SK海力士率先全球量產12層堆疊HBM3E，樹立AI內存市場新標杆_風聞

2024年9月26日，韓國存儲芯片巨頭SK海力士宣佈，率先在全球量產12層堆疊的HBM3E（高帶寬內存），實現現有HBM產品中最大36GB容量的突破。這一壯舉再次鞏固了SK海力士在高性能內存領域，特別是在面向AI應用的高帶寬內存市場中的領先地位。

SK海力士表示，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）是一種高附加值且性能卓越的內存，主要通過垂直堆疊多個DRAM芯片來顯著提高數據處理速度。相較於傳統的DRAM產品，HBM能夠提供更高的帶寬，適應日益增長的人工智能（AI）和高性能計算（HPC）需求。

HBM技術自2013年問世以來，經歷了多次技術迭代，從最早的HBM1到HBM2、HBM2E、HBM3，再到如今的HBM3E。HBM3E作為HBM3的擴展版本，不僅在性能上大幅提升，容量也達到了新高度。現有HBM3E的最大容量為24GB，由8顆3GB的DRAM芯片垂直堆疊而成，而此次量產的12層堆疊產品將容量提升至36GB。SK海力士計劃在2024年底前向客户提供這一劃時代的產品，標誌着公司技術實力的進一步強化。

SK海力士強調，HBM技術已成為高性能計算的核心之一，特別是在AI領域對內存的速度、容量和穩定性提出了極高的要求。此次量產的12層HBM3E內存不僅在容量上提升50%，還通過多項技術創新確保產品的穩定性和可靠性。

為了實現12層堆疊與現有8層產品同等厚度的同時，增加內存容量，SK海力士將單個DRAM芯片的厚度削減了40%。此外，公司採用了硅通孔技術（TSV）來實現芯片的垂直互聯。該技術能夠有效提升數據傳輸效率，確保在大規模AI模型運行時的高效計算。

HBM3E的速度也得到了顯著提升。新產品的運行速度達到了9.6Gbps，是目前市場上最快的內存速度之一。以當前熱門的LLM（大型語言模型）Llama 3 70B為例，搭載四個HBM3E模塊的GPU每秒可以讀取35次700億個參數，大幅提高了AI模型的運行效率。

在高密度芯片堆疊過程中，穩定性和散熱性能一直是挑戰。SK海力士通過採用先進的MR-MUF（Molded Underfill）工藝，不僅解決了多層芯片堆疊可能導致的結構性問題，還在散熱性能上相較上一代產品提升了10%。這一改進不僅有效增強了產品的熱管理能力，還通過減少翹曲，確保了芯片在高負荷下的長期穩定性。

SK海力士自2013年推出全球首款HBM內存以來，一直是該技術的主要推動者。如今，隨着HBM3E的量產，公司再次證明了其在AI內存領域的領先地位。SK海力士表示，未來將繼續推進新一代內存產品的開發，以迎接AI時代日益增長的計算需求。

公司AI Infra業務負責人金柱善表示：“我們再一次突破了技術壁壘，證明了我們在AI內存市場中的獨特主導地位。為應對未來AI時代的挑戰，SK海力士將持續創新，確保在全球AI內存供應市場中的頂級地位。”

隨着AI應用的快速發展，市場對高帶寬內存的需求將持續增長。HBM技術憑藉其高帶寬、低功耗和高性能的優勢，正在成為AI訓練和推理任務中的關鍵技術支撐。SK海力士的HBM3E產品不僅滿足了當前AI企業的需求，也為未來AI應用的擴展提供了堅實的技術基礎。

此次SK海力士全球率先量產12層堆疊的HBM3E產品，不僅展示了其在高帶寬內存技術上的卓越能力，也為未來的技術發展指明瞭方向。在全球內存市場競爭日益激烈的背景下，SK海力士通過不斷的技術創新和市場拓展，進一步鞏固了其作為行業領導者的地位。

隨着AI、大數據和雲計算等新興技術的快速發展，高性能內存的需求將持續上升。SK海力士憑藉其深厚的技術積累和敏鋭的市場洞察力，必將在未來的競爭中佔據更加重要的地位，為全球科技創新貢獻力量。

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