工信部首次公佈光刻機參數，技術解讀_風聞

1. 氟化氪、氟化氬光刻機，這是指光源KrF激光，ArF激光。ArF就是著名的193nm光源，這是所有DUV光刻機的標準光源波長。KrF波長是248nm，也很常用，但關注度低一些。這是首次公佈DUV體系的光刻機參數。

2. 套刻<=8nm，這是對芯片製造技術不熟悉的羣眾容易出現誤解的一個指標，如不少人直覺認為是“可以幹到小於8nm”芯片製程。套刻的英文是overlay，重疊，指的是光罩（掩膜板，mask）成像對準的誤差。芯片製造需要很多道工序，曝光可能要好幾十次，要拿出上張mask，換下一張mask，前後兩張mask最好完全定位對準完全一樣，但做不到會有偏移誤差，小於8nm就是會有一定的誤差。

3. overlay的8nm套刻精度，和7nm芯片這個製程概念完全不是一回事。7nm、28nm、45nm芯片製程，直接定義是“晶體管柵極距離”，可以理解為晶圓上挖很多溝槽，溝的間距是28nm、7nm（實際可能是10nm，立體等效為7nm）這些級別。這和工作台挪動前後兩個mask對準，不是一個難度。如果要做7nm芯片，套刻精度要小於3nm，如2.5nm，ASML的先進DUV光刻機是這個標準。

4. 晶圓直徑300mm最簡單，就是“12英寸”晶圓，還有8英寸的，這兩種最常見，還有6英寸的。

5. 最關鍵的指標是“分辨率<=65nm”，這是指193nm波長在晶圓上成像的分辨率，大約是193nm約三分之一，不是巧合，是有光學公式背景的。這也説明，波長193nm沒有玩花活，乾式DUV光刻機。193nm波長的光，水裏折射後變132nm，分辨率會進步。晶圓上加水的光刻機叫浸潤式，immersion，型號就會是DUVi。乾式可以進步變浸潤式。

6. 這個ArF光刻機能加工的芯片，理論上應該是28nm。65nm分辨率還會用浸潤式、OPC光學補償、多重曝光等技術，能推進到28nm，而且性能提高、性價比特別好。28nm就成為傳統芯片技術節點。

7. 那麼這個最先進國產光刻機有沒有實用量產28nm芯片？只能猜，我猜沒有。因為現在28nm產線是用ASML光刻機，良率高，還沒有被限制。良率很重要，低了芯片加工成本太高受不了。我猜這個光刻機在“良率爬坡”，也可能先試45nm芯片。等良率指標合格了，就可以進產線量產了，應該需要時間。

8. 往下怎麼發展？套刻精度要繼續進步到小於3nm，要加浸潤式。更重要的是操作速度、配套軟件，能不能0.1秒曝光一個芯片，一片晶圓一分鐘光刻完事，慢了產能低。ASML光刻機那麼多型號，就是這些指標不斷進步。這是開發體系，建起來了，要耐心發展。如果三年後能大規模量產28nm芯片我就很開心了，什麼時候能做7nm要觀察。