國產光刻機水平不宜高估，警惕芯片業的速勝論_風聞

1. 近期國產光刻機有官方信息了，進了首台套目錄。光刻機忽然成了大熱點，許多明顯不懂技術的人也出來宣傳。由於知識門檻較高，錯誤言論又滿天飛了。大約在2020-2021年，輿論也是瘋狂炒作“100%國產7nm芯片”之類的假消息。光刻機不時有小道消息流傳，股市都炒了幾波。芯片、光刻機，流量很高都來説，知識又很難學習，是重災區。

2. 個人感覺，官方對於光刻機是極為低調的。沒有任何新聞，只是一個文件上列了國產光刻機技術指標。而且，顯然行業有紀律，專業人士都不出來發言。其它行業技術突破，往往有報導，專業人士即使不主動出來宣傳，也會接受採訪。再一個，這個公佈的光刻機，其實技術指標是偏低的，如果沒有基礎知識就容易誤判。

3. 那國產“氟化氬光刻機”到底是什麼水平？我們來看下技術指標，300 mm晶圓、193nm波長，這只是説明這是ArF的DUV光刻機，用來加工12寸晶圓，沒等於有任何值得分析的信息。分辯率<=65nm，套刻<=8nm，這是兩個關鍵信息，其實已經説明，這是一款相對初級的DUV光刻機，水平不宜高估。不僅沒法用來加工7nm先進芯片，甚至28nm傳統芯片都不容易。

4. 看圖中的ASML光刻機指標，193nm波長的ArF光刻機型號是從最低檔的1460K到最高檔的2100i。分辯率<=65nm，就對應NXT1460K這款。而且14060K的套刻精度是3.5/5.0nm，這比國產機的<=8nm還要好。當然，國產光刻機具體如何，信息不足，我們只能參考一些信息判斷。但應該可以得出結論，在DUV光刻機這個層面上，國產光刻機還有不小進步空間。套刻精度一開始羣眾誤解了，不少懂的人解釋了，不是芯片製程，而是前後mask擺放的誤差。

5. 其它一些指標，其實也是很有意義的。如與產能相關的wph，每小時處理多少片晶圓，要200-300多片。這其實很嚇人，一片晶圓上幾百個芯片，每小時300片，可能有2萬個芯片要曝光。一小時3600秒，所以每秒工作台要移動好幾次，精準定位，再0.1秒這麼短的時間完成曝光又快速移動。這對光刻機軟硬件系統的要求是極高的。

6. 另一個指標是NA，物鏡數值孔徑，這是光學指標。這其實是中國差距較大的領域，甚至是最麻煩的一項。它是越大越説明水平高，高端DUV光刻機是1.35。而國產光刻機的數值應該是約0.75，正在努力做大。這一項，也對應ASML的NXT1460K的水平。其實還有一項隱含指標，就是“浸潤式”光刻機，國產的應該是乾式的ArF，而ASML的從1965開始就是ArFi，加了immersion，晶圓上加超純水，波長變134nm了。

7. 還有一項叫“工藝節點”，按ASML給的，NXT1460K是用來做65nm芯片的，28nm不合適。按這圖，如果要做28nm芯片，需要用浸潤式光刻機。當然，如果不怕麻煩，用多重曝光之類的工藝，也許用國產光刻機做28nm是可以的。就如別人用EUV光刻機做7nm芯片，我們用DUV光刻機也能做，良率低、麻煩不少。但是，個人感覺還是應該開發國產浸潤式光刻機來做28nm芯片，而非用乾式光刻機上產能。

8. 從這些技術指標來看，國產光刻機的水平不宜高估。許多不懂技術指標的人，往往會相信“速勝論”，認為很快芯片業就突破了，讓對手破產。這些判斷聽着很爽，但從技術上來説，是需要警惕的，很難成立。