盛美半導體推出面板級邊緣刻蝕設備，強化FOPLP產品線_風聞

中國先進晶圓清洗設備製造商——盛美半導體，近日推出了一款面向扇出型面板級封裝（FOPLP）應用的突破性新型設備——Ultra C bev-p 面板邊緣刻蝕設備。該設備專為銅相關製程的邊緣刻蝕和清洗設計，能夠同時對面板的正反面進行邊緣處理，大幅提升了生產效率和產品的可靠性。這一技術的推出不僅完善了盛美的FOPLP產品線，也為大規模量產的現代電子應用提供了更為高效的封裝解決方案。

扇出型面板級封裝（FOPLP）在現代電子應用中越來越佔據重要地位，其優越的集成密度、成本效率以及設計靈活性，使其在市場上需求不斷攀升。盛美半導體董事長王暉博士表示，FOPLP能夠適應不斷發展的電子應用需求，是未來封裝技術的重要方向。此次推出的Ultra C bev-p設備，正是基於這一技術趨勢研發而來，目標是提升製程效率並確保產品的長期可靠性。

據市場分析公司Yole Intelligence的數據顯示，FOPLP市場正在迅速成熟。預計在2023至2028年期間，該市場的年複合增長率（CAGR）將達到32.5%，從2022年的4100萬美元增長到2028年的2.21億美元。盛美半導體憑藉其技術專長，正在積極把握這一市場機遇，推動更大規模的應用普及。

Ultra C bev-p是全球首批可同時處理面板正面和背面邊緣刻蝕的設備之一，採用了濕法刻蝕製程，能夠有效消除銅殘留，降低電氣短路和污染風險，從而保證後續製程的完整性。這一設備通過精密的邊緣控制，確保在處理扇出型面板時刻蝕工藝的精準性，為先進封裝技術提供了可靠保障。

與傳統的圓形晶圓不同，面板級封裝使用方形面板，這使得邊緣處理的複雜性和難度大幅增加。為此，Ultra C bev-p採用了盛美半導體的專利技術，能夠在面板翹曲的情況下實現僅限邊緣區域的精確刻蝕，確保製程完整性。該設備還支持多種面板材料，包括有機面板、玻璃面板和粘合面板，適用尺寸範圍從510mm x 515mm到600mm x 600mm，處理厚度在0.5mm至3mm之間，最大可處理10mm的翹曲。

Ultra C bev-p不僅在技術上實現了突破，在產能和運行效率方面也表現出色。設備設計可運行多達六個腔體，每小時可處理40個面板（PPH），邊緣控制精度達到±0.2mm，控制範圍為0-20mm。該設備的平均故障間隔時間（MTBF）達到500小時，正常運行時間高達95%，這為批量生產提供了高效、可靠的支持。

此外，Ultra C bev-p設備採用稀硫酸與過氧化物（DSP）工藝去除銅殘留，並使用去離子水進行清洗，最終通過氮氣（N2）進行乾燥處理，確保面板表面的清潔和乾燥。這一設計不僅保證了產品的高質量，還能有效減少後續製程中的污染風險。

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