EOS多場景 高速度

針對國內領先的邏輯與存儲客户產線檢測需求，EBI EOS要在保證檢測精度的前提下，重點提升檢測速度。東方晶源最新研發的EBI EOS通過四大技術手段在檢測精度和速度上進行了顯著的優化與提升。（1）超大束流的電子束預掃描技術和大範圍電子產率調節技術，滿足不同產品多樣化檢測需求；（2）兼容步進式和連續式掃描模式，提供具有競爭力的產能指標；（3）採用業界領先的高速大束流檢測方案，採樣速率達到行業先進水平；（4）浸沒式電子槍，支持更大的束流調節範圍。

展 望

隨着半導體工藝水平的飛速發展，電子束在線量測檢測越來越重要，設備的產能必須有質的飛躍才能滿足這一需求。更高的成像速率或多電子束並行檢測技術就是業界競相攻克的焦點。東方晶源在高速成像和多電子束技術均已取得重要突破，實現了相關技術的原理驗證。未來，東方晶源將不斷進行技術深耕，將關鍵核心技術牢牢掌握在自己手中，以更加卓越的技術和產品引領電子束量測檢測領域的發展，解決客户痛點問題，為我國集成電路產業的發展和進步貢獻更多力量。